Liaison de tranches de silicium complètes avec des films intermédiaires de dioxyde de titane et d'oxyde d'aluminium déposés sur une couche atomique

Plaquettes de silicium sur isolant (SOI) fabriqués par liaison directe de tranches sont largement utilisés comme substrats de départ pour la fabrication de systèmes microélectromécaniques (MEMS). Ajouter une autre couche à côté du SiO₂Le SOI, ou son remplacement par un autre matériau, sera un moyen d'adapter davantage les plaquettes SOI. Le dépôt de couche atomique (ALD) peut être utilisé pour déposer à basse température des films inorganiques conformes et lisses d'une épaisseur nanométrique sans trou d'épingle, ce qui le rend intéressant pour de nombreuses applications dans les MEMS. Dans ce travail, la liaison directe de tranche d'ALD TiO₂, et Al₂O₃à titre de référence, est étudié, éventuellement afin de fabriquer des tranches SOI avec des oxydes ALD enterrés. Trouver des conditions de traitement appropriées pour le TiO₂la liaison était difficile : la liaison n'a pas pu être réalisée pour le TiO₂déposé directement sur SiO₂ou Si, et le recuit à 1 100 °C a donné des couches non continues contenant du Ti. Utilisation d'un Al 2 nm₂O₃la sous-couche et le recuit à 700 °C ont donné une liaison sans vide avec du TiO continu₂et une force de liaison d'environ 1600 mJ/m², permettant la fabrication de plaquettes SOI avec du TiO enterré₂.

Mots clés

• • Dépôt de couche atomique;
  • ALD;
  • Collage de plaquettes;
  • Silicium sur isolant;
  • DONC JE;
  • Al₂O₃;
  • TiO₂

Source : Sciencedirect

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