12″ Silicon Wafers 300mm TOX ( Si Thermal Oxidation Wafer )
PAM-XIAMEN предлагает пластину из оксида кремния 300 мм и пластину из диоксида. Пластина из термического оксида кремния или пластина из диоксида кремния представляет собой пластину из чистого кремния с оксидным слоем, выращенным методом сухого или влажного окисления. Термический оксидный слой кремниевой пластины обычно выращивают в горизонтальной трубчатой печи, а диапазон температур оксида кремниевой пластины обычно составляет 900 ℃ ~ 1200 ℃. По сравнению с оксидным слоем CVD, оксидный слой кремниевой пластины имеет более высокую однородность, лучшую компактность, более высокую диэлектрическую прочность и лучшее качество.
- Description
Описание продукта
PAM-XIAMEN предлагает пластину из оксида кремния 300 мм и пластину из диоксида. Пластина из термического оксида кремния или пластина из диоксида кремния представляет собой пластину из чистого кремния с оксидным слоем, выращенным методом сухого или влажного окисления. Термический оксидный слой кремниевой пластины обычно выращивают в горизонтальной трубчатой печи, а диапазон температур оксида кремниевой пластины обычно составляет 900 ℃ ~ 1200 ℃. По сравнению с оксидным слоем CVD, оксидный слой кремниевой пластины имеет более высокую однородность, лучшую компактность, более высокую диэлектрическую прочность и лучшее качество.
1. Параметры пластины оксида кремния
| Параметры | Значение |
| Тип слитка | Выращено по методу Чохральского. |
| Диаметр, мм | 300 ± 0,2 |
| Срок службы пластин, мес. | 12 |
| Тип проводимости | P |
| добавка | B (бор) |
| Oxigen max, OLD-PPMA | 40 |
| Углерод, PPMA | 1 |
| Исключение краевой зоны, мм | 3 |
| Кристаллографическая ориентация | <100> |
| Отклонение ориентации поверхности от заданной кристаллографической плоскости, градусы | 0,5 |
| Удельное объемное сопротивление, Ом · см | 10-40 |
| Количество дислокаций, см-2 | 0 |
| Количество точечных дефектов травления, см-2 | 0 |
| Количество точечных окислительных дефектов, см -2 | 500 |
| Максимальное содержание железа в объеме, E10AT/CC | 10 |
| Первичный надрез | да |
| Расположение выемки | 110 |
| Размер надреза, мм | 2,3 |
| Форма выемки | V |
| Толщина пластины, мкм | 775±25 |
| Тип маркировки | лазер |
| Маркировка местоположения | задняя сторона |
| Кромочный профиль | ПО ПОЛУ Т/4 |
| Передние царапины | нет на месте |
| Суммарное изменение толщины пластин (TTV), мкм | 5 |
| Прогиб, мкм | 60 |
| Пластины окисляются до толщины, мкм | 0,1-1 |
| Количество частиц на поверхности крупнее 0,09 мкм | 50 |
| Загрязнение тыльной стороны | нет на месте |
| Содержание алюминия на поверхности, E10AT / CM2 | 1 |
| Поверхностное содержание кальция, E10AT / CM2 | 1 |
| Поверхностное содержание хрома, E10AT / CM2 | 1 |
| Поверхностное содержание меди, E10AT / CM2 | 1 |
| Поверхностное содержание железа, E10AT / CM2 | 1 |
| Поверхностное содержание калия, E10AT / CM2 | 1 |
| Поверхностное содержание натрия, E10AT / CM2 | 1 |
| Поверхностное содержание никеля, E10AT / CM2 | 1 |
| Поверхностное содержание цинка, E10AT / CM2 | 1 |
| Требования к точности плоскостности, мкм | 0,3 |
| Исключение краевой зоны при измерении плоскостности, мм | 3 |
Требования к упаковке:
| параметр | |
| Тип упаковки | MW300GT-A |
| Материал внутреннего контейнера | полиэтилен |
| Наружный упаковочный материал | Алюминий |
| Количество штук в одной упаковке | 25 |
| Возможность повторного использования | да |
2. Методы окисления
Сухое окисление и мокрое окисление являются наиболее важными методами выращивания кремния на оксидной пластине.
2.1 Кремниевая пластина сухого окисления
Кремний с сухим кислородным окислением реагирует с кислородом при температуре 850-1200 ℃, скорость роста кремниевых пластин термическим оксидом низкая, но качество хорошее, поэтому его можно использовать для выращивания МОП-изолированных затворов. Толщина оксида кремниевой пластины составляет 10–300 нм.
2.2 Пластина для окисления влажным кислородом
При высокой температуре водяной пар поступает в трубу печи и образует оксидный слой на поверхности кремниевой пластины. Плотность влажного кислородного окисления немного хуже, чем сухого кислородного окисления, но преимущество влажного кислородного окисления заключается в том, что оно имеет более высокую скорость роста, что подходит для роста пленки выше 500 нм. Емкость влажного окисления: 100 нм ~ 6 мкм.
Во время процесса окисления кремниевой пластины термическая пластина оксида кремния является отличным диэлектрическим слоем в качестве изолятора. Во многих устройствах на основе кремния термический оксидный слой играет важную роль в качестве слоя предотвращения легирования и поверхностного диэлектрика.
