Пластины InP (фосфид индия) простого или тестового класса, включая нелегированные, N-типа или полуизолирующие.

InP пластина

PAM-XIAMEN предлагает пластины VGF InP (фосфид индия) основного или тестового класса, включая низколегированные, N-типа или полуизолирующие. Подвижность пластин InP различна для разных типов: низколегированная пластина> = 3000 см2/Вс, тип N>1000 или 2000 см2В·с (зависит от различной концентрации легирования), тип P: 60+/-10 или 80+/-10 см2. /Vs (зависит от различных концентраций легирования Zn) и полуоскорбительного > 2000 см2/Vs, EPD фосфида индия обычно ниже 500/см2.

Описание

Описание

InP пластины

PAM-XIAMEN, ведущий поставщик пластин InP, предлагает пластины InP Compound Semiconductor –Фосфид индиякоторые выращиваются с помощью LEC (жидко-инкапсулированная жидкость Чохральского) или VGF (вертикальная градиентная заморозка) как эпи-готовые или механические сорта с типом n, типом p или полуизолирующими. Доступна ориентация пластины InP (111) или (100). А легирующими добавками могут быть сера, олово (олово), цинк или таможня. Лазерная метка, как указано, на обратной стороне пластины InP вместе с основной плоскостью. Возможна ориентация с небольшим углом отклонения, например (100)0,075° в сторону [110]]±0,025°.

Фосфид индия (InP) представляет собой бинарный полупроводник, состоящий из индия и фосфора. Он имеет гранецентрированную кубическую («цинковую обманку») кристаллическую структуру, идентичную структуре GaAs и большинства полупроводников III-V классов. Фосфид индия можно получить реакцией белого фосфора и йодида индия [необходимы пояснения] при 400 °С, а также прямым соединением очищенных элементов при высокой температуре и давлении или термическим разложением смеси триалкилового соединения индия. и фосфид. Пластины фосфида индия используются в мощной и высокочастотной электронике из-за более высокой скорости электронов по сравнению с более распространенными полупроводниками кремнием и арсенидом галлия. Размер пластин InP, которые мы можем предложить, составляет 2, 3 и 4 дюйма, а толщина пластин InP будет 350 ~ 625 мкм.

Вот подробная спецификация:

Спецификация 2-дюймовой пластины InP

Пункт	Технические характеристики
добавка	N-типа	N-типа	Р-типа	SI-тип
Тип проводимости	низколегированный	сера	цинк	железо
Диаметр пластины	2 "
Ориентация пластины	(100) ± 0,5 °
Толщина пластины	Мин: 325 Макс: 375
Основная плоская длина	16 ± 2 мм
Вторичная плоская длина	8 ± 1 мм
Концентрация носителя	3×1016см-3	(0,8-6)х1018см-3	(0,6-6)х1018см-3	N / A
Мобильность	(3,5-4)x103см2/Вс	(1,5-3,5)x103см2/Вс	50-70×103см2/Вс	>1000 см2/Вс
Удельное сопротивление	N / A	N / A	N / A	N / A
EPD	<1000см-2	<500см-2	<1×103см-2	<5×103см-2
TTV	<10um
ЛУК	<10um
WARP	<12 мкм
Лазерная маркировка	по требованию
Отделка поверхности	Р / Е, Р / Р
Эпи готов	да
Пакет	Одиночный вафельный контейнер или кассета

2″ Спецификация пластины InP типа P

Пункт	параметр	UOM
Материал	InP
Тип проведения/допация	SCP/Zn
класс	простое число
Диаметр:	50,5±0,4	мм
Ориентация:	(100) ± 0,5 °
Угол ориентации:	/
Толщина:	Мин: 325 Макс: 375	гм
Концентрация носителей:	Мин: 0,6E18 Макс: 3E18	см^-3
Удельное сопротивление:	Мин:/ Макс:/	ohm.cm
Мобильность:	Мин:/ Макс:/	см^-2/В.сек
EPD:	Среднее＜:1000 Макс.＜:/	см^-2
TTV:	Макс: 10	гм
МДП:	Макс: 10	гм
ПОКЛОН:	Макс: 10	гм
Деформация:	Макс: 15	гм
Плоский вариант:	EJ
Первичная плоская ориентация:	(0-1-1)
Основная плоская длина:	16±1	мм
Вторичная плоская ориентация:	(0-11)
Вторичная плоская длина:	7±1	мм
Поверхность:	Сторона 1: полированная. Сторона 2: травленая.
Скругление кромок	0,25 (соответствует стандартам SEMI)	MMR
Количество частиц:	/
Пакет	индивидуальный контейнер, наполненный N₂
Эпи-готовый	Да
Лазерная маркировка	Задняя сторона основной квартиры
Примечание:	Специальные характеристики будут обсуждаться отдельно.

