Ge (germanio) Cristales individuales y obleas
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Descripción del Producto
Single Crystal Germanium Wafer
PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.
1. Propiedades de la oblea de germanio
1.1 Propiedades generales de la oblea de germanio
Estructura de propiedades generales | Cúbico, a = 5,6754 Å | ||
Densidad: 5.765 g / cm3 | |||
Punto de fusión: 937,4 oC | |||
Conductividad térmica: 640 | |||
Tecnología de crecimiento de cristal | Czochralski | ||
Dopaje disponible | / | Dopaje sb | Dopaje en o Ga |
Tipo conductivo | N | N | P |
Resistividad, ohm.cm | >35 | <0.05 | 0,05 - 0,1 |
EPD | <5 × 103 / cm2 | <5 × 103 / cm2 | <5 × 103 / cm2 |
<5 × 102 / cm2 | <5 × 102 / cm2 | <5 × 102 / cm2 |
1.2 Grades and Application of Germanium wafer
Grado electrónico | Utilizado para diodos y transistores, |
Grado infrarrojo u óptico | Utilizado para ventanas o discos ópticos IR, componentes ópticos |
Grado celular | Utilizado para sustratos de células solares |
1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer
cristal Orientación | <111>, <100> y <110> ± 0.5o u orientación personalizada | |||
Bola de cristal como crecida | 1 ″ ~ 6 ″ de diámetro x 200 mm de longitud | |||
Pieza en blanco estándar como corte | 1 pulgada x 0,5 mm | 2 ″ x0,6 mm | 4 ″ x0,7 mm | 5 ″ y 6 ″ x0,8 mm |
Oblea pulida estándar (pulido por uno / dos lados) | 1 ″ x 0,30 mm | 2 ″ x0,5 mm | 4 ″ x0,5 mm | 5 ″ y 6 ″ x0,6 mm |
- Tamaños y orientaciones especiales están disponibles a pedido de obleas
2. Especificación de la oblea de germanio
2.1 Especificación de la oblea de germanio de 2 ", 3", 4 "y 6" de tamaño
Artículo | Especificaciones | Observaciones |
Método de crecimiento | VGF | — |
Tipo de conducción | n-type, p type | |
dopante | Galio o Antimonio | — |
oblea Diamter | 2, 3,4 y 6 | pulgada |
cristal Orientación | (100), (111), (110) | — |
Espesor | 200 ~ 550 | um |
DE | EJ o US | — |
concentración de portadores | solicitud a los clientes | |
Resistividad a temperatura ambiente | (0,001 ~ 80) | Ohm.cm |
Densidad de grabado Pit | <5000 | / cm2 |
Marcado láser | a pedido | — |
Acabado de la superficie | P / E o P / P | — |
Epi listo | Sí | — |
Paquete | Recipiente o casete de una oblea | — |
2.2 Oblea de germanio para celda solar
Especificación de la oblea Ge de 4 pulgadas | para células solares | - |
dopaje | P | - |
Sustancias dopantes | Ge-Ga | - |
Diámetro | 100 ± 0,25 milímetro | - |
Orientación | (100) 9 ° hacia <111> +/- 0.5 | |
Ángulo de inclinación fuera de la orientación | N / A | - |
Orientación plana primaria | N / A | - |
Longitud plana primaria | 32 ± 1 | mm |
Orientación plana secundaria | N / A | - |
Secundaria plana Longitud | N / A | mm |
cc | (0,26-2,24) E18 | / cc |
Resistividad | (0,74-2,81) E-2 | ohm.cm |
Movilidad de electrones | 382-865 | cm2 / vs |
EPD | <300 | / cm2 |
Marcos láser | N / A | - |
Espesor | 175 ± 10 | μm |
TTV | <15 | μm |
TIR | N / A | μm |
ARCO | <10 | μm |
Deformación | <10 | μm |
Cara frontal | Pulido | - |
Cara posterior | Suelo | - |
2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)
PAM180212-GE
Artículo | DSP Ge Wafer |
Dia | 4” |
Espesor | 1.50mm +/- 0.10mm |
Orientación | N / A |
Conductividad | N / A |
Resistividad | N / A |
Proceso de superficie | Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture |
Other Parameters | 60-40 scratch-dig or better |
Less than 2 arc minutes parallelism | |
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture |
2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)
4″ Germanium wafer with low plasma frequency, 175µm+/-25um. (100), single side polished.
3. Germanium Wafer Process
With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) Se obtiene germanio de alta pureza durante el refinado de la zona.
2) Se produce un cristal de germanio mediante el proceso de Czochralski.
3) La oblea de germanio se fabrica mediante varios pasos de corte, esmerilado y grabado.
4) Las obleas se limpian e inspeccionan. Durante este proceso, las obleas son pulidas por una cara o por dos caras según los requisitos de la aduana, viene la oblea preparada para epi.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
4. Application of Germanium:
Los espacios en blanco o la ventana de germanio se utilizan en soluciones de imágenes termográficas y de visión nocturna para equipos de seguridad comercial, extinción de incendios y monitoreo industrial. Además, se utilizan como filtros para equipos analíticos y de medición, ventanas para medición remota de temperatura y espejos para láseres.
Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.
5. Test of Germanium Wafer:
The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.
Observación:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips on July 3, 2023. Exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico avictorchan@powerwaywafer.comypowerwaymaterial@gmail.com.
Oblea fina de germanio tipo P | Célula solar
Germanium Substrate for Optics and Epi-growth
Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth
Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward<111>
Test Method for Dislocation Density of Monocrystal Germanium