Dengan evolusi berterusan aplikasi telekomunikasi optik dan peranti opto-elektronik ke arah kelajuan tinggi dan prestasi tinggi, kami mengikuti rapat permintaan pasaran dalam wafer epitaxial fotonik untuk aplikasi optoelektronik berkelajuan tinggi dan mewah.PAM-XIAMENboleh menyediakan satu siri wafer epitaxial fotonik berasaskan semikonduktor kompaun, yang boleh digunakan sebagai bahan cip optoelektronik utama untuk aplikasi seperti pembinaan infrastruktur rangkaian jalur lebar dalam komunikasi gentian optik, komunikasi data, dan penderiaan 3D dan lain-lain. Parameter khusus adalah seperti berikut :

1. Komunikasi Gentian OptikWafer Epitaxial

Mengikut fungsinya yang berbeza, wafer epi fotonik untuk komunikasi optik boleh dibahagikan kepada epiwafer laser, epiwafer pengesan, dsb.

1.1 Wafer Epitaxial untuk Laser

Wafer laser semikonduktor yang dibekalkan termasuk Distributed Feedback Laser (DFB), Electroabsorption-modulated Laser (EML) dan Fabry Perot (FP), dengan panjang gelombang antara 1270nm hingga 1610nm. Maklumat tambahan sebagai:

Wafer epitaxial fotonik ini boleh digunakan dalam GPON (Rangkaian Optik Pasif keupayaan Gigabit), XGPON (Rangkaian Optik Pasif berkeupayaan 10 Gigabit), XGSPON (Rangkaian Optik Pasif Symmetrical 10 Gigabit), dan FTTR (Serat ke Bilik), CWDM/DWDM ( Pemultipleksan Bahagian Panjang Gelombang Kasar/Pemultipleksan Bahagian Panjang Gelombang Padat), BIDI (Arah Bi) dan komunikasi gentian optik lain.

Wafer epitaxial DFB ditanam dengan telaga kuantum berbilang AlGaInAs dan InGaAsP. Teknologi parut termasuk parut holografik, pencetakan nano, dan pendedahan pancaran elektron, yang boleh memenuhi keperluan produk yang berbeza. Wafer epitaxial EML menyepadukan laser DFB dan kawasan penyerapan termodulat elektrik, yang mempunyai ciri lebar jalur yang tinggi, kicauan rendah, nisbah kepupusan modulasi tinggi dan struktur padat. Rantau penyerapan termodulat elektrik mengguna pakai SAG dan teknologi pertumbuhan sendi punggung. Selain itu, PAM-XIAMEN juga menawarkan penyelesaian untuk wafer epitaxial DFB sudut perbezaan kecil, pertumbuhan epitaxial heterojunction (BH) DFB terkubur, pertumbuhan epitaxial pandu gelombang pasif dok, dan wafer epitaxial kurungan separuh penebat (InP: Fe) untuk memenuhi permintaan wafer epitaksi tinggi- fabrikasi cip laju.

1.2Wafer Epitaxialuntuk Pengesan

Wafer epitaxial fotonik semikonduktor yang kami bekalkan adalah untuk MicroPulse DIAL (MPD), Avalanche Photodiode (APD), dan PIN meliputi panjang gelombang antara 650nm hingga 1700nm. Ia sesuai untuk komunikasi optik seperti GPON, XGPON, dan XGSPON. Parameter khusus adalah seperti berikut:

Prinsip kerja PD ialah persimpangan PN pengesan foto membentuk medan elektrik dalaman; Kemudian, suntikan cahaya ke dalam semikonduktor menjana pasangan lubang elektron, dan di bawah tindakan medan elektrik, simpang PN menjana arus foto arah; Arus foto dieksport sebagai isyarat keluaran. Pengesan foto biasanya memerlukan epiwafer dengan kepekaan yang tinggi, kadar tindak balas yang tinggi, arus gelap yang rendah dan kebolehpercayaan yang tinggi. Untuk menguatkan arus foto yang diterima dan meningkatkan sensitiviti pengesanan, APD dengan kesan pendaraban salji digunakan. Kami telah menyediakan pengeluaran besar-besaran yang stabil bagi produk pengesan foto selama bertahun-tahun dan boleh menyediakan perkhidmatan penyebaran zink untuk anda.

2. Wafer Epitaxial Pusat Data

Struktur epi untuk pusat data kebanyakannya ditanam pada substrat GaA dan InP:

2.1 Wafer Epitaxial InP

Wafer epitaxial yang ditanam pada substrat InP terutamanya terdiri daripada pemancar tepi DFB, laser EML, dan epitaksi fotonik silikon, dengan kelajuan melebihi 25Gb/s dan panjang gelombang 1270nm, 1310nm, 1330nm, dsb., yang boleh memenuhi keperluan penghantaran 100G/400G /800G modul optik. Parameter khusus seperti di bawah:

2.2 Wafer Epitaxial GaAs

Wafer epitaxial berasaskan GaA yang kami tanam adalah terutamanya laser pemancar permukaan rongga menegak (VCSEL) dan PD GaAs, yang mempunyai panjang gelombang 850nm dan kadar modulasi lebih besar daripada 50Gb/s. Pertumbuhan epitaxial aplikasi fotonik boleh memenuhi permintaan penghantaran data jarak dekat di pusat data. Lagi sila lihat:

3. Wafer Epitaxial Fotonik untuk Penderiaan

Wafer fotonik epi yang dibekalkan untuk aplikasi industri atau penderiaan terutamanya ialah laser VCSEL 905/940nm berasaskan GaA dan laser FP 650-980nm. Maklumat lanjut sila rujuk jadual di bawah:

Reflektor laser VCSEL ditanam dengan timbunan berselang-seli dua bahan indeks biasan yang berbeza untuk beratus-ratus lapisan, dikenali sebagai pemantul Bragg (DBR). Rongga resonans dibuat di tengah-tengah lapisan epitaxial, dan cahaya dipancarkan dari permukaan wafer fotonik. Oleh itu, VCSEL direka dengan ciri-ciri sudut pancaran kecil, titik bulat, ambang rendah, dan boleh disepadukan ke dalam tatasusunan, digunakan secara meluas dalam pengecaman muka penderiaan 3D mudah alih, robot industri, LiDAR pemanduan autonomi untuk kereta, dsb. Pemancaran tepi Laser FP berasaskan GaAs digunakan terutamanya dalam aplikasi, seperti paparan laser (650 FP), laser penyingkiran rambut (810 FP), lidar automotif (905 FP) dan sumber pam laser gentian (808/915/976 FP).

Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.