3. Часто задаваемые вопросы:
Не могли бы вы проверить, принимаете ли вы упаковку MW300GT-A, как на прикрепленном изображении?
— Да, пожалуйста.
упаковка MW300GT-A для 300-мм кремниевых пластин 300-мм TOX (кремниевая пластина термического окисления)
упаковка MW300GT-A для 300-мм кремниевых пластин 300-мм TOX (кремниевая пластина термического окисления)
PAM-XIAMEN может предложить вам технологию и поддержку пластин.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт:https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,
отправить нам письмо по адресуsales@powerwaywafer.comиpowerwaymaterial@gmail.com
2-дюймовые пластины монокристаллического кремния с изолирующим оксидом
2-дюймовая монокристаллическая кремниевая пластина с термическим оксидом 20 нм
4-дюймовые пластины монокристаллического кремния с изолирующим оксидом
4-дюймовая монокристаллическая кремниевая пластина с термооксидом 20 нм
6-дюймовые пластины монокристаллического кремния с изолирующим оксидом
6-дюймовая монокристаллическая кремниевая пластина с термооксидом 20 нм
2 ″ кремниевая оксидная пластина
Похожие продукты
-
Тест Вафли Вафли монитор пустышки вафельные
Как производитель фиктивных пластин, PAM-XIAMEN предлагает силиконовые фиктивные пластины / тестовые пластины / пластины для монитора, которые используются в производственном устройстве для повышения безопасности в начале производственного процесса и используются для проверки доставки и оценки технологической формы. Поскольку фиктивные кремниевые пластины часто используются для экспериментов и испытаний, их размер и толщина в большинстве случаев являются важными факторами. Доступна фиктивная вафля 100 мм, 150 мм, 200 мм или 300 мм.
-
Эпитаксиальный кремний вафельный
Кремниевая эпитаксиальная пластина (Epi Wafer) - это слой эпитаксиального монокристалла кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: он доступен для выращивания слоя поликристаллического кремния поверх высоколегированной однокристаллической кремниевой пластины, но он требуется буферный слой (например, оксид или поли-Si) между основной подложкой Si и верхним эпитаксиальным слоем кремния.Он также может использоваться для тонкопленочных транзисторов.
-
12 "Prime Grade Silicon вафельные
PAM-XIAMEN предлагает силиконовые пластины толщиной 300 мм (12 дюймов) высшего качества, типа n или p, а толщина кремниевых пластин 300 мм составляет 775 ± 15. По сравнению с другими поставщиками кремниевых пластин цена на кремниевые пластины Powerway Wafer более конкурентоспособна при более высоком качестве. Кремниевые пластины диаметром 300 мм имеют более высокий выход на пластину, чем проницаемые кремниевые пластины большого диаметра.
-
Полированный вафельные
PAM-XIAMEN может предложить полированные пластины n-типа или p-типа с ориентацией <100>, <110> или <111>. Полированные пластины FZ, в основном для производства кремниевого выпрямителя (SR), кремниевого управляемого выпрямителя (SCR), гигантского транзистора (GTR), тиристора (GRO)
-
12 "Test Grade Silicon вафельные
PAM-XIAMEN предлагает манекены с силиконовыми пластинами без покрытия 300 мм (12 дюймов), испытательного класса, n-типа или p-типа. По сравнению с другими поставщиками кремниевых пластин Powerway Wafer предлагает профессиональные услуги по конкурентоспособным ценам.
-
Float-Zone монокристаллического кремния
PAM-XIAMEN может предложить кремниевую пластину с плавающей зоной, которую получают методом плавающей зоны. Стержни из монокристаллического кремния получают путем выращивания в плавающей зоне, а затем обрабатывают стержни из монокристаллического кремния в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами в плавающей зоне. Поскольку кремниевая пластина зонной плавки не находится в контакте с кварцевым тиглем во время процесса кремния с плавающей зоной, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе плавки кремния с плавающей зоной. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, удельное сопротивление выше. Он подходит для производства силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.
-
Травление вафельные
Пластины для травления кремния, предлагаемые PAM-XIAMEN, представляют собой пластины для травления типа N или P, которые имеют низкую шероховатость, низкую отражательную способность и высокую отражательную способность. Пластина для травления имеет характеристики низкой шероховатости, хорошего блеска и относительно низкой стоимости и напрямую заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, что снижает затраты.
-
Cz монокристаллического кремния
PAM-XIAMEN, производитель объемного монокристаллического кремния, может предложить пластины монокристаллического кремния <100>, <110> и <111> с добавкой N&P размером 76,2 ~ 200 мм, выращенные методом CZ. Метод Чохральского - это метод выращивания кристаллов, называемый методом CZ. Он интегрирован в систему нагрева с прямыми трубками, нагревается за счет сопротивления графита, плавит поликремний, содержащийся в кварцевом тигле высокой чистоты, а затем вставляет затравочный кристалл в поверхность расплава для сварки. После этого вращающийся затравочный кристалл опускается и плавится. В тело проникают и прикасаются, постепенно поднимают и завершают или вытягивают через этапы шейки, шейки, плеча, контроля равного диаметра и завершения.
