Корпусная GaN-подложка

Описание продукта

Корпусная GaN-подложка

Являясь ведущим поставщиком подложек GaN, компания PAM-XIAMEN разработала технологию производства отдельно стоящих пластин (нитрид галлия).Пластина-подложка GaNкоторый представляет собой объемную подложку GaN для UHB-LED, LD и изготовления устройств на основе MOS. Наша продукция, выращенная по технологии гидридной парофазной эпитаксии (HVPE),GaN-подложкадля III-нитридных устройств имеет низкую плотность дефектов и меньшую или свободную плотность макродефектов. Толщина подложки GaN составляет 330~530 мкм.

Помимо силовых устройств, полупроводниковые подложки из нитрида галлия все чаще используются в производстве светодиодов белого света, поскольку подложки светодиодов GaN обеспечивают улучшенные электрические характеристики, а их производительность превосходит текущие устройства. Более того, быстрое развитие технологии подложек из нитрида галлия привело к разработке высокоэффективных свободных подложек GaN с низкой плотностью дефектов и плотностью свободных макродефектов. Следовательно, такие подложки GaN могут все чаще использоваться для белых светодиодов. В результате рынок объемных подложек GaN быстро растет. Кстати, объемную пластину GaN можно использовать для тестирования концепций устройств с вертикальным питанием.

1. Спецификация отдельно стоящей подложки GaN

 Здесь показаны детали спецификации:

1.1 4-дюймовый GaN (нитрид галлия), легированный кремнием N-типа, отдельная подложка

1,2 4″ N-типа, низколегированный GaN (нитрид галлия) Отдельно стоящая подложка

1,3 4-дюймовая полуизолирующая GaN (нитрид галлия) Отдельно стоящая подложка

1,4 2″ GaN (нитрид галлия), легированный Si, отдельная подложка

1,5 2″ Низколегированный GaN (нитрид галлия) Отдельно стоящая подложка

1,6 2-дюймовая полуизолирующая GaN (нитрид галлия) Отдельно стоящая подложка

1,7 15 мм, 10 мм, 5 ммОтдельностоящаяGaN Субстрат

Примечание:

Валидационная пластина:Учитывая удобство использования, PAM-XIAMEN предлагает 2-дюймовую сапфировую проверочную пластину для отдельно стоящей подложки GaN размером менее 2 дюймов.

2. Свойства отдельно стоящей подложки GaN.

3. Применение подложки GaN

Твердотельное освещение: устройства GaN используются в качестве ультра высокой яркости светодиодов (LED), телевизоров, автомобилей и общего освещения

Хранилище DVD: Синие лазерные диоды

Силовое устройство: устройства, изготовленные на объемной подложке GaN, используются в качестве различных компонентов в мощной и высокочастотной силовой электронике, такой как базовые станции сотовой связи, спутники, усилители мощности и инверторы/преобразователи для электромобилей (EV) и гибридных электромобилей (HEV). ). Низкая чувствительность GaN к ионизирующему излучению (как и другие нитриды группы III) делает его подходящим материалом для космических применений, таких как массивы солнечных батарей для спутников и мощные высокочастотные устройства для спутников связи, погоды и наблюдения.

Подложка из чистого нитрида галлия Iсделка по повторному выращиванию III-нитридов

Беспроводные базовые станции: РЧ транзисторы

Беспроводной широкополосный доступ: высокочастотный MMICs, RF-Circuits MMICs

Датчики давления: MEMS

Тепловые датчики: Pyro-электрические датчики

PАуэр Conditioning: Смешанный сигнал GaN / Si Интегрирование

Автомобильная электроника: Высокотемпературная электроника

Линии питания Трансмиссия: электроника высокого напряжения

Каркасные Датчики: УФ-детекторы

Солнечные элементы: широкая запрещенная зона GaN охватывает солнечный спектр от 0,65 эВ до 3,4 эВ (что составляет практически весь солнечный спектр), что делает нитрид индия-галлия

(InGaN) сплавы идеально подходят для создания материала солнечных элементов. Из-за это преимущество, солнечные батареи InGaN, выращенные на подложках GaN готовы стать одним из наиболее важных новых приложений и рост рынка для GaN подложки вафель.

Идеально для HEMTs, FETs

Проект диода Шоттки GaN: Мы принимаем диоды Шоттки по индивидуальному заказу, изготовленные на выращенных методом HVPE отдельных слоях нитрида галлия (GaN) n- и p-типа.

Оба контакта (омический и Шоттки) были нанесены на верхнюю поверхность с использованием Al/Ti и Pd/Ti/Au.

Примечание:
Правительство Китая объявило о новых ограничениях на экспорт галлиевых материалов (таких как GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs и GaSb) и германиевых материалов, используемых для изготовления полупроводниковых чипов. С 1 августа 2023 года экспорт этих материалов разрешен только при наличии лицензии Министерства торговли Китая. Надеемся на ваше понимание и сотрудничество!