GaN Templates

Los productos de plantilla de PAM-XIAMEN consisten en capas cristalinas de (nitruro de galio) plantillas de GaN, (nitruro de aluminio) plantilla de AlN, (nitruro de aluminio y galio) plantillas de AlGaN y (nitruro de galio indio) plantillas de InGaN, que se depositan en zafiro
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Descripción del Producto

GaN Modelo (nitruro de galio plantilla)

La plantilla de GaN de PAM-XIAMEN consta de capas cristalinas de nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN), nitruro de galio y aluminio (AlGaN) y nitruro de galio indio (InGaN), que se depilan sobre zafiro y grado electrónico para la fabricación a base de MOS dispositivos. Los productos de plantilla de nitruro de galio de PAM-XIAMEN permiten tiempos de ciclo de epitaxia un 20-50% más cortos y capas de dispositivos epitaxiales de mayor calidad, con una mejor calidad estructural y una conductividad térmica más alta, lo que puede mejorar el costo, el rendimiento y el rendimiento de los dispositivos.

2 ″ (50,8 mm)Plantillas de GaNEpitaxia sobre sustratos de zafiro

Artículo PAM-2 pulgadas-GaNT-N PAM-2 pulgadas-GaNT-SI
Tipo de conducción N-tipo Semiaislante
dopante Si dopado o poco dopado Fe dopado
Tamaño 2 ″ (50 mm) de diámetro
Espesor 4um, 20um, 30um, 50um, 100um 30um, 90um
Orientación Eje C (0001) +/- 1 °
Resistividad (300K) <0.05Ω · cm > 1 × 106Ω · cm
densidad de dislocaciones <1x108cm-2
Estructura del sustrato GaN en zafiro (0001)
Acabado de la superficie Pulido de una o dos caras, listo para epi
Superficie útil ≥ 90%

Epitaxia de plantillas de GaN de 2 ″ (50,8 mm) sobre sustratos de zafiro

Artículo PAM-GaNT-P
Tipo de conducción Tipo P
dopante Dopado con magnesio
Tamaño 2 ″ (50 mm) de diámetro
Espesor 5um, 20um, 30um, 50um, 100um
Orientación Eje C (0001) +/- 1 °
Resistividad (300K) <1Ω · cm o personalizado
Concentración de dopantes 1E17 (cm-3) o personalizado
Estructura del sustrato GaN en zafiro (0001)
Acabado de la superficie Pulido de una o dos caras, listo para epi
Superficie útil ≥ 90%

 Epitaxia de plantillas de GaN de 3 ″ (76,2 mm) sobre sustratos de zafiro

Artículo PAM-3 pulgadas-GaNT-N
Tipo de conducción N-tipo
dopante si dopado
Zona de exclusión: 5 mm desde el diámetro exterior
Espesor: 20um, 30um
Densidad de dislocaciones <1x108cm-2
Resistencia de la hoja (300K): <0.05Ω · cm
Sustrato: zafiro
Orientacion: Plano C
Espesor del zafiro: 430um
Pulido: Una cara Pulido, epi-ready, con peldaños atómicos.
Revestimiento de la parte trasera: Recubrimiento de titanio (personalizado) de alta calidad, espesor> 0,4 ​​μm
Embalaje: Envasado individualmente bajo argón
Atmósfera sellada al vacío en sala blanca de clase 100.

Epitaxia de plantillas de GaN de 3 ″ (76,2 mm) sobre sustratos de zafiro

Artículo PAM-3 pulgadas-GaNT-SI
Tipo de conducción Semiaislante
dopante Fe dopado
Zona de exclusión: 5 mm desde el diámetro exterior
Espesor: 20um, 30um, 90um (20um es el mejor)
Densidad de dislocaciones <1x108cm-2
Resistencia de la hoja (300K): > 106 ohm.cm
Sustrato: zafiro
Orientacion: Plano C
Espesor del zafiro: 430um
Pulido: Una cara Pulido, epi-ready, con peldaños atómicos.
Revestimiento de la parte trasera: Recubrimiento de titanio (personalizado) de alta calidad, espesor> 0,4 ​​μm
Embalaje: Envasado individualmente bajo atmósfera de argón sellado al vacío en sala blanca de clase 100.

Plantillas de GaN de 4 ″ (100 mm) epitaxiales sobre sustratos de zafiro

Artículo PAM-4 pulgadas-GaNT-N
Tipo de conducción N-tipo
dopante bajo dopado
Espesor: 4um
Densidad de dislocaciones <1x108cm-2
Resistencia de la hoja (300K): <0.05Ω · cm
Sustrato: zafiro
Orientacion: Plano C
Espesor del zafiro:
Pulido: Una cara Pulido, epi-ready, con peldaños atómicos.
Embalaje: Envasado individualmente en atmósfera de argón
sellado al vacío en sala blanca clase 100.

