Epi oblea por un diodo láser
La oblea de epitaxia LD basada en GaAs, que puede generar emisión estimulada, se usa ampliamente para fabricar diodos láser, ya que las propiedades superiores de la oblea epitaxial de GaAs hacen que el dispositivo sea de bajo consumo de energía, alta eficiencia, larga vida útil, etc. Además de la oblea epi LD de arseniuro de galio Los materiales semiconductores comúnmente utilizados son el sulfuro de cadmio (CdS), el fosfuro de indio (InP) y el sulfuro de zinc (ZnS).
- Descripción
Descripción del Producto
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), un proveedor de obleas epitaxiales de LD, se enfoca en las obleas epi de diodo láser basadas en GaAs e InP cultivadas por reactores MOCVD para comunicación de fibra óptica, aplicaciones industriales y usos especiales. PAM-XIAMEN puede ofrecer obleas de epitaxia LD basadas en sustrato de GaAs para varios campos, como VCSEL, infrarrojos, fotodetectores, etc. Más detalles sobre el material de obleas de epitaxia LD, consulte la siguiente tabla:
| material del sustrato | Capacidad de materiales | Longitud de onda | Aplicación |
| GaAs | GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 635nm | |
| GaAs Based Epi-oblea | 650nm | Láser emisor de superficie de cavidad vertical (VCSEL) RCLED |
|
| GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 660nm | ||
| GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs | 703nm | ||
| GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 780nm | ||
| GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 785 nm | ||
| GaAs Based Epi-oblea | 800-1064nm | LD infrarrojos | |
| GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP | 808nm | LD infrarrojos | |
| GaAs Based Epi-oblea | 850nm | Láser emisor de superficie de cavidad vertical (VCSEL) RCLED |
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| GaAs Based Epi-oblea | <870nm | Fotodetector | |
| GaAs Based Epi-oblea | 850-1100nm | Láser emisor de superficie de cavidad vertical (VCSEL) RCLED |
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| GaAs / AlGaAs / GaInAs / AlGaAs / GaAs | 905nm | ||
| GaAs / AlGaAs / InGaAs / AlGaAs / GaAs | 950nm | ||
| GaAs Based Epi-oblea | 980nm | LD infrarrojos | |
| InP Based Epi-oblea | 1250-1600nm | Avalancha foto-detector | |
| GaAs Based Epi-oblea | 1250-1600nm/>2.0um (capa absorbente de InGaAs) |
Fotodetector | |
| GaAs Based Epi-oblea | 1250-1600 nm/<1,4 μm (capa absorbente de InGaAsP) |
Fotodetector | |
| InP Based Epi-oblea | 1270-1630nm | láser DFB | |
| sustrato GaAsP / GaAs / GaAs | 1300nm | ||
| InP Based Epi-oblea | 1310 | láser FP | |
| sustrato GaAsP / GaAs / GaAs | 1550 | láser FP | |
| 1654nm | |||
| InP Based Epi-oblea | 1900nm | láser FP | |
| 2004nm |
Acerca de las aplicaciones y el mercado de obleas LD Epitaxy
Las aplicaciones de la oblea de epitaxia LD basada en GaAs en el campo del láser se pueden dividir en VCSEL y no VCSEL. Las aplicaciones actuales de epitaxia LD basadas en GaAs se encuentran principalmente en VCSEL. El VCSEL (láser emisor de superficie de cavidad vertical), basado en materiales de GaAs, se utiliza principalmente para el reconocimiento facial. Se espera que tenga una alta tasa de crecimiento en el futuro. EEL (Edge Emitting Laser) es un dispositivo no VCSEL, utilizado principalmente en el campo de lidar automotriz, y se espera que la demanda aumente con la expansión del mercado de automóviles sin conductor.
El sustrato de GaAs utilizado en el campo del láser requiere altos indicadores técnicos, y el precio de la oblea epitaxial unitaria es significativamente más alto que el de otros campos. Se puede esperar el futuro espacio de mercado epitaxial de LD. Las aplicaciones de láser son las más sensibles a la densidad de dislocaciones. Existe un alto requerimiento de materiales de sustrato de GaAs en aplicaciones láser. Por lo tanto, el requisito más alto se presenta para los fabricantes de obleas epitaxiales LD y el proceso de obleas epitaxiales LD. En la actualidad, el láser semiconductor de banda de infrarrojo cercano (760~1060 nm) basado en sustrato de GaAs tiene el desarrollo más maduro y la aplicación más extendida, y ya ha sido comercializado.
Consulte a continuación las especificaciones detalladas de la oblea de epitaxia LD:
láser de diodo 703nm epi oblea
808nm láser de diodo epi oblea-1
láser de diodo de 780 nm epi oblea
láser de diodo de 650 nm epi oblea
láser de diodo 785 nm epi oblea
Obleas epi-2 de diodo láser de 808 nm
láser de diodo de 850 nm epi oblea
láser de diodo de 905 nm epi oblea
Oblea epi de diodo láser de 940 nm
láser de diodo de 950 nm epi oblea
Oblea láser de alta potencia de 1060 nm
Oblea de diodo láser de 1300 nm
láser de diodo de 1550 nm epi oblea
1654nm láser de diodo epi oblea
2004nm láser de diodo epi oblea
Epitaxia de GaAs con crecimiento grueso
MOCVD de estructura Epi basada en GaAs desarrollado para emisor de luz
Narrow InGaAsP Quantum Well crecido en InP Wafer
Capas de puntos cuánticos InAs sobre sustrato InP
Chips individuales del emisor
Single-emisor LD viruta 755nm @ 8W
Single-emisor LD viruta 808nm @ 8W
Single-emisor LD viruta 808nm @ 10W
Single-emisor LD viruta 830nm @ 2W
Single-emisor LD viruta 880nm @ 8W
Single-Chip de emisor LD 900 nm + @ 10W
Single-Chip de emisor LD 900 nm + @ 15W
Single-emisor LD viruta 905nm @ 25W
Single-emisor LD viruta 3W @ 1470nm
PAM XIAMEN ofrece un solo chip láser de alta potencia de 1470 / 1550nm de la siguiente manera:
LD Bare Bar
LD Bare Pub en 780 nm de 2,5 mm @ cavidad
LD Bare barra de 808nm 2 mm @ cavidad
LD Bare barra de 808nm de 1,5 mm @ cavidad
LD Bare barra de 880nm 2 mm @ cavidad
LD Bare barra de 940nm 2 mm @ cavidad
LD Bare barra de 3 mm 940nm @ cavidad
LD Bare barra de 940nm 4 mm @ cavidad
LD Bare barra de 940nm 2 mm @ cavidad
LD Bare barra de 976nm 4 mm @ cavidad