Спецификация 3-дюймовой пластины InP

Пункт	Технические характеристики
добавка	N-типа	N-типа	Р-типа	SI-тип
Тип проводимости	низколегированный	сера	цинк	железо
Диаметр пластины	3 "
Ориентация пластины	(100) ± 0,5 °
Толщина пластины	600 ± 25 мкм
Основная плоская длина	16 ± 2 мм
Вторичная плоская длина	8 ± 1 мм
Концентрация носителя	≤3×1016см-3	(0,8-6)х1018см-3	(0,6-6)х1018см-3	N / A
Мобильность	(3,5-4)x103см2/Вс	(1,5-3,5)x103см2/Вс	50-70×103см2/Вс	>1000 см2/Вс
Удельное сопротивление	N / A	N / A	N / A	N / A
EPD	<1000см-2	<500см-2	<1×103см-2	<5×103см-2
TTV	<12 мкм
ЛУК	<12 мкм
WARP	<15 мкм
Лазерная маркировка	по требованию
Отделка поверхности	Р / Е, Р / Р
Эпи готов	да
Пакет	Одиночный вафельный контейнер или кассета

Спецификация пластины InP 4 дюйма

Пункт	Технические характеристики
добавка	N-типа	N-типа	Р-типа	SI-тип
Тип проводимости	низколегированный	сера	цинк	железо
Диаметр пластины	4 "
Ориентация пластины	(100) ± 0,5 °
Толщина пластины	600 ± 25 мкм
Основная плоская длина	16 ± 2 мм
Вторичная плоская длина	8 ± 1 мм
Концентрация носителя	≤3×1016см-3	(0,8-6)х1018см-3	(0,6-6)х1018см-3	N / A
Мобильность	(3,5-4)x103см2/Вс	(1,5-3,5)x103см2/Вс	50-70×103см2/Вс	>1000 см2/Вс
Удельное сопротивление	N / A	N / A	N / A	N / A
EPD	<1000см-2	<500см-2	<1×103см-2	<5×103см-2
TTV	<15 мкм
ЛУК	<15 мкм
WARP	<15 мкм
Лазерная маркировка	по требованию
Отделка поверхности	Р / Е, Р / Р
Эпи готов	да
Пакет	Одиночный вафельный контейнер или кассета

Спецификация 6-дюймовой пластины InP, легированной S

Монокристаллическая пластина InP диаметром 6 дюймов (150 мм)(PAM07282026)
параметр	Значение
Диаметр	150±0,3 мм
Толщина	675±25ум
Метод роста	VGF
класс	Высший сорт (готов к Epi)
добавка	S
Ориентация	(100)Отклонение на 0,075° в сторону <110>±0,05°
Угол ориентации	225
Выемка	[010] ± 2°
Глубина выреза	1,00-1,25 мм
Угол выреза	89°-95°
CC	(2-8)E18/см³
Удельное сопротивление	N / A
Мобильность	≥1000 см²/В·с
ЭПД-АВЕ	≤2000/см²
TTV	≤10 мкм
МДП	≤10 мкм
Лук	≤15 мкм
деформироваться	≤15 мкм
Лазерная маркировка	Лицевая сторона возле выреза
Лицевая сторона	Полированные
Задняя грань	Полированные
Количество частиц	N / A

PL (фотолюминесцентный) тестФосфид индиявафля

Мы измеряем пластины InP по Peak Lambda, Peak int и FWHM, отображение спектра выглядит следующим образом:

картирование спектров пластины InP

О применении пластин InP

Доля рынка пластин InP, нового типа составного полупроводникового материала, постепенно увеличивается. Благодаря превосходным свойствам фосфида индия характеристики устройств СВЧ-источников питания, СВЧ-усилителей и полевых транзисторов затвора, изготовленных на материале InP, будут лучше, чем у тех, которые изготовлены на существующих материалах на основе арсенида галлия. Лазеры на гетеропереходе на фосфиде индия также являются чрезвычайно перспективными источниками света в волоконно-оптической связи.

Широко используется изготовление пластин InP для таких устройств, как растущие микроэлектронные устройства миллиметрового диапазона и материалы для оптоэлектронных устройств для волоконно-оптической связи. С постоянным улучшением характеристик устройств и уменьшением их размеров требования к качеству пластин фосфида индия становятся все выше и выше. Поэтому процесс изготовления пластин InP постепенно оптимизируется.

Типичные значения см. ниже: