Корпусная GaN-подложка
РАМ-СЯМЫНЬ установила технологии изготовления для автономных (нитрид галлия) GaN-подложка пластины, которая является для UHB-LED и LD. Выращенный по технологии гидридной эпитаксии из паровой фазы (HVPE), Наша GaN-подложка имеет низкую плотность дефектов.
- Описание
Описание продукта
Корпусная GaN-подложка
As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrate wafer which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN-подложка for III-nitride devices has low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.
In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.
Спецификация Корпусная GaN подложки
Здесь показаны детали спецификации:
4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN100-N+ |
Проводимость Тип | N type/Si doped |
Размер | 4″(100)+/-1mm |
Толщина | 480+/-50 |
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o |
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o |
Первичная плоская Длина | 32+/-1mm |
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o |
Вторичная плоская Длина | 18+/-1mm |
Удельное сопротивление (300K) | <0.05Ω·cm |
Вывих Плотность | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ЛУК | <=+/-30um |
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Back Surface:1.Fine ground |
— | 2.Polished. |
Полезная площадь | ≥ 90 % |
4″ N Type Low Doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN100-N- |
Проводимость Тип | Тип N |
Размер | 4″(100)+/-1mm |
Толщина | 480+/-50 |
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o |
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o |
Первичная плоская Длина | 32+/-1mm |
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o |
Вторичная плоская Длина | 18+/-1mm |
Удельное сопротивление (300K) | <0.5Ω · см |
Вывих Плотность | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ЛУК | <=+/-30um |
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Back Surface:1.Fine ground |
— | 2.Polished. |
Полезная площадь | ≥ 90 % |
4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN100-SI |
Проводимость Тип | Semi-Insulating |
Размер | 4″(100)+/-1mm |
Толщина | 480+/-50 |
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o |
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o |
Первичная плоская Длина | 32+/-1mm |
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o |
Вторичная плоская Длина | 18+/-1mm |
Удельное сопротивление (300K) | >10^6Ω·cm |
Вывих Плотность | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ЛУК | <=+/-30um |
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Back Surface:1.Fine ground |
— | 2.Polished. |
Полезная площадь | ≥ 90 % |
2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
Проводимость Тип | N type/Si doped | |||
Размер | 2 "(50,8) +/- 1мм | |||
Толщина | 400+/-50 | |||
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o | |||
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o | |||
Первичная плоская Длина | 16 +/- 1мм | |||
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o | |||
Вторичная плоская Длина | 8 +/- 1мм | |||
Удельное сопротивление (300K) | <0.05Ω·cm | |||
Вывих Плотность | <5x106cm-2 | |||
FWHM | <=100arc.sec | |||
TTV | <= 15 мкм | |||
ЛУК | <=+/-20um | |||
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | |||
Back Surface:1.Fine ground | ||||
2.Polished. | ||||
Usable Area | ≥ 90 % |
2″ Low doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
Проводимость Тип | Тип N | ||||
Размер | 2 "(50,8) +/- 1мм | ||||
Толщина | 400+/-50 | ||||
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o | ||||
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o | ||||
Первичная плоская Длина | 16 +/- 1мм | ||||
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o | ||||
Вторичная плоская Длина | 8 +/- 1мм | ||||
Удельное сопротивление (300K) | <0.5Ω · см | ||||
Вывих Плотность | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15 мкм | ||||
ЛУК | <=+/-20um | ||||
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | ||||
Back Surface:1.Fine ground | |||||
2.Polished. | |||||
Usable Area | ≥ 90 % |
2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
Проводимость Тип | Semi-Insulating | ||||
Размер | 2 "(50,8) +/- 1мм | ||||
Толщина | 400+/-50 | ||||
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o | ||||
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o | ||||
Первичная плоская Длина | 16 +/- 1мм | ||||
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o | ||||
Вторичная плоская Длина | 8 +/- 1мм | ||||
Удельное сопротивление (300K) | >10^6Ω·cm | ||||
Вывих Плотность | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15 мкм | ||||
ЛУК | <=+/-20um | ||||
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | ||||
Back Surface:1.Fine ground | |||||
2.Polished. | |||||
Usable Area | ≥ 90 % |
15 мм, 10 мм, 5 ммОтдельностоящаяGaN Субстрат
Пункт | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
Проводимость Тип | N-типа | Полуизолирующих | |
Размер | 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm | ||
Толщина | 330-450um | ||
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o | ||
Первичное плоское Расположение | |||
Первичная плоская Длина | |||
Secondary Квартира Расположение | |||
Вторичная плоская Длина | |||
Удельное сопротивление (300K) | <0.5Ω · см | > 106Ω · см | |
Вывих Плотность | <5x106cm-2 | ||
Марко Дефект Плотность | 0cm-2 | ||
TTV | <= 15 мкм | ||
ЛУК | <= 20um | ||
Чистота поверхности | Передняя поверхность: Ra <0.2nm.Epi готовые полированные | ||
Назад Поверхность: 1.Fine земля | |||
2.Rough шлифованный | |||
Полезная площадь | ≥ 90% |
Примечание:
Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate
Применение GaN субстрата
Твердотельное освещение: устройства GaN используются в качестве ультра высокой яркости светодиодов (LED), телевизоров, автомобилей и общего освещения
DVD Storage: Blue laser diodes
Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites
Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth
Беспроводные базовые станции: РЧ транзисторы
Беспроводной широкополосный доступ: высокочастотный MMICs, RF-Circuits MMICs
Датчики давления: MEMS
Тепловые датчики: Pyro-электрические датчики
PАуэр Conditioning: Смешанный сигнал GaN / Si Интегрирование
Автомобильная электроника: Высокотемпературная электроника
Линии питания Трансмиссия: электроника высокого напряжения
Каркасные Датчики: УФ-детекторы
Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride
(InGaN) сплавы идеально подходят для создания материала солнечных элементов. Из-за это преимущество, солнечные батареи InGaN, выращенные на подложках GaN готовы стать одним из наиболее важных новых приложений и рост рынка для GaN подложки вафель.
Идеально для HEMTs, FETs
GaN Schottky diode project: We accept custom spec of Schottky diodes fabricated on the HVPE-grown, free-standing gallium nitride (GaN) layers of n- and p-types.
Both contacts (ohmic and Schottky) were deposited on the top surface using Al/Ti and Pd/Ti/Au.
Примечание:
Правительство Китая объявило о новых ограничениях на экспорт галлиевых материалов (таких как GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs и GaSb) и германиевых материалов, используемых для изготовления полупроводниковых микросхем. С 1 августа 2023 года экспорт этих материалов разрешен только при наличии лицензии Министерства торговли Китая. Надеемся на ваше понимание и сотрудничество!