Caractéristiques de gain et réponse aux impulsions optiques femtoseconde de QD-SOA multi-empilé en bande de 1 550 nm cultivé sur un substrat InP(311)B
Dans cet article, nous avons démontré le QD-SOA multi-empilé en bande de 155 nm développé par la technique de compensation de déformation sur unSubstrat InP(311)B, et évalué les caractéristiques fondamentales de gain et la réponse aux impulsions optiques femtoseconde, pour l'application à des dispositifs à portes logiques entièrement optiques ultra-rapides. La longueur du dispositif était de 1 650 µm et un gain maximum de 35 dB a été obtenu sous un courant d'injection de 500 mA. Nous avons également entré deux impulsions dupliquées femtosecondes en série dans le QD-SOA en modifiant la durée et avons observé les formes d'onde d'autocorrélation de sortie. En conséquence, le temps de transition effectif du porteur a été estimé à environ 1 ps.
- QD-SOA;
- Bande 1 550 nm;
- InP(311)B;
- Réponse aux impulsions optiques femtoseconde
SOURCE : SCIENCEDIRECT
PAM-XIAMEN can supply InP (311) substrate with specification as following:
| Material | InP |
| Diameter | 50.6±0.3mm |
| Thickness | 350±25um |
| Orientation | (311)0° |
| Growth Method | VGF |
| Conductivity | S-C-N |
| Dopant | S |
| OF Location/Length | EJ±0.5°/16±1mm |
| IF Location/Length | EJ±0.5°/7±1mm |
| Ingot CC | Min:2.00E+18/cm3 Max:8.00E+18/cm3 |
| Resistivity | Min:0.6E-03Ω.cm Max:2.5E-03Ω.cm |
| Mobility | Min:1000/cm2/V.s Max:2000/cm2/V.s |
| EPD | Ave:≤1000/cm2 |
| TTV/TIR | ≤10um |
| Bow | ≤10um |
| Warp | ≤15um |
| Edge Rounding | 0.250mmR |
| Surface Finish-front | Polished |
| Surface Finish-back | Etched |
| Particle Count | N/A |
| Epiready | Yes |
| Laser Marking | N/A |
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