Epi oblea por un diodo láser

Epi oblea por un diodo láser

La oblea de epitaxia LD basada en GaAs, que puede generar emisiones estimulantes, se usa ampliamente para fabricar diodos láser ya que las propiedades superiores de la oblea epitaxial de GaAs hacen que el dispositivo tenga un bajo consumo de energía, alta eficiencia, larga vida útil, etc. Además de la oblea LD epi de arseniuro de galio , los materiales semiconductores comúnmente utilizados son sulfuro de cadmio (CdS), fosfuro de indio (InP) y sulfuro de zinc (ZnS).

  • Descripción

Descripción del Producto

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), a LD epitaxial wafer supplier, focuses on the GaAs and InP based laser diode epi wafers grown by MOCVD reactors for fiber-optic communication, industrial application, and special-purpose usage. PAM-XIAMEN can offer LD epitaxy wafer based on GaAs substrate for various fields, like VCSEL, infrared, photo-detector and etc. More details about the LD epitaxy wafer material, please refer to the table below:

material del sustrato Capacidad de materiales Longitud de onda Aplicación
GaAs GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 635nm  
GaAs Based Epi-oblea 650nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)
RCLED
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 660nm  
GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs 703nm  
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 780nm  
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 785 nm  
GaAs Based Epi-oblea 800-1064nm LD infrarrojos
GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 808nm LD infrarrojos
GaAs Based Epi-oblea 850nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)
RCLED
GaAs Based Epi-oblea <870nm Fotodetector
GaAs Based Epi-oblea 850-1100nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)
RCLED
GaAs / AlGaAs / GaInAs / AlGaAs / GaAs 905nm  
GaAs / AlGaAs / InGaAs / AlGaAs / GaAs 950nm  
GaAs Based Epi-oblea 980nm LD infrarrojos
InP Based Epi-oblea 1250-1600nm Avalancha foto-detector
GaAs Based Epi-oblea 1250-1600nm/>2.0um
(InGaAs absorptive layer)
Fotodetector
GaAs Based Epi-oblea 1250-1600nm/<1.4μm
(InGaAsP absorptive layer)
Fotodetector
InP Based Epi-oblea 1270-1630nm láser DFB
sustrato GaAsP / GaAs / GaAs 1300nm  
InP Based Epi-oblea 1310 láser FP
sustrato GaAsP / GaAs / GaAs 1550 láser FP
  1654nm  
InP Based Epi-oblea 1900nm láser FP
  2004nm  

 

Acerca de LD Epitaxy Wafer Applications & Market

Las aplicaciones de la oblea de epitaxia LD basada en GaAs en el campo del láser se pueden dividir en VCSEL y no VCSEL. Las aplicaciones actuales de epitaxia LD basadas en GaAs se encuentran principalmente en VCSEL. VCSEL (láser emisor de superficie de cavidad vertical), basado en materiales GaAs, se utiliza principalmente para el reconocimiento facial. Se espera que tenga una alta tasa de crecimiento en el futuro. EEL (Edge Emitting Laser) es un dispositivo que no es VCSEL, utilizado principalmente en el campo del lidar automotriz, y se espera que la demanda aumente con la expansión del mercado de automóviles sin conductor.

El sustrato de GaAs utilizado en el campo del láser requiere altos indicadores técnicos, y el precio de la oblea epitaxial unitaria es significativamente más alto que el de otros campos. Se puede esperar el futuro espacio de mercado epitaxial de LD. Las aplicaciones láser son las más sensibles a la densidad de dislocaciones. Existe un alto requisito para los materiales de sustrato de GaAs en las aplicaciones láser. Por lo tanto, el mayor requisito se plantea en los fabricantes de obleas epitaxiales LD y el proceso de obleas epitaxiales LD. En la actualidad, el láser semiconductor de banda de infrarrojo cercano (760 ~ 1060 nm) basado en sustrato de GaAs tiene el desarrollo más maduro y la aplicación más extendida, y ya se ha comercializado.

Consulte a continuación la especificación detallada de la oblea de epitaxia LD:

Chip de oblea láser VCSEL

Oblea Epi láser VCSEL

láser de diodo 703nm epi oblea

808nm láser de diodo epi oblea-1

láser de diodo de 780 nm epi oblea

láser de diodo de 650 nm epi oblea

láser de diodo 785 nm epi oblea

808nm laser diode epi wafers-2

láser de diodo de 850 nm epi oblea

láser de diodo de 905 nm epi oblea

láser de diodo de 950 nm epi oblea

láser de diodo de 1550 nm epi oblea

1654nm láser de diodo epi oblea

2004nm láser de diodo epi oblea

 

Chips individuales del emisor

Single-emisor LD viruta 755nm @ 8W

Single-emisor LD viruta 808nm @ 8W

Single-emisor LD viruta 808nm @ 10W

Single-emisor LD viruta 830nm @ 2W

Single-emisor LD viruta 880nm @ 8W

Single-Chip de emisor LD 900 nm + @ 10W

Single-Chip de emisor LD 900 nm + @ 15W

Single-emisor LD viruta 905nm @ 25W

Single-emisor LD viruta 3W @ 1470nm

PAM XIAMEN offers 1470 / 1550nm high power laser single chip as follows:

LD Bare Bar

LD Bare Pub en 780 nm de 2,5 mm @ cavidad

LD Bare barra de 808nm 2 mm @ cavidad

LD Bare barra de 808nm de 1,5 mm @ cavidad

LD Bare barra de 880nm 2 mm @ cavidad

LD Bare barra de 940nm 2 mm @ cavidad

LD Bare barra de 3 mm 940nm @ cavidad

LD Bare barra de 940nm 4 mm @ cavidad

LD Bare barra de 940nm 2 mm @ cavidad

LD Bare barra de 976nm 4 mm @ cavidad

LD Bare barra de 1470nm 2 mm @ cavidad

LD Bare Pub en 1550 2mm @ cavidad