
Корпусная GaN-подложка
РАМ-СЯМЫНЬ установила технологии изготовления для автономных (нитрид галлия) GaN-подложка пластины, которая является для UHB-LED и LD. Выращенный по технологии гидридной эпитаксии из паровой фазы (HVPE), Наша GaN-подложка имеет низкую плотность дефектов.
- Описание
Описание продукта
Корпусная GaN-подложка
As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrate wafer which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN-подложка for III-nitride devices has low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.
In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.
Спецификация Корпусная GaN подложки
Здесь показаны детали спецификации:
4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN100-N+ |
Проводимость Тип | N type/Si doped |
Размер | 4″(100)+/-1mm |
Толщина | 480+/-50 |
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o |
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o |
Первичная плоская Длина | 32+/-1mm |
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o |
Вторичная плоская Длина | 18+/-1mm |
Удельное сопротивление (300K) | <0.05Ω·cm |
Вывих Плотность | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ЛУК | <=+/-30um |
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Back Surface:1.Fine ground |
— | 2.Polished. |
Полезная площадь | ≥ 90 % |
4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN100-N- |
Проводимость Тип | N type/undoped |
Размер | 4″(100)+/-1mm |
Толщина | 480+/-50 |
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o |
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o |
Первичная плоская Длина | 32+/-1mm |
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o |
Вторичная плоская Длина | 18+/-1mm |
Удельное сопротивление (300K) | <0.5Ω · см |
Вывих Плотность | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ЛУК | <=+/-30um |
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Back Surface:1.Fine ground |
— | 2.Polished. |
Полезная площадь | ≥ 90 % |
4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN100-SI |
Проводимость Тип | Semi-Insulating |
Размер | 4″(100)+/-1mm |
Толщина | 480+/-50 |
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o |
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o |
Первичная плоская Длина | 32+/-1mm |
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o |
Вторичная плоская Длина | 18+/-1mm |
Удельное сопротивление (300K) | >10^6Ω·cm |
Вывих Плотность | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ЛУК | <=+/-30um |
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Back Surface:1.Fine ground |
— | 2.Polished. |
Полезная площадь | ≥ 90 % |
2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
Проводимость Тип | N type/Si doped | |||
Размер | 2 "(50,8) +/- 1мм | |||
Толщина | 400+/-50 | |||
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o | |||
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o | |||
Первичная плоская Длина | 16 +/- 1мм | |||
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o | |||
Вторичная плоская Длина | 8 +/- 1мм | |||
Удельное сопротивление (300K) | <0.05Ω·cm | |||
Вывих Плотность | <5x106cm-2 | |||
FWHM | <=100arc.sec | |||
TTV | <= 15 мкм | |||
ЛУК | <=+/-20um | |||
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | |||
Back Surface:1.Fine ground | ||||
2.Polished. | ||||
Usable Area | ≥ 90 % |
2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
Проводимость Тип | N type/undoped | ||||
Размер | 2 "(50,8) +/- 1мм | ||||
Толщина | 400+/-50 | ||||
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o | ||||
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o | ||||
Первичная плоская Длина | 16 +/- 1мм | ||||
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o | ||||
Вторичная плоская Длина | 8 +/- 1мм | ||||
Удельное сопротивление (300K) | <0.5Ω · см | ||||
Вывих Плотность | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15 мкм | ||||
ЛУК | <=+/-20um | ||||
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | ||||
Back Surface:1.Fine ground | |||||
2.Polished. | |||||
Usable Area | ≥ 90 % |
2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Пункт | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
Проводимость Тип | Semi-Insulating | ||||
Размер | 2 "(50,8) +/- 1мм | ||||
Толщина | 400+/-50 | ||||
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o | ||||
Первичное плоское Расположение | (10-10)+/-0.5o | ||||
Первичная плоская Длина | 16 +/- 1мм | ||||
Secondary Квартира Расположение | (1-210)+/-3o | ||||
Вторичная плоская Длина | 8 +/- 1мм | ||||
Удельное сопротивление (300K) | >10^6Ω·cm | ||||
Вывих Плотность | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15 мкм | ||||
ЛУК | <=+/-20um | ||||
Чистота поверхности | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | ||||
Back Surface:1.Fine ground | |||||
2.Polished. | |||||
Usable Area | ≥ 90 % |
15 мм, 10 мм, 5 ммОтдельностоящаяGaN Субстрат
Пункт | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
Проводимость Тип | N-типа | Полуизолирующих | |
Размер | 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm | ||
Толщина | 330-450um | ||
Ориентация | С-ось (0001) +/- 0.5o | ||
Первичное плоское Расположение | |||
Первичная плоская Длина | |||
Secondary Квартира Расположение | |||
Вторичная плоская Длина | |||
Удельное сопротивление (300K) | <0.5Ω · см | > 106Ω · см | |
Вывих Плотность | <5x106cm-2 | ||
Марко Дефект Плотность | 0cm-2 | ||
TTV | <= 15 мкм | ||
ЛУК | <= 20um | ||
Чистота поверхности | Передняя поверхность: Ra <0.2nm.Epi готовые полированные | ||
Назад Поверхность: 1.Fine земля | |||
2.Rough шлифованный | |||
Полезная площадь | ≥ 90% |
Примечание:
Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate
Применение GaN субстрата
Твердотельное освещение: устройства GaN используются в качестве ультра высокой яркости светодиодов (LED), телевизоров, автомобилей и общего освещения
DVD Storage: Blue laser diodes
Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites
Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth
Беспроводные базовые станции: РЧ транзисторы
Беспроводной широкополосный доступ: высокочастотный MMICs, RF-Circuits MMICs
Датчики давления: MEMS
Тепловые датчики: Pyro-электрические датчики
PАуэр Conditioning: Смешанный сигнал GaN / Si Интегрирование
Автомобильная электроника: Высокотемпературная электроника
Линии питания Трансмиссия: электроника высокого напряжения
Каркасные Датчики: УФ-детекторы
Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride
(InGaN) сплавы идеально подходят для создания материала солнечных элементов. Из-за это преимущество, солнечные батареи InGaN, выращенные на подложках GaN готовы стать одним из наиболее важных новых приложений и рост рынка для GaN подложки вафель.
