InP пластины
PAM-XIAMEN предлагает пластины VGF InP (фосфид индия) основного или тестового класса, включая низколегированные, N-типа или полуизолирующие. Подвижность пластин InP различна для разных типов: низколегированная пластина> = 3000 см2/Вс, тип N>1000 или 2000 см2В·с (зависит от различной концентрации легирования), тип P: 60+/-10 или 80+/-10 см2. /Vs (зависит от различной концентрации легирования Zn) и полуоскорбительного > 2000 см2/Vs, EPD фосфида индия обычно ниже 500/см2.
- Описание
Описание продукта
InP пластины
PAM-XIAMEN, a leading InP wafer supplier, offers Compound Semiconductor InP wafer – Indium Phosphide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) or VGF(Vertical Gradient Freeze) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating. The InP wafer orientation (111) or (100) is available. And the dopants can be Sulphur, Sn(Tin), Zinc or customs. The Laser Mark as specified on backside of InP wafer along with primary flat. The orientation with slight deflection angle is available, such as (100)0.075° towards [110]]±0.025°.
Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. It has a face-centered cubic (“zinc blende”) crystal structure, identical to that of GaAs and most of the III-V semiconductors. Indium phosphide can be prepared from the reaction of white phosphorus and indium iodide [clarification needed] at 400 °C., also by direct combination of the purified elements at high temperature and pressure, or by thermal decomposition of a mixture of a trialkyl indium compound and phosphide. Indium phosphide wafers are used in high-power and high-frequency electronics [citation needed] because of the superior electron velocity with respect to the more common semiconductors silicon and gallium arsenide. The InP wafer size we can offer is 2”, 3” and 4”, and the InP wafer thickness will be 350~625um.
Вот спецификация деталь:
| Пункт | Технические характеристики | |||
| добавка | N-типа | N-типа | Р-типа | SI-type |
| Тип проводимости | низколегированный | Sulphur | цинк | lron |
| Диаметр пластины | 2 " | |||
| Ориентация пластины | (100) ± 0,5 ° | |||
| Толщина пластины | Min：325 Max：375 | |||
| Основная плоская длина | 16 ± 2 мм | |||
| Вторичная плоская длина | 8 ± 1 мм | |||
| Концентрация носителя | 3×1016cm-3 | (0.8-6)x1018cm-3 | (0.6-6)x1018cm-3 | N/A |
| Мобильность | (3.5-4)x103cm2/V.s | (1.5-3.5)x103cm2/V.s | 50-70×103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| Удельное сопротивление | N/A | N/A | N/A | N/A |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1×103cm-2 | <5×103cm-2 |
| TTV | <10um | |||
| ЛУК | <10um | |||
| WARP | <12 мкм | |||
| Лазерная маркировка | по требованию | |||
| Отделка поверхности | Р / Е, Р / Р | |||
| Эпи готов | да | |||
| Пакет | Одиночный вафельный контейнер или кассета | |||
2″ P Type InP Wafer Specification
| Пункт | параметр | UOM |
| Материал | InP | |
| Conduct Type/Dopant | S-C-P/Zn | |
| класс | Prime | |
| Диаметр: | 50.5±0.4 | mm |
| Ориентация: | (100) ± 0,5 ° | |
| Orientation Angle: | / | |
| Thickness: | Min：325 Max：375 | um |
| Carrier Concentration: | Min：0.6E18 Max：3E18 | см-3 |
| Resistivity: | Min：/ Max：/ | ohm.cm |
| Мобильность: | Min：/ Max：/ | см-2/V.sec |
| EPD: | Ave＜：1000 Max＜：/ | см-2 |
| TTV: | Max：10 | um |
| TIR: | Max：10 | um |
| BOW: | Max：10 | um |
| Warp: | Max：15 | um |
| Flat Option: | EJ | |
| Primary Flat Orientation: | (0-1-1) | |
| Primary Flat Length: | 16±1 | mm |
| Secondary Flat Orientation: | (0-11) | |
| Secondary Flat Length: | 7±1 | mm |
| Suface: | Side 1:Polished Side 2:etched | |
| Скругление кромок | 0.25(Conform to SEMI Standards) | mmR |
| Particle Count: | / | |
| Пакет | individual container filled with N2 | |
| Epi-ready | Да | |
| Лазерная маркировка | Back side major flat | |
| Remark: | Special specifications will be discussed separately | |
3″ InP Wafer Specification
| Пункт | Технические характеристики | |||
| добавка | N-типа | N-типа | Р-типа | SI-type |
| Тип проводимости | low doped | Sulphur | цинк | lron |
| Диаметр пластины | 3 " | |||
| Ориентация пластины | (100) ± 0,5 ° | |||
| Толщина пластины | 600 ± 25 мкм | |||
| Основная плоская длина | 16 ± 2 мм | |||
| Вторичная плоская длина | 8 ± 1 мм | |||
| Концентрация носителя | ≤3×1016cm-3 | (0.8-6)x1018cm-3 | (0.6-6)x1018cm-3 | N/A |
| Мобильность | (3.5-4)x103cm2/V.s | (1.5-3.5)x103cm2/V.s | 50-70×103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| Удельное сопротивление | N/A | N/A | N/A | N/A |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1×103cm-2 | <5×103cm-2 |
| TTV | <12 мкм | |||
| ЛУК | <12 мкм | |||
| WARP | <15 мкм | |||
| Лазерная маркировка | по требованию | |||
| Отделка поверхности | Р / Е, Р / Р | |||
| Эпи готов | да | |||
| Пакет | Одиночный вафельный контейнер или кассета | |||
4″ InP Wafer Specification
| Пункт | Технические характеристики | |||
| добавка | N-типа | N-типа | Р-типа | SI-type |
| Тип проводимости | низколегированный | Sulphur | цинк | lron |
| Диаметр пластины | 4 " | |||
| Ориентация пластины | (100) ± 0,5 ° | |||
| Толщина пластины | 600 ± 25 мкм | |||
| Основная плоская длина | 16 ± 2 мм | |||
| Вторичная плоская длина | 8 ± 1 мм | |||
| Концентрация носителя | ≤3×1016cm-3 | (0.8-6)x1018cm-3 | (0.6-6)x1018cm-3 | N/A |
| Мобильность | (3.5-4)x103cm2/V.s | (1.5-3.5)x103cm2/V.s | 50-70×103cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| Удельное сопротивление | N/A | N/A | N/A | N/A |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1×103cm-2 | <5×103cm-2 |
| TTV | <15 мкм | |||
| ЛУК | <15 мкм | |||
| WARP | <15 мкм | |||
| Лазерная маркировка | по требованию | |||
| Отделка поверхности | Р / Е, Р / Р | |||
| Эпи готов | да | |||
| Пакет | Одиночный вафельный контейнер или кассета | |||
PL(Photoluminescence) Test of фосфида индия Wafer
We measure InP wafers by Peak Lambda, Peak int, and FWHM, the spectra mapping is as follows:
About InP Wafer Application
As a new type of compound semiconductor material, InP wafer market share is increasing gradually. Due to the excellent indium phosphide properties, the performance of microwave power source devices, microwave amplifiers and gate FETs fabricated on InP material will be better than those fabricated on existing gallium arsenide materials. Indium phosphide heterojunction lasers are also extremely promising light sources in optical fiber communications.
