Angesichts der kontinuierlichen Weiterentwicklung optischer Telekommunikations- und optoelektronischer Geräteanwendungen hin zu hoher Geschwindigkeit und hoher Leistung verfolgen wir die Marktnachfrage nach photonischen Epitaxiewafern für Hochgeschwindigkeits- und High-End-optoelektronische Anwendungen genau.PAM-XIAMENkann eine Reihe von auf Verbindungshalbleitern basierenden photonischen Epitaxiewafern bereitstellen, die als wichtige optoelektronische Chipmaterialien für Anwendungen wie den Aufbau von Breitbandnetzwerkinfrastrukturen in der Glasfaserkommunikation, Datenkommunikation und 3D-Sensorik usw. verwendet werden können. Die spezifischen Parameter sind wie folgt :
1. GlasfaserkommunikationEpitaktischer Wafer
Entsprechend ihrer unterschiedlichen Funktionen können Photonik-Epiwafer für die optische Kommunikation in Laser-Epiwafer, Detektor-Epiwafer usw. unterteilt werden.
1.1 Epitaxiewafer für Laser
Zu den gelieferten Halbleiterlaserwafern gehören Distributed Feedback Laser (DFB), Electroabsorption-modulated Laser (EML) und Fabry Perot (FP) mit Wellenlängen von 1270 nm bis 1610 nm. Zusätzliche Informationen wie:
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Artikelparameter |
DFB-Epitaxialwafer | EML-Epitaxiewafer | FP Epitaxie-Wafer |
| Durchmesser | 2 Zoll, 3 Zoll | ||
| Wellenlänge | 1270 nm, 1310 nm, 1490 nm, 1550 nm | 1310 nm, 1550 nm, 1577 nm | 1310 nm, 1550 nm |
| Rate | 2,5G/10G/25G | 10G/25G/56G | 2,5G/10G/25G |
| Eigenschaften | ·GPON, XGPON, XGSPON, BIDI
·Gittertechnik ·Kleiner Divergenzwinkel |
SAG (Selective Regional Growth) und Butt-Joint-Technologie | Kleiner Divergenzwinkel |
Diese photonischen Epitaxiewafer können in GPON (Gigabit-fähiges passives optisches Netzwerk), XGPON (10-Gigabit-fähiges passives optisches Netzwerk), Grobwellenlängenmultiplexing/Dense Wavelength Division Multiplexing), BIDI (Bi Directional) und andere Glasfaserkommunikationen.
Die DFB-Epitaxiewafer werden mit AlGaInAs- und InGaAsP-Mehrfachquantentöpfen gezüchtet. Die Gittertechnologie umfasst holografische Gitter, Nanoprägung und Elektronenstrahlbelichtung, die den Anforderungen der verschiedenen Produkte gut gerecht werden können. Der epitaktische EML-Wafer integriert einen DFB-Laser und einen elektrisch modulierten Absorptionsbereich, der die Eigenschaften einer hohen Bandbreite, eines geringen Chirps, eines hohen Modulations-Extinktionsverhältnisses und einer kompakten Struktur aufweist. Der elektrisch modulierte Absorptionsbereich nutzt SAG- und Butt-Joint-Wachstumstechnologien. Darüber hinaus bietet PAM-XIAMEN auch Lösungen für epitaktische DFB-Wafer mit kleinem Divergenzwinkel, epitaktisches DFB-Wachstum mit vergrabenem Heteroübergang (BH), epitaktisches Docking-Epitaxiewachstum mit passiven Wellenleitern und epitaktische Wafer mit halbisolierendem Einschluss (InP: Fe), um den Anforderungen von Hoch- Schnelle Chip-Herstellung.
1.2Epitaktische Waferfür Detektor
Die von uns gelieferten Halbleiter-Photonik-Epitaxiewafer sind für MicroPulse DIAL (MPD), Avalanche Photodiode (APD) und PIN und decken Wellenlängen von 650 nm bis 1700 nm ab. Sie eignen sich für optische Kommunikation wie GPON, XGPON und XGSPON. Die spezifischen Parameter sind wie folgt:
| Artikelparameter | MPD Epitaxie-Wafer | APD-Epitaxialwafer | PIN-Epitaxiewafer |
| Durchmesser | 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll | ||
| Rate | — | 2,5G/10G/25G | 2,5G/10G/25G/50G |
| Eigenschaften | Zn-Diffusion | Zn-Diffusion | Niedriger Dunkelstrom |
Das Funktionsprinzip von PD besteht darin, dass der PN-Übergang des Fotodetektors ein internes elektrisches Feld bildet; Dann erzeugt die Lichtinjektion in Halbleiter Elektronen-Loch-Paare, und unter der Wirkung eines elektrischen Feldes erzeugt der PN-Übergang einen gerichteten Photostrom; Als Ausgangssignal wird Fotostrom exportiert. Fotodetektoren erfordern üblicherweise Epiwafer mit hoher Empfindlichkeit, hoher Ansprechrate, niedrigem Dunkelstrom und hoher Zuverlässigkeit. Um den empfangenen Photostrom zu verstärken und die Nachweisempfindlichkeit zu verbessern, wird die APD mit Lawinenmultiplikationseffekt verwendet. Wir bieten seit vielen Jahren eine stabile Massenproduktion von Fotodetektorprodukten an und können für Sie Zinkdiffusionsdienste anbieten.
