Изготовление монокристаллических МЭМС 6H-SiC на основе технологии «умной резки»

Изготовление монокристаллических МЭМС 6H-SiC на основе технологии «умной резки»

Новый монокристаллКарбид кремния(SiC) Процесс изготовления МЭМС разработан с использованием технологии Smart Cut протонной имплантации. А6H-SiCПо предложенной методике на подложке из окисленного кремния получен слой толщиной 1,3 мкм. ПЭМ-анализ тонкой пленки карбида кремния выявил характеристики монокристалла, что привлекательно для потенциальной интеграции устройств MEMS с высокотемпературной микроэлектроникой в ​​одном структурном слое для применения в суровых условиях окружающей среды. Плотность имплантационных дефектов в карбиде кремния можно существенно снизить до незначительного уровня за счет высокотемпературного отжига. Монокристалл-прототип 6Н-SiCУстройства MEMS, такие как тензодатчики, были успешно изготовлены в качестве демонстрационных средств для будущего внедрения микросистем в суровых условиях.

Источник: IOPscience

Для получения дополнительной информации посетите наш сайт:https://www.powerwaywafer.com,

отправьте нам электронное письмо по адресу[email protected] или [email protected]