Идеально для HEMTs, FETs
Вам также может понравиться ...
-
Ge (германий) монокристаллов и Вафли
PAM-XIAMEN предлагает германиевые пластины размером 2, 3, 4 и 6 дюймов, что является сокращением от Ge, выращенного VGF / LEC. Слабо легированные германиевые пластины P и N типов также могут быть использованы для эксперимента с эффектом Холла. При комнатной температуре кристаллический германий хрупок и малопластичен. Германий обладает полупроводниковыми свойствами. Германий высокой чистоты легируют трехвалентными элементами (например, индием, галлием, бором) для получения германиевых полупроводников Р-типа; и пятивалентные элементы (такие как сурьма, мышьяк и фосфор) легируются для получения германиевых полупроводников N-типа. Германий обладает хорошими полупроводниковыми свойствами, такими как высокая подвижность электронов и высокая подвижность дырок. -
GaN HEMT эпитаксиальные вафельные
Gallium Nitride (GaN) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) are the next generation of RF power transistor technology. Thanks to GaN technology, PAM-XIAMEN now offer AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire or Silicon, and AlGaN/GaN on sapphire template.
-
GaN шаблоны
PAM-СЯМЫНЬ в Шаблонные продукты состоят из кристаллических слоев нитрида галлия (), шаблоны GaN (нитрид алюминия) шаблона AlN, (алюминий нитрида галлия) шаблонов AlGaN и (индия нитрида галлия) шаблонов InGaN, которые осаждаются на сапфире -
на основе GaN LED эпитаксиальные вафельные
GaN-PAM-СЯМЫНЬ (в нитрида галлия) основе LED эпитаксиальных пластин для ультра высокой яркости синего и зеленого светоизлучающих диодов (LED) и лазерных диодов (LD) приложений.
-
Float-Zone монокристаллического кремния
PAM-XIAMEN может предложить кремниевые пластины с плавающей зоной, полученные методом Float Zone. Монокристаллические кремниевые стержни получают путем выращивания в зоне плавания, а затем перерабатывают монокристаллические кремниевые стержни в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами зоны плавания. Поскольку кремниевая пластина зонного расплава не контактирует с кварцевым тиглем во время процесса плавления кремния в зоне, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе зонной плавки кремния. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, а удельное сопротивление выше. Он подходит для изготовления силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.
-
SiC вафельного Субстрат
The company has a complete SiC(silicon carbide) wafer substrate production line integrating crystal growth, crystal processing, wafer processing, polishing, cleaning and testing. Nowadays we supply commercial 4H and 6H SiC wafers with semi insulation and conductivity in on-axis or off-axis, available size:5x5mm2,10x10mm2, 2”,3”,4” and 6”, breaking through key technologies such as defect suppression, seed crystal processing and rapid growth, promoting basic research and development related to silicon carbide epitaxy, devices, etc.
-
GaAs Epiwafer
PAM-XIAMEN is manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.
-
InP пластины
PAM-XIAMEN offers VGF InP(Indium Phosphide) wafer with prime or test grade including undoped, N type or semi-insulating. The mobility of InP wafer is different in different type, undoped one>=3000cm2/V.s, N type>1000 or 2000cm2V.s(depends on different doping concentration), P type: 60+/-10 or 80+/-10cm2/V.s(depends on different Zn doping concentration), and semi-insulting one>2000cm2/V.s, the EPD of Indium Phosphide is below 500/cm2 normally.