Корпусная GaN-подложка

Описание продукта

Корпусная GaN-подложка

As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrate wafer  which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN-подложка for III-nitride devices has  low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.

In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.

Спецификация Корпусная GaN подложки

 Здесь показаны детали спецификации:

4″ N type Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

4″ N type Undoped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

4″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

2″ Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

2″ Undoped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

2″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

15 мм, 10 мм, 5 ммОтдельностоящаяGaN Субстрат

Примечание:

Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate

Применение GaN субстрата

Твердотельное освещение: устройства GaN используются в качестве ультра высокой яркости светодиодов (LED), телевизоров, автомобилей и общего освещения

DVD Storage: Blue laser diodes

Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites

Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth

Беспроводные базовые станции: РЧ транзисторы

Беспроводной широкополосный доступ: высокочастотный MMICs, RF-Circuits MMICs

Датчики давления: MEMS

Тепловые датчики: Pyro-электрические датчики

PАуэр Conditioning: Смешанный сигнал GaN / Si Интегрирование

Автомобильная электроника: Высокотемпературная электроника

Линии питания Трансмиссия: электроника высокого напряжения

Каркасные Датчики: УФ-детекторы

Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride

(InGaN) сплавы идеально подходят для создания материала солнечных элементов. Из-за это преимущество, солнечные батареи InGaN, выращенные на подложках GaN готовы стать одним из наиболее важных новых приложений и рост рынка для GaN подложки вафель.

Идеально для HEMTs, FETs