basado GaN LED epitaxial
GaN de PAM-XIAMEN (nitruro de galio) a base de LED oblea epitaxial es para diodos emisores de luz de ultra alto brillo azul y verde (LED) y los diodos láser (LD) de aplicación.
- Descripción
Descripción del Producto
The LED epitaxial wafer is a substrate heated to an appropriate temperature. The LED wafer material is the cornerstone of the technology development for the semiconductor lighting industry. Different substrate materials require different LED epitaxial wafer growth technology, chip processing technology and device packaging technology. The substrate for LED epi wafer determines the development route of semiconductor lighting technology. To achieve luminous efficiency, epitaxial wafer suppliers pay more attention to GaN based LED epitaxial wafer, since the epitaxial wafer price is in low cost, and the epi wafer defect density is small. LED epi wafer advantage on GaN substrate is the realization of high efficiency, large area, single lamp and high power, which make the process technology simplify and improve the large yield rate. The development prospects of the LED epi wafer market are optimistic.
1. LED Wafer List
|
LED Epitaxial Wafer |
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| Artículo | Tamaño | Orientación | Emission | Longitud de onda | Thickness | Sustrato | Superficie | Usable area |
| PAM-50-LED-BLUE-F | 50mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-50-LED-BLUE-PSS | 50mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-BLUE-F | 100mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-BLUE-PSS | 100mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-150-LED-BLUE | 150mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-BLUE-SIL | 50mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Silicon | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-BLUE-SIL | 100mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Silicon | P/L | >90% |
| PAM-150-LED-BLUE-SIL | 150mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Silicon | P/L | >90% |
| PAM-200-LED-BLUE-SIL | 200mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Silicon | P/L | >90% |
| PAM-50-LED-GREEN-F | 50mm | 0°±0.5° | green light | 510-530nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-50-LED-GREEN-PSS | 50mm | 0°±0.5° | green light | 510-530nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-GREEN-F | 100mm | 0°±0.5° | green light | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-GREEN-PSS | 100mm | 0°±0.5° | green light | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-150-LED-GREEN | 150mm | 0°±0.5° | green light | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-RED-GAAS-620 | 100mm | 15°±0.5° | red light | 610-630nm | / | GaAs | P/L | >90% |
| PAM210527-LED-660 | 100mm | 15°±0.5° | red light | 660nm | / | GaAs | P/L | >90% |
| PAM-210414-850nm-LED | 100mm | 15°±0.5° | IR | 850nm | / | GaAs | P/L | >90% |
| PAMP21138-940LED | 100mm | 15°±0.5° | IR | 940nm | / | GaAs | P/L | >90% |
| PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVA | 365 nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
| PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVA | 405 nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
| PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVC | 275nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
| PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50mm | 0°±0.5° | UV | 405nm | / | Silicon | P/L | >90% |
| PAM-50-LD-BLUE-450-SIL | 50mm | 0°±0.5° | blue light | 450nm | / | Silicon | P/L | >90% |
As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.
2. InGaN/GaN(gallium nitride) based LED Epitaxial Wafer
GaN en Al2O3-2” Especificación epi oblea (LED epitaxial)
| White： 445～460 nm |
| Blue： 465～475 nm |
| Green： 510～530 nm |
Técnica 1. Crecimiento - MOCVD
diámetro 2.Wafer: 50,8 mm
3.Wafer substrate material: Patterned Sapphire Substrate(Al2O3) or Flat Sapphire
4.Wafer tamaño del patrón: 3X2X1.5μm
3. Wafer structure:
| estructura de capas | Thickness(μm) |
| p-GaN | 0.2 |
| p-AlGaN | 0.03 |
| InGaN / GaN (área activa) | 0.2 |
| n-GaN | 2.5 |
| u- GaN | 3.5 |
| Al2O3 (sustrato) | 430 |
4. Wafer parameters to make chips:
| em | Color | Tamaño de chip | Características | Apariencia | |
| PAM1023A01 | Azul | 10mil x 23mil |  |
Iluminación | |
| Vf = 2,8 ~ 3.4V | LCD luz de fondo | ||||
| Po = 18 ~ 25 mW | aparatos móviles | ||||
| Wd = 450 ~ 460nm | Consumidor de electronicos | ||||
| PAM454501 | Azul | 45mil x 45mil | Vf = 2,8 ~ 3.4V |  |
La iluminación general |
| Po = 250 ~ 300 mW | LCD luz de fondo | ||||
| Wd = 450 ~ 460nm | exhibición al aire libre |
5. Application of LED epitaixal wafer:
*If you need to know more detail information of Blue LED Epitaxial Wafer, please contact with our sales departments
Iluminación
LCD luz de fondo
aparatos móviles
Consumidor de electronicos
6. Specification of LED Epi Wafer as an example:
Spec PAM190730-LED
– size : 4 inch
– WD : 455 ± 10nm
– brightness : > 90mcd
– VF : < 3.3V
– n-GaN Thickness : <4.1㎛
– u-GaN thickness : <2.2㎛
– substrate : patterned sapphire substrate (PSS)
7.GaAs(Gallium arsenide)based LED Wafer Material:
En cuanto a GaAs oblea LED, que se cultivan por MOCVD, ver más abajo la longitud de onda de GaAs LED oblea:
Rojo: 585 nm, 615 nm, 620 ~ 630nm
Yellow:587 ~ 592nm
Yellow/Green: 568 ~ 573nm
8. Definition of LED Epitaxial Wafer:
What we offer is bare LED epi wafer or not processed wafer without lithography processes, n- and metals contacts, etc. And you can fabricate the LED chip using your fabrication equipment for different application such as nano optoelectronics research.
Por estas GaAs detalle Datos de obleas de LED, por favor visite:GaAs Epi oblea por LED
Para especificaciones de obleas de LED UV, por favor visite:UV LED Epi Wafer
Para la oblea de silicio LED en las especificaciones, visite:Wafer LED sobre silicio
Para especificaciones azul GaN LD oblea, por favor visite: Azul GaN LD oblea
For Violet GaN LD Wafer, please visit: Oblea de diodo láser GaN de 405 nm
850nm and 940nm infrared LED wafer
850-880nm and 890-910nm Red Infrared AlGaAs /GaAs LED Epi-Wafer
GaN Wafers to Fabricate LED Devices
GaN LED Structure Epitaxy on Flat or PSS Sapphire Substrate
Crecimiento epitaxial de GaN en zafiro para LED
Formation of V-Shaped Pits in Nitride Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Si-based GaN PIN Photodetector Structure
For more foundry services, please visit: Servicios de fundición de GaN para la fabricación de LED
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