Кремниевые пластины из влажного или сухого термического оксида/диоксида диаметром 300 мм (Si+SiO2)

12″ Silicon Wafers 300mm TOX ( Si Thermal Oxidation Wafer )

PAM-XIAMEN предлагает пластины оксида кремния и пластины диоксида диаметром 300 мм. Пластина термического оксида кремния или пластина диоксида кремния представляет собой голую кремниевую пластину с оксидным слоем, выращенным методом сухого или мокрого окисления. Слой термического оксида кремниевой пластины обычно выращивается в горизонтальной трубчатой печи, а диапазон температур оксида кремниевой пластины обычно составляет 900 ℃ ~ 1200 ℃. По сравнению с оксидным слоем CVD, оксидный слой кремниевой пластины имеет более высокую однородность, лучшую компактность, более высокую диэлектрическую прочность и лучшее качество.

Категория: Кремниевая пластина Метка: 12-дюймовые кремниевые пластины 300 мм TOX (кремниевая пластина термического окисления)

Description

Описание

1. Параметры пластины оксида кремния.

Параметры	Значение
Тип слитка	Выращено по методу Чохральского.
Диаметр, мм	300 ± 0,2
Срок годности вафель, мес.	12
Тип проводимости	п
добавка	B (бор)
Кислород макс, OLD-PPMA	40
Углерод, ППМА	1
Исключение краевой зоны, мм	3
Кристаллографическая ориентация	<100>
Отклонение ориентации поверхности от заданной кристаллографической плоскости, градусы	0,5
Объемное сопротивление, Ом·см	10-40
Число дислокаций, см-2	0
Количество точечных дефектов травления, см-2	0
Количество точечных окислительных дефектов, см-2	500
Максимальное содержание железа в объеме, Е10АТ/СС	10
Первичная выемка	да
Расположение выреза	110
Размер выреза, мм	2,3
Форма выемки	V
Толщина пластины, мкм	775±25
Тип маркировки	лазер
Место маркировки	задняя сторона
Краевой профиль	По ПОЛУ Т/4
Передние царапины	нет на месте
Общее изменение толщины пластины (TTV), мкм	5
Прогиб, мкм	60
Пластины оксидированы до толщины, мкм	0,1-1
Количество частиц на поверхности размером более 0,09 микрона	50
Загрязнение обратной стороны	нет на месте
Поверхностное содержание алюминия, E10AT/CM2	1
Содержание поверхности кальция, E10AT/CM2	1
Содержание поверхности хрома, E10AT/CM2	1
Содержание поверхности в меди, E10AT/CM2	1
Содержание поверхности железа, E10AT/CM2	1
Содержание поверхности калия, E10AT/CM2	1
Содержание поверхности Natrium, E10AT/CM2	1
Содержание поверхности никеля, E10AT/CM2	1
Содержание поверхности цинка, E10AT/CM2	1
Требования к точности плоскостности, микрон	0,3
Исключение краевой зоны при измерении плоскостности, мм	3

Требования к упаковке:

параметр
Тип упаковки	MW300GT-A
Материал внутреннего контейнера	полиэтилен
Внешний упаковочный материал	Алюминий
Количество предметов в одном пакете	25
Многоразовое использование	да

2. Методы окисления

Сухое окисление и влажное окисление являются наиболее важными методами выращивания кремния на оксидной пластине.

2.1 Сухое окисление кремниевая пластина

Кремний окисление кислорода реагирует с кислородом при температуре 850-1200 ℃, скорость роста теплового оксида кремниевые вафы низкая, но качество хорошее, поэтому его можно использовать для роста модулированных ворот MOS. Кремниевая толщина оксида пластина составляет 10 нм ~ 300 нм.

2.2 пластина с окислением влажного кислорода

При высокой температуре водяной пары используется для попадания в трубку печи и формировать слой оксида на поверхности кремниевой пластины. Плотность окисления влажного кислорода немного хуже, чем у сухого окисления кислорода, но преимущество окисления влажного кислорода состоит в том, что оно имеет более высокую скорость роста, что подходит для роста пленки выше 500 нм. Влажная способность окисления: 100 нм ~ 6um.

Во время процесса окисления кремниевой пластины пластина с оксидом теплового кремния является отличным диэлектрическим слоем в качестве изолятора. Во многих устройствах на основе кремния термо оксидный слой играет важную роль в качестве легирующего профилактического слоя и поверхностного диэлектрика.