Struktur Fotodiod InGaAs

Struktur Fotodiod InGaAs

Bahan semikonduktor sebatian ternary DalamxGa1-xAs ialah larutan pepejal campuran yang dibentuk oleh GaAs dan InAs. Ia adalah struktur sphalerite dan tergolong dalam semikonduktor celah jalur langsung. Jalur tenaganya berubah dengan perubahan aloi dan boleh digunakan untuk membuat pelbagai peranti fotoelektrik, seperti HBT, HEMT, FET, dll. Lebar jurang jalur InxGa1-xSeperti daripada 0.35eV(3.5μm) InAs kepada 1.42eV(0.87μm) GaAs. Di dalamnya, lebar jurang In0.53Ga0.47Seperti yang dipadankan dengan kekisi substrat InP ialah 0.74eV(1.7μm), yang telah digunakan secara meluas dalam jalur 0.9 ~ 1.7μm, seperti komunikasi gentian optik, penglihatan malam dan sebagainya.Kami mampu menyediakanwafer epitaxialuntuk fabrikasi fotodiod InGaAs.Struktur epi fotodiod InGaAs / InP terperinci adalah seperti berikut:

wafer fotodiod InAs

1. Struktur Tindanan Fotodiod InP / InGaAs

Pada masa ini, peranti berdasarkan tatasusunan fotodiod InGaAs terutamanya mempunyai dua struktur berbeza: jenis mesa dan jenis planar. Kami boleh mengembangkan kedua-dua jenis struktur epitaxial di bawah untuk fabrikasi cip fotodiod InGaAs.

1.1 Struktur Epitaksi untuk Membuat Fotodiod PIN Mesa InGaAs

Timbunan Peranti Mesa InGaAs / InP (PAM190304-INGAAS)

Lapisan Epi ketebalan
p-InGaAs
i-InGaAs
lapisan penimbal n-InP 0.3-0.7um
Substrat InP  

 

1.2 Struktur Epitaksi untuk Membuat Fotodiod Planar InGaAs

Timbunan Peranti Planar InGaAs (PAM190304-INGAAS)

Lapisan Epi ketebalan
lapisan kenalan i-InGaAs
lapisan topi n-InP 0.9-1um
lapisan antara muka n-InGaAs (pilihan)
i-InGaAs
lapisan penimbal n-InP
n jenis substrat InP  

 

2. Apakah Struktur Mesa dan Struktur Planar Wafer Fotodiod InGaAs?

Transistor jenis Mesa (diod dan triod) adalah relatif kepada transistor planar, dan strukturnya muncul sebagai bentuk Mesa, jadi ia adalah apa yang dipanggil struktur mesa. Struktur Mesa boleh menghilangkan bahagian lenturan simpang PN dalam struktur satah, supaya simpang PN itu berserenjang dengan permukaan sisi wafer semikonduktor. Medan elektrik permukaan persimpangan PN adalah agak rendah, yang boleh memastikan bahawa pecahan persimpangan PN pada dasarnya adalah pecahan runtuhan salji dalam badan, mengelakkan pecahan permukaan yang lebih rendah, untuk meningkatkan prestasi rintangan voltan peranti.

Struktur mesa biasanya diperoleh dengan mengisar atau menggilap, tetapi dalam proses pembuatan cip fodiod InGaAs hari ini selalunya boleh dicapai dengan mengalur atau mengetsa pada struktur P+-i-N+ yang didopkan di situ.

Walau bagaimanapun, peranti planar adalah berdasarkan struktur Ni-N+ InGaAs / InP melalui kaedah implantasi ion atau resapan untuk membentuk persimpangan PN. Kelebihan kaedah ini ialah PN tertanam dalam bahan, diasingkan dari luar supaya arus gelap dan bunyi agak kecil.

powerwaywafer
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel di[email protected] dan [email protected].

Kongsi catatan ini