Cz Mono-Crystalline Silicon
PAM-XIAMEN, un productor de silicio monocristalino a granel, puede ofrecer obleas de silicio monocristalino <100>, <110> y <111> con dopante N&P en 76,2~200 mm, que se cultivan mediante el método CZ. El método Czochralski es un método de crecimiento de cristales, denominado método CZ. Está integrado en un sistema de calor de tubo recto, calentado por resistencia de grafito, funde el polisilicio contenido en un crisol de cuarzo de alta pureza y luego inserta el cristal semilla en la superficie de la masa fundida para soldar. Después de eso, el cristal semilla giratorio se baja y se funde. El cuerpo es infiltrado y tocado, levantado gradualmente y terminado o tirado a través de los pasos de cuello, cuello, hombro, control de igual diámetro y acabado.
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Descripción del Producto
PAM-XIAMEN, un productor de silicio monocristalino a granel, puede ofrecer obleas de silicio monocristalino <100>, <110> y <111> con dopante N&P en 76,2~200 mm, que se cultivan mediante el método CZ. El método Czochralski es un método de crecimiento de cristales, denominado método CZ. Está integrado en un sistema de calor de tubo recto, calentado por resistencia de grafito, funde el polisilicio contenido en un crisol de cuarzo de alta pureza y luego inserta el cristal semilla en la superficie de la masa fundida para soldar. Después de eso, el cristal semilla giratorio se baja y se funde. El cuerpo es infiltrado y tocado, levantado gradualmente y terminado o tirado a través de los pasos de cuello, cuello, hombro, control de igual diámetro y acabado.
1. Especificaciones para obleas de silicio monocristalino CZ
| Tipo | Tipo de conducción | Orientación | Diámetro (mm) | Conductividad (Ω•cm) |
| CZ | NOTARIO PÚBLICO | <100><110>&<111> | 76.2-200 | 1-300 |
| MCZ | NOTARIO PÚBLICO | <100><110>&<111> | 76.2-200 | 1-300 |
| Dopaje pesado | NOTARIO PÚBLICO | <100><110>&<111> | 76.2-200 | 0.001-1 |
| Diámetro (mm) | Espesor (um) | |
| Oblea | 76.2-200 | ≥160 |
2. Clasificación de la oblea de silicio monocristalino CZ
2.1CZ-silicio
Los fuertemente/ligeramente dopadosSilicio monocristalino CZes adecuado para la fabricación de varios circuitos integrados (IC), diodos, triodos, panel solar de energía verde. Durante la producción de silicio monocristalino, los elementos especiales (como Ga, Ge) se pueden agregar para producir materiales de células solares de alta eficiencia, resistentes a la radiación y antidegeneración para componentes especiales.
CZ cristal fuertemente dopado
Al adoptar el dispositivo de dopaje especial y la tecnología de obleas de silicio monocristalino CZ, se puede producir una película delgada de silicio monocristalino CZ altamente dopada (P, Sb, As) con muy baja resistividad, se usa principalmente como material de revestimiento para obleas epitaxiales y se usa para producir dispositivos electrónicos especiales para fuentes de alimentación conmutadas LSI, diodos Schottky y dispositivos electrónicos de potencia de alta frecuencia de control de campo.
<110> Orientación especial CZ-silicio
La<110>silicio monocristalinotiene la orientación original <110>, el procesamiento adicional para el ajuste de orientación es innecesario; la estructura de cristal de silicio monocristalino <110> tiene las características perfectas y un bajo contenido de oxígeno y carbono, es un nuevo material de celda solar y se puede utilizar como material de celda de nueva generación.
2.2MCZ-Silicio Monocristalino
El campo magnético se utiliza en el proceso czochralski para producir obleas de silicio monocristalino CZ con las características de bajo contenido de oxígeno y alta uniformidad de resistividad; losMCZsilicioes adecuado para producir materiales de silicio para varios circuitos integrados, dispositivos discretos y baterías solares de bajo oxígeno.
Nuestras ventajas de un vistazo
1.Equipo avanzado de crecimiento de epitaxia y equipo de prueba.
2. Ofrecer la más alta calidad con baja densidad de defectos y buena rugosidad superficial.
3. Fuerte apoyo del equipo de investigación y soporte tecnológico para nuestros clientes.
Grosor de la oblea de silicio Prime CZ de 4″ = 200 ± 25 µm-1
Grosor de la oblea de silicio Prime CZ de 4″ = 200 ± 25 µm-2
Grosor de la oblea de silicio Prime CZ de 4″ = 200 ± 25 µm-3
Espesor de la oblea de silicio CZ Prime de 4″ 525 ± 25 µm
Grosor de la oblea de silicio Prime CZ de 4″ 525±25 µm
Espesor de la oblea de silicio CZ Prime de 4″ 525 ± 25 µm-2
4 ″ CZ Prime Silicon Wafer Espesor 525 ± 25 µm-3
Grosor de la oblea de silicio Prime de 4″ CZ 525 ± 25 µm-4
4″ CZ Prime Silicon Wafer Grosor 1500±25μm
4″ CZ Prime Silicon Wafer Espesor 200um.
Oblea de silicio CZ Prime de 8 ″
6 "CZ primer oblea de silicio-1
Oblea de silicio CZ Prime de 4″
Oblea de silicio CZ Prime de 4″
4 "CZ primer oblea de silicio-6
4 "CZ primer oblea de silicio-8
4 "CZ primer oblea de silicio-9
Oblea 15 de silicona CZ Prime de 4 ″
Oblea 16 de silicona CZ Prime de 4 ″
Oblea de silicio de 2″ CZ Prime
2 "CZ primer oblea de silicio-1
3 "CZ primer oblea de silicio-1
Obleas de silicio de 12 ″ 300 mm TOX (Oblea de oxidación térmica de Si)
12 "Primer Grado oblea de silicio
4″ CZ Epitaxial Prime Silicon Wafer-3
Oblea de óxido de silicio de 2 ″
Oblea de óxido de silicio de 3 ″
Oblea de óxido de silicio de 4 ″
Oblea de silicio CZ de 8 ″ SSP
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