2 ″ (50,8 mm) AlGaN, InGaN, AlN Epitaxy en plantillas de zafiro: personalizado
Epitaxia de AlN de 2 ”(50,8 mm) en plantillas de zafiro

Artículo PAM-AlNT-SI
Tipo de conducción semi-aislante
Diámetro Ф 50,8 mm ± 1 mm
Espesor: 1000 nm +/- 10%
Sustrato: zafiro
Orientacion: Eje C (0001) +/- 1 °
Orientación Plano Un avion
XRD FWHM de (0002) <200 segundos de arco.
Área de la superficie utilizable ≥90%
Pulido: Ninguno

2 "(50,8 mm)InGaN Epitaxy en plantillas de zafiro

Artículo PAM-INGAN
Tipo de conducción
Diámetro Ф 50,8 mm ± 1 mm
Espesor: 100-200nm, personalizado
Sustrato: zafiro
Orientacion: Eje C (0001) +/- 1O
dopante En
Densidad de dislocación ~ 108 cm-2
Superficie útil ≥90%
Acabado de la superficie Pulido de una o dos caras, listo para epi

Epitaxia AlGaN de 2 ”(50,8 mm) en plantillas de zafiro

Artículo PAM-AlNT-SI
Tipo de conducción semi-aislante
Diámetro Ф 50,8 mm ± 1 mm
Espesor: 1000 nm +/- 10%
Sustrato: zafiro
Orientacion: Plano C
Orientación Plano Un avion
XRD FWHM de (0002) <200 segundos de arco.
Área de la superficie utilizable ≥90%
Pulido: Ninguno

Plantilla de GaN en zafiro y silicio

2 ″ (50,8 mm) de GaN en sustrato de SiC 4H o 6H

1) El búfer de GaN sin dopar o el búfer de AlN están disponibles;
2) capas epitaxiales de GaN tipo n (dopadas con Si o poco dopadas), tipo p o semiaislante disponibles;
3) estructuras conductoras verticales en SiC tipo n;
4) AlGaN - 20-60 nm de espesor, (20% -30% Al), tampón dopado con Si;
5) Capa de GaN tipo n sobre oblea de 2 ”de 330 µm +/- 25um de espesor.
6) Cara simple o doble pulida, lista para epi, Ra <0.5um
7) Valor típico en XRD:
ID de oblea ID de sustrato XRD (102) XRD (002) Espesor
#2153 X-70105033 (con AlN) 298 167 679um
         
Pulido de una o dos caras, listo para epi, Ra <0.5um

GaN sobre sustrato de SiC

6 ″ (150 mm) n-GaN encendido pulido a doble cara zafiro plano

Objetivo observación  
Diámetro del sustrato 150 mm +/- 0,15 mm
Espesor del sustrato 1300 um o 1000um +/- 25 um
plano c (0001), ángulo de corte hacia el plano m 0,2 grados +/- 0,1 grados
Longitud plana primaria única 47,5 milímetros +/- 1 mm
Orientación plana Un avion +/- 0,2 grados
Espesor de n-GaN dopado con Si 4 um +/- 5%
Concentración de Si en n-GaN 5e18 cm-3
Espesor de u-GaN 1 um no esta capa
Curva oscilante XRD (002) <250 segundos de arco <300 segundos de arco
Curva oscilante XRD (102) <250 segundos de arco <350 segundos de arco
Densidad de dislocaciones <5e8 cm-2
Superficie frontal, AFM (5 × 5 um2) Ra <0,5 nm, preparado para Epi
Superficie del lado trasero 0,6 - 1,2 um, molido fino
Arco de oblea <100 um no estos datos
resistividad n-GaN (300K) <0,01 ohmios-cm2
Variación de espesor total <25 um <10um
Densidad de defectos Macrodefectos (> 100 um): <1 / oblea Microdefectos (1-100 um): <1 / cm2 Macrodefectos (> 100 um): <10 / oblea Microdefectos (1-100 um): <10 / cm2
marcado por láser en la parte trasera de la oblea plana
Paquete empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en casetes de 25 piezas o contenedores de obleas individuales, bajo atmósfera de nitrógeno, con doble sellado
Exclusión de bordes <3 mm
Superficie útil > 90%

Proceso de epitaxia en fase vapor de hidruro (HVPE)

La plantilla de GaN en zafiro es grown mediante el proceso y la tecnología HVPE para la producción de semiconductores compuestos como GaN, AlN y AlGaN. Plantillas de GaN se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones: crecimiento de nanocables, iluminación de estado sólido, dispositivos optoelectrónicos de longitud de onda corta y dispositivos de potencia de RF.

En el proceso de HVPE, los nitruros del Grupo III (como GaN, AlN) se forman haciendo reaccionar cloruros metálicos gaseosos calientes (como GaCl o AlCl) con gas amoniaco (NH3). Los cloruros metálicos se generan pasando gas HCl caliente sobre los metales calientes del Grupo III. Todas las reacciones se realizan en un horno de cuarzo con temperatura controlada.

 

Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperamos su comprensión y cooperación!

Ofreceremos informes de prueba, vea un ejemplo a continuación:

Informe de estructura de la plantilla de AlGaN

Informe FWHM y XRD

Más productos:

Plantilla de película fina de GaN sobre zafiro (Al2O3)

Sustrato de cristal único AlN y plantilla en zafiro/silicio

Plantilla AlScN

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