GE (germanio) Cristales individuales y Obleas

Ge (germanio) Cristales individuales y obleas

PAM-XIAMEN ofrece obleas de germanio de 2 ”, 3”, 4 ”y 6”, que es la abreviatura de obleas Ge cultivadas por VGF / LEC. La oblea de germanio tipo P y N ligeramente dopada también se puede utilizar para el experimento de efecto Hall. A temperatura ambiente, el germanio cristalino es frágil y tiene poca plasticidad. El germanio tiene propiedades semiconductoras. El germanio de alta pureza se dopa con elementos trivalentes (como indio, galio, boro) para obtener semiconductores de germanio de tipo P; y los elementos pentavalentes (como el antimonio, el arsénico y el fósforo) se dopan para obtener semiconductores de germanio de tipo N. El germanio tiene buenas propiedades semiconductoras, como alta movilidad de electrones y alta movilidad de huecos.
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Descripción del Producto

Single Crystal Germanium Wafer

PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.

1. Propiedades de la oblea de germanio

1.1 Propiedades generales de la oblea de germanio

Estructura de propiedades generales Cúbico, a = 5,6754 Å
Densidad: 5.765 g / cm3
Punto de fusión: 937,4 oC
Conductividad térmica: 640
Tecnología de crecimiento de cristal Czochralski
Dopaje disponible sin dopar Dopaje sb Dopaje en o Ga
Tipo conductivo / N P
Resistividad, ohm.cm >35 <0.05 0,05 - 0,1
EPD <5 × 103 / cm2 <5 × 103 / cm2 <5 × 103 / cm2
<5 × 102 / cm2 <5 × 102 / cm2 <5 × 102 / cm2

 

1.2 Grades and Application of Germanium wafer

Grado electrónico Utilizado para diodos y transistores,
Grado infrarrojo u óptico Utilizado para ventanas o discos ópticos IR, componentes ópticos
Grado celular Utilizado para sustratos de células solares

 

1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

cristal Orientación <111>, <100> y <110> ± 0.5o u orientación personalizada
Bola de cristal como crecida 1 ″ ~ 6 ″ de diámetro x 200 mm de longitud
Pieza en blanco estándar como corte 1 pulgada x 0,5 mm 2 ″ x0,6 mm 4 ″ x0,7 mm 5 ″ y 6 ″ x0,8 mm
Oblea pulida estándar (pulido por uno / dos lados) 1 ″ x 0,30 mm 2 ″ x0,5 mm 4 ″ x0,5 mm 5 ″ y 6 ″ x0,6 mm
  • Tamaños y orientaciones especiales están disponibles a pedido de obleas

2. Especificación de la oblea de germanio

2.1 Especificación de la oblea de germanio de 2 ", 3", 4 "y 6" de tamaño

Artículo Especificaciones Observaciones
Método de crecimiento VGF
Tipo de conducción tipo n, tipo p, sin dopar  
dopante Galio o Antimonio
oblea Diamter 2, 3,4 y 6 pulgada
cristal Orientación (100), (111), (110)
Espesor 200 ~ 550 um
DE EJ o US
concentración de portadores solicitud a los clientes  
Resistividad a temperatura ambiente (0,001 ~ 80) Ohm.cm
Densidad de grabado Pit <5000 / cm2
Marcado láser a pedido
Acabado de la superficie P / E o P / P
Epi listo
Paquete Recipiente o casete de una oblea

 

2.2 Oblea de germanio para celda solar

Especificación de la oblea Ge de 4 pulgadas para células solares -
dopaje P -
Sustancias dopantes Ge-Ga -
Diámetro 100 ± 0,25 milímetro -
Orientación (100) 9 ° hacia <111> +/- 0.5
Ángulo de inclinación fuera de la orientación N / A -
Orientación plana primaria N / A -
Longitud plana primaria 32 ± 1 mm
Orientación plana secundaria N / A -
Secundaria plana Longitud N / A mm
cc (0,26-2,24) E18 / cc
Resistividad (0,74-2,81) E-2 ohm.cm
Movilidad de electrones 382-865 cm2 / vs
EPD <300 / cm2
Marcos láser N / A -
Espesor 175 ± 10 μm
TTV <15 μm
TIR N / A μm
ARCO <10 μm
Deformación <10 μm
Cara frontal Pulido -
Cara posterior Suelo -

 

2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)

PAM180212-GE

Artículo DSP Ge Wafer
Dia 4 "
Espesor 1.50mm +/- 0.10mm
Orientación N / A
Conductivity N / A
Resistividad N / A
Proceso de superficie Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture
Other Parameters 60-40 scratch-dig or better
Less than 2 arc minutes parallelism
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture

 

2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)

4″ Germanium wafer with low plasma frequency, undoped ,175µm+/-25um. (100), single side polished.

3. Germanium Wafer Process

With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) Se obtiene germanio de alta pureza durante el refinado de la zona.
2) Se produce un cristal de germanio mediante el proceso de Czochralski.
3) La oblea de germanio se fabrica mediante varios pasos de corte, esmerilado y grabado.
4) Las obleas se limpian e inspeccionan. Durante este proceso, las obleas son pulidas por una cara o por dos caras según los requisitos de la aduana, viene la oblea preparada para epi.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

4. Application of Germanium:

Los espacios en blanco o la ventana de germanio se utilizan en soluciones de imágenes termográficas y de visión nocturna para equipos de seguridad comercial, extinción de incendios y monitoreo industrial. Además, se utilizan como filtros para equipos analíticos y de medición, ventanas para medición remota de temperatura y espejos para láseres.

Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.

5. Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

 

 

 

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Ge Wafer Supplier

P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell

Germanium Substrate for Optics and Epi-growth

As-cut Germanium (Ge) Window

Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth

Lingote de germanio (Ge)

Oblea de germanio monocristalino con orientación (110) hacia <111>

Método de prueba para determinar la densidad de dislocación del germanio monocristalino

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