En la actualidad, la mayoría de las superredes de InAs/GaSb ll crecen en sustratos de GaSb acoplados a la red. Sin embargo, debido al alto precio del sustrato de GaSb, la ausencia de un sustrato semiaislante y la complejidad del proceso, la búsqueda de cultivar materiales a granel de GaSb en sustratos nuevos, como el sustrato de GaAs, se ha convertido en una nueva ruta técnica para muchas empresas internacionales. Unidades de investigación y desarrollo para realizar el crecimiento de la superred de InAs/GaSb. Además, la estructura p-GaSb/n-GaAs basada en GaAs puede generar células fotovoltaicas térmicas de alta eficiencia, lo cual es un punto crítico de investigación. Hasta el momento, GaAs es el material más maduro con la mejor calidad de cristal en semiconductores compuestos. Por lo tanto, el uso de GaAs como material de sustrato para el crecimiento heteroepitaxial mediante diversas tecnologías es un tema de investigación muy interesante y tiene un gran valor práctico.PAM-XIAMEN offers services for heteroepitaxial films growth, like hetero-epitaxial GaSb thin film on GaAs substrate listed below. For additional information about our products, please refer to https://www.powerwaywafer.com/products.html.
1. Specification of GaSb Heteroepitaxial Growth on GaAs Substrate
We can provide GaAs wafers which have an epitaxial layer of GaSb as follows:
GaSb epi layer on GaAs (PAM190403 – GASB):
Epi layer: Thikness 0.5 um. Un-doped, GaSb
Substrate: 2” semi-insulating GaAs substrate, resistivity >1E8ohm.cm
2. Improve GaSb Heteroepitaxial Thin-Film Growth on GaAs by Adding Buffer Layer
Although there is great practical value for growing GaSb hetero-epitaxial materials, the lattice mismatch between GaAs and GaSb is large (~7%). If GaSb is directly grown on GaAs substrate, a large number of defects and dislocations will be generated at the interface due to stress, which is difficult to grow high-quality epitaxial materials. In order to solve this problem, many growth methods have been adopted to alleviate lattice mismatch and achieve high-quality heteroepitaxy.
Allí, la capa amortiguadora de crecimiento es uno de los medios importantes para aliviar el desajuste de la red. Generalmente, la capa de amortiguamiento es una estructura de una o varias capas con un cierto espesor. Su función es suprimir el estrés generado por el desajuste entre el sustrato y la capa epitaxial en la capa amortiguadora, y reducir la dislocación y los defectos generados por la heteroepitaxia de gran desajuste.
Los materiales de InAs, AlSb y GaSb generalmente se seleccionan como capas amortiguadoras para el crecimiento heteroepitaxial de GaSb. Se estudian las características estructurales de películas de GaSb sobre sustrato de GaAs (001) a baja temperatura con diferentes capas amortiguadoras. Los resultados muestran que la capa amortiguadora de AlSb o GaSb es muy útil para mejorar la calidad de las películas de GaSb que crecen sobre sustratos de GaAs.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
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