InP wafer fabrication for devices, like growing millimeter wave microelectronic devices and optoelectronic device materials for optical fiber communications, is widely used. With the continuous improvement of device performance and the reduction of device size, the quality requirements for indium phosphide wafers are getting higher and higher. Therefore, the InP wafer process is optimizing gradually.
The the typical values is see below data:
| Peak Lambda(nm) | Peak Int | FWHM(nm) |
| 1279.4 | 7.799 | 48.5 |
| 1279.8 | 5.236 | 44.6 |
Вам также может понравиться ...
-
GaAs (арсенид галли) Вафли
Являясь ведущим поставщиком подложек GaAs, компания PAM-XIAMEN производит подложки вафельных пластин GaAs (арсенида галлия) Epi-ready, включая полупроводниковые n-типа, полупроводники с легированием C и p-типа высшего качества и фиктивного качества. Удельное сопротивление подложки GaAs зависит от легирующих примесей: легированная Si или легированная Zn составляет (0,001 ~ 0,009) Ом·см, легированная C составляет >= 1E7 Ом·см. Ориентация кристаллов пластины GaAs должна быть (100) и (111). Для ориентации (100) отклонение может составлять 2°/6°/15°. EPD пластины GaAs обычно составляет <5000/см2 для светодиодов или <500/см2 для светодиодов или микроэлектроники.
-
Корпусная GaN-подложка
РАМ-СЯМЫНЬ установила технологии изготовления для автономных (нитрид галлия) GaN-подложка пластины, которая является для UHB-LED и LD. Выращенный по технологии гидридной эпитаксии из паровой фазы (HVPE), Наша GaN-подложка имеет низкую плотность дефектов.
-
InAs вафельные
PAM-XIAMEN предлагает составные полупроводниковые пластины InAs - пластины арсенида индия, которые выращены LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) как готовые к эпиляции или механические сорта с n-типом, p-типом или полуизолирующими в различной ориентации (111) или (100). Кроме того, монокристалл InAs обладает высокой подвижностью электронов и является идеальным материалом для изготовления приборов Холла.
-
GaP Wafer – временно не может быть предложен
PAM-XIAMEN предлагает составную полупроводниковую пластину GaP - пластину фосфида галлия, выращенную LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) как готовую к эпиляции или механическую чистоту с n-типом, p-типом или полуизолирующими в различной ориентации (111) или (100). -
Ge (германий) монокристаллов и Вафли
PAM-XIAMEN предлагает германиевые пластины размером 2, 3, 4 и 6 дюймов, что является сокращением от Ge, выращенного VGF / LEC. Слабо легированные германиевые пластины P и N типов также могут быть использованы для эксперимента с эффектом Холла. При комнатной температуре кристаллический германий хрупок и малопластичен. Германий обладает полупроводниковыми свойствами. Германий высокой чистоты легируют трехвалентными элементами (например, индием, галлием, бором) для получения германиевых полупроводников Р-типа; и пятивалентные элементы (такие как сурьма, мышьяк и фосфор) легируются для получения германиевых полупроводников N-типа. Германий обладает хорошими полупроводниковыми свойствами, такими как высокая подвижность электронов и высокая подвижность дырок. -
SiC эпитаксии
Мы предлагаем пользовательские тонкую пленку из карбида кремния (SiC) эпитаксии на 6H или 4H субстратов для развития карбида кремния устройств. SiC, эпите пластины в основном используются для диодов Шоттки, металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов, эффект перехода поля -
InSb вафельные
PAM-XIAMEN предлагает составную полупроводниковую пластину InSb - пластину антимонида индия, выращенную LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) как готовую к эпиляции или механическую чистоту с n-типом, p-типом или полуизолирующими в различной ориентации (111) или (100). Антимонид индия, легированный изоэлектронами (такими как легирование N), может снизить плотность дефектов в процессе производства тонких пленок антимонида индия.
-
GaSb вафельные
PAM-XIAMEN предлагает составные полупроводниковые пластины GaSb — антимонид галлия, выращенные LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) как готовые к эпиляции или механические сорта с n-типом, p-типом или полуизолирующие в различной ориентации (111) или (100).