2. Epitaktischer Wafer für Rechenzentren
Die Epi-Strukturen für Rechenzentren werden hauptsächlich auf GaAs- und InP-Substrat gewachsen:
2.1 InP-Epitaxiewafer
Die auf InP-Substraten gewachsenen epitaktischen Wafer bestehen hauptsächlich aus kantenemittierenden DFB-, EML-Lasern und Silizium-Photonik-Epitaxie mit Geschwindigkeiten über 25 Gbit/s und Wellenlängen von 1270 nm, 1310 nm, 1330 nm usw., die die Übertragungsanforderungen von 100 G/400 G erfüllen können /800G optisches Modul. Die spezifischen Parameter wie folgt:
| Artikelparameter | DFB-Epitaxialwafer | Hochleistungs-DFB-Epitaxiewafer | Epitaktischer Silizium-Photonik-Wafer |
| Durchmesser | 2 Zoll, 3 Zoll | ||
| Wellenlänge | 1310nm | 1310nm | 1310nm |
| Rate | 10G/25G/50G | — | — |
| Eigenschaften | CWDM 4/PAM 4 | BH-Technologie | PQ/AlQ DFB |
2.2 GaAs-Epitaxiewafer
Bei den von uns gezüchteten epitaktischen Wafern auf GaAs-Basis handelt es sich hauptsächlich um oberflächenemittierende Laser mit vertikalem Hohlraum (VCSELs) und GaAs-PDs mit einer Wellenlänge von 850 nm und einer Modulationsrate von mehr als 50 Gbit/s. Das epitaktische Wachstum photonischer Anwendungen kann den Anforderungen der Datenübertragung über kurze Entfernungen in Rechenzentren gerecht werden. Weitere Informationen finden Sie unter:
| Artikelparameter | VCSEL-Epitaxiewafer | GaAs PD-Epitaxiewafer |
| Durchmesser | 4 Zoll, 6 Zoll | 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll |
| Wellenlänge | 850nm | — |
| Rate | 25G/50G | 10G/25G/50G |
3. Photonische Epitaxiewafer für die Sensorik
Bei den für Industrie- oder Sensoranwendungen gelieferten Epi-Photonik-Wafern handelt es sich hauptsächlich um GaAs-basierte 905/940-nm-VCSEL-Laser und 650-980-nm-FP-Laser. Weitere Informationen finden Sie in der folgenden Tabelle:
| Artikelparameter | Pump-Laser-Wafer | 3D-Sensorwafer | Gassensor-Wafer | andere |
| Durchmesser | 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll | 4 Zoll, 6 Zoll | 2 Zoll, 3 Zoll | 3 Zoll, 4 Zoll |
| Wellenlänge | 7xx~9xx nm | 905 nm/940 nm | 1392 nm/1580 nm/1653 nm | 6xx nm/810 nm |
| Macht | >30W | 2W-80W | 10mW-500mW | — |
Der Reflektor des VCSEL-Lasers besteht aus einem abwechselnden Stapel von zwei Materialien mit unterschiedlichen Brechungsindizes für Hunderte von Schichten, bekannt als Bragg-Reflektor (DBR). Der Resonanzhohlraum wird in der Mitte der Epitaxieschichten hergestellt und das Licht wird von der Oberfläche des photonischen Wafers emittiert. Somit wird VCSEL mit den Merkmalen eines kleinen Emissionswinkels, eines kreisförmigen Flecks und einer niedrigen Schwelle hergestellt und kann in ein Array integriert werden, das häufig in der mobilen 3D-Gesichtserkennung, Industrierobotern, autonomen Fahr-LiDARs für Automobile usw. verwendet wird. Kantenemission GaAs-basierte FP-Laser werden hauptsächlich in Anwendungen wie Laseranzeige (650 FP), Laser-Haarentfernung (810 FP), Automobil-Lidar (905 FP) und Faserlaser-Pumpquellen (808/915/976 FP) eingesetzt.
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