Nous utilisons des cellules à triple jonction GaInP/GaAs/Ge fabriquées par une technique MOCVD et constituées de matériaux composés III-V de haute qualité qui offrent un rendement considérablement élevé. Par rapport aux cellules solaires conventionnelles, les cellules solaires multi-jonctions sont plus efficaces mais aussi plus coûteuses à fabriquer. Les cellules à triple jonction sont plus rentables. Ils sont utilisés dans les applications spatiales. Et maintenant, nous proposons une structure de plaquette épi GaInP/GaAs/Ge comme suit :
1. Spécification de la plaquette GaInP/GaAs/Ge Epi
| Épaisseur (euh) | ||||||
| Couche | Matériel | Taupe | Taupe | Taper | Niveau CV (cm-3) | |
| Fraction (x) | Fraction (y) | |||||
| 15 | Gain(x)As | 0.016 | 0.2 | N | >5.00e18 | |
| 14 | Al(x)InP | 0.04 | N | 5h00E+17 | ||
| 13 | Gain(x)P | 0.1 | N | 2h00E+18 | ||
| 12 | Gain(x)P | 0.5 | P | |||
| 11 | AlIn(x)P | 0.1 | P | |||
| 10 | Al(x)GaAs | 0.015 | P | |||
| 9 | AsGa | 0.015 | N | |||
| 8 | Gain(x)P | 0.554 | 0.1 | N | ||
| 7 | Gain(x)As | 0.016 | 0.1 | N | ||
| 6 | Gain(x)As | 0.016 | 3 | P | 1-2e17 | |
| 5 | Gain(x)P | 0.554 | 0.1 | P | 1-2e18 | |
| 4 | Al(x)GaAs | 0.4 | 0.03 | P | 5h00E+19 | |
| 3 | AsGa | 0.03 | N | 2h00E+19 | ||
| 2 | Gain(x)As | 0.016 | 0.5 | N | 2h00E+18 | |
| 1 | Gain(x)P | 0.554 | 0.06 | N |
Nous proposons également des plaquettes épi de cellules solaires InGaP/GaAs à simple et double jonction, avec différentes structures de couches épitaxiales (AlGaAs, InGaP) cultivées sur GaAs pour les applications de cellules solaires, veuillez cliquer surPlaquette Epi InGaP/GaAs pour cellule solaire
2. DRX de GaInP/GaAs/Ge Wafer
Les figures a, b montrent la DRX de la qualité cristalline de la tranche GaInP/GaAs/Ge.
a.
b.
SOURCE : PAM-XIAMEN
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par email àvictorchan@powerwaywafer.cometpowerwaymaterial@gmail.com.