Sustrato de GaN independiente
PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para autoportante oblea sustrato de GaN (nitruro de galio), que es para UHB-LED y LD. Grown por la tecnología de hidruro de epitaxia en fase vapor (HVPE), nuestro sustrato de GaN tiene una baja densidad de defectos.
- Descripción
Descripción del Producto
sustrato de GaN independiente
As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)Oblea de sustrato de GaN which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our Sustrato de GaN for III-nitride devices has low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.
In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.
Especificación del sustrato de GaN independiente
Aquí se muestra la especificación detallada:
4 ″ N tipo Si dopado con GaN (Nitruro de galio) Sustrato independiente
Artículo | PAM-FS-GaN100-N + |
Tipo de conducción | Tipo N / Si dopado |
Tamaño | 4 ″ (100) +/- 1 mm |
Espesor | 480 +/- 50 |
Orientación | Eje C (0001) +/- 0.5o |
Localización plana primaria | (10-10) +/- 0,5o |
Longitud plana primaria | 32 +/- 1 mm |
Ubicación secundaria plana | (1-210) +/- 3o |
Secundaria plana Longitud | 18+/-1mm |
Resistividad (300K) | <0.05Ω · cm |
densidad de dislocaciones | <5x106cm-2 |
FWHM | <= 100arc.seg |
TTV | <= 30um |
ARCO | <= + / - 30um |
Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido |
— | Superficie trasera: 1. suelo fino |
— | 2.Pulido. |
Superficie útil | ≥ 90% |
Nitruro de galio de 4 ″ tipo N sin dopar GaN () Sustrato independiente
Artículo | PAM-FS-GaN100-N- |
Tipo de conducción | Tipo N / sin dopar |
Tamaño | 4 ″ (100) +/- 1 mm |
Espesor | 480 +/- 50 |
Orientación | Eje C (0001) +/- 0.5o |
Localización plana primaria | (10-10) +/- 0,5o |
Longitud plana primaria | 32 +/- 1 mm |
Ubicación secundaria plana | (1-210) +/- 3o |
Secundaria plana Longitud | 18+/-1mm |
Resistividad (300K) | <0.5Ω · cm |
densidad de dislocaciones | <5x106cm-2 |
FWHM | <= 100arc.seg |
TTV | <= 30um |
ARCO | <= + / - 30um |
Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido |
— | Superficie trasera: 1. suelo fino |
— | 2.Pulido. |
Superficie útil | ≥ 90% |
Sustrato independiente de 4 ″ GaN (de nitruro de galio semi-aislante)
Artículo | PAM-FS-GaN100-SI |
Tipo de conducción | Semi-aislante |
Tamaño | 4 ″ (100) +/- 1 mm |
Espesor | 480 +/- 50 |
Orientación | Eje C (0001) +/- 0.5o |
Localización plana primaria | (10-10) +/- 0,5o |
Longitud plana primaria | 32 +/- 1 mm |
Ubicación secundaria plana | (1-210) +/- 3o |
Secundaria plana Longitud | 18+/-1mm |
Resistividad (300K) | > 10 ^ 6Ω · cm |
densidad de dislocaciones | <5x106cm-2 |
FWHM | <= 100arc.seg |
TTV | <= 30um |
ARCO | <= + / - 30um |
Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido |
— | Superficie trasera: 1. suelo fino |
— | 2.Pulido. |
Superficie útil | ≥ 90% |
2 ″ Nitruro de galio dopado con GaN () Sustrato independiente
Artículo | PAM-FS-GaN50-N + | |||
Tipo de conducción | Tipo N / Si dopado | |||
Tamaño | 2 "(50.8) +/- 1mm | |||
Espesor | 400 +/- 50 | |||
Orientación | Eje C (0001) +/- 0.5o | |||
Localización plana primaria | (10-10) +/- 0,5o | |||
Longitud plana primaria | 16 +/- 1mm | |||
Ubicación secundaria plana | (1-210) +/- 3o | |||
Secundaria plana Longitud | 8 +/- 1mm | