Ge (германий) монокристаллы и Вафли

Ge (Германий) монокристаллы и вафли

PAM-XIAMEN предлагает германиевые пластины размером 2, 3, 4 и 6 дюймов, что является сокращением от пластины Ge, выращенной с помощью VGF / LEC. Слаболегированные германиевые пластины P- и N-типа также могут быть использованы для экспериментов с эффектом Холла. При комнатной температуре кристаллический германий хрупок и мало пластичен. Германий обладает полупроводниковыми свойствами. Германий высокой чистоты легируют трехвалентными элементами (такими как индий, галлий, бор) для получения германиевых полупроводников P-типа; и пятивалентные элементы (такие как сурьма, мышьяк и фосфор) легируют для получения германиевых полупроводников N-типа. Германий обладает хорошими полупроводниковыми свойствами, такими как высокая подвижность электронов и высокая подвижность дырок.
  • Описание

Описание продукта

Single Crystal Germanium Wafer

PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.

1. Properties of Germanium Wafer

1.1 General Properties of Germanium Wafer

General  Properties Structure Кубический, а = 5,6754 Å
Плотность: 5,765 г / см3
Температура плавления: 937,4 ° С
Теплопроводность: 640
Технология выращивания кристаллов Чохральского
Допинг доступен нелегированный Сб Допинг Допинг в или га
Проводящий тип / N P
Удельное сопротивление, Ом.см >35 <0,05 0,05 - 0,1
EPD <5 × 103 / см2 <5 × 103 / см2 <5 × 103 / см2
<5 × 102 / см2 <5 × 102 / см2 <5 × 102 / см2

 

1.2 Grades and Application of Germanium wafer

Электронный класс Используется для диодов и транзисторов,
Инфракрасный или оптический класс Используется для ИК оптического окна или дисков, оптических компонентов
Клеточный класс Используется для подложек солнечных элементов

 

1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

Кристаллическая ориентация <111>, <100> и <110> ± 0,5o или пользовательская ориентация
Хрустальный буль как выращенный 1 ″ ~ 6 ″ диаметр х 200 мм длина
Стандартный бланк как резать 1 ″ х 0,5 мм 2 "x0.6mm 4 "x0.7mm 5 "и 6" x0.8mm
Стандартная полированная вафля (полированная с одной / двух сторон) 1 ″ х 0,30 мм 2 "x0.5mm 4 "x0.5mm 5 "и 6" x0.6mm
  • Special size and orientation are available upon requested Wafers

2. Specification of Germanium Wafer

2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size

Пункт Технические условия Замечания
Метод роста VGF
Проводимость Тип n-тип, р-тип, нелегированный  
добавка Галлий или Сурьма
вафли Diamter 2, 3,4 и 6 дюймовый
Кристаллическая ориентация (100), (111), (110)
Толщина 200 ~ 550 гм
О EJ или США
Концентрация носителей запрос на клиентов  
Удельное сопротивление при комнатной температуре (0,001 ~ 80) Ohm.cm
Etch Pit Плотность <5000 / см2
Лазерная маркировка по требованию
Чистота поверхности Р / Е или Р / Р
Эпи готов Да
Пакет Один вафельный контейнер или кассета

 

2.2 Germanium Wafer for Solar Cell

Спецификация вафли Ge 4 дюймов для солнечных батарей -
Легирование P -
Легирующие вещества Ge-Ga -
Диаметр 100 ± 0,25 мм -
Ориентация (100) 9 ° в сторону <111> +/- 0,5
Угол наклона вне ориентации N / A -
Первичная плоская Ориентация N / A -
Первичная плоская Длина 32 ± 1 мм
Secondary Квартира Ориентация N / A -
Вторичная плоская Длина N / A мм
куб.см (0.26-2.24) Е18 / куб.см
удельное сопротивление (0.74-2.81) Е-2 ohm.cm
Electron Mobility 382-865 см2 / против
EPD <300 / см2
Лазерная Марка N / A -
Толщина 175 ± 10 мкм
TTV <15 мкм
МДП N / A мкм
ЛУК <10 мкм
деформироваться <10 мкм
На лицевой стороне Полированные -
Заднее лицо земля -

 

2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)

PAM180212-GE

Пункт DSP Ge Wafer
Dia 4”
Толщина 1.50mm +/- 0.10mm
Ориентация N / A
Conductivity N / A
удельное сопротивление N / A
Surface Process Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture
Other Parameters 60-40 scratch-dig or better
Less than 2 arc minutes parallelism
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture

 

2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM170213-GE)

4″ Germanium wafer with low plasma frequency, undoped ,175µm+/-25um. (100), single side polished.

3. Germanium Wafer Process

With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) Высокочистый германий получается при рафинировании зоны.
2) кристалл германия получают методом Чохральского.
3) Германиевая пластина изготавливается в несколько этапов резки, шлифования и травления.
4) Вафли очищены и осмотрены. Во время этого процесса пластины полируются с одной стороны или с двойной стороны в соответствии с пользовательскими требованиями, поставляется эпи-готовая пластина.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

4. Application of Germanium:

Заготовка или окно из германия используются в решениях ночного видения и термографических изображений для обеспечения коммерческой безопасности, пожаротушения и промышленного оборудования для мониторинга. Также они используются в качестве фильтров для аналитического и измерительного оборудования, окон для дистанционного измерения температуры и зеркал для лазеров.

Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.

5. Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

 

 

 

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте на[email protected]и[email protected]

 

Ge Wafer Supplier

P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell

Germanium Substrate for Optics and Epi-growth

As-cut Germanium (Ge) Window

Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth

Германий (Ge) слиток

Монокристаллическая пластина германия с ориентацией (110) в сторону <111>

Метод определения плотности дислокаций монокристаллического германия

Вам также может понравиться ...