Servicios de fundición de obleas
PAM-XIAMEN proporciona servicios de fundición de obleas con tecnología avanzada de proceso de semiconductores y se beneficia de nuestras experiencias iniciales de expansión de sustratos y obleas,
PAM-XIAMEN será la tecnología de obleas y los servicios de fundición más avanzados para empresas sin fábricas, IDM e investigadores.
- Descripción
Descripción del Producto
PAM-XIAMEN proporciona servicios de fundición de obleas en la fabricación de semiconductores.
Gracias por la avanzada tecnología de proceso de semiconductores y benefíciese de nuestras experiencias iniciales de expansión de sustratos y obleas,
PAM-XIAMEN será la tecnología de obleas y los servicios de fundición más avanzados para empresas sin fábricas, IDM e investigadores.
Actualmente contamos con instalaciones de fabricación de obleas de 200 mm (fab) para microfabricación.
Wafer Foundry Service
| Prozessname | Wafergröße (Zoll) | Fähigkeit |
| Schrittphotolithographie | 6 | 0,40 um |
| Kontaktierte Fotolithografie | 2,4 | 3 um |
| Trockenätzen | 6 | Tiefe 100 um (Si)，Metall, GaN |
| Nasse Bank | 6,8 | Metall, SiO 2, SiN, TEOS, Polysilicium |
| PECVD | 6 | SiN SiO2.TEOS |
| LPCVD | 6 | SiN, SiO2.Poly-Silizium |
| ALD | 6 | Al 2 O 3, AIN |
| Sputtern | 6 | Ti.Al, TiN, Ni, W. TiW.WN |
| Elektronenstrahl | 4,6,8 | Ti, Ni, Ag. Al.Ta, Cr Pt.Mo, Co. |
| Implantación | 6 | B (20 – 200 KeV, 1E13 – 115) .N |
| RTP | 6 | 900C máx. |
| Backofen | 6 | 400C máx. |
Las capacidades del servicio de fundición para la fabricación de obleas son:
Proceso de metal para hasta 8 ″: Metalización de obleas con Ti, Ni, Ag, Pt, Mo, Al, W, Cr, etc.por sistema de sputter o sistema E-beam
Proceso de grabado en seco de hasta 6 ″ mediante equipos de grabado ALM, SAMCO RIE o ICP
Proceso de película: película delgada de SiO2, SiN, Al2O3 de PECVD, DF & LPCVD, ALD y Unitemp RTP.
4.Proceso de litografía para 2 ″ / 4 ″ / 6 ″: Mín. ancho de línea 0.4um por Nikon Stepper
Litografía de proyección: CD 2um, precisión 1um
Equipo de implante de iones (B +, BF2 +, P +, As +, Ar +, B ++, P ++) para 2 ″ / 4 ″ / 6 ″ de ULVAC
El proceso de fabricación de obleas se realiza para procesar obleas crudas hasta chips terminados.
El proceso tradicional de fabricación de obleas implica pasos individuales para resistencias, transistores, conductores,
y procesamiento de otros componentes electrónicos en la oblea semiconductora.
Podemos ofrecer nanolitografía (fotolitografía): preparación de superficies, aplicación de fotorresistencia, horneado suave,
Alineación, exposición, revelado, horneado duro, revelado, inspección, grabado, eliminación de fotorresistente (tira), inspección final.
Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web:https://www.powerwaywafer.com/wafer-fabrication
enviar correo electrónico a sales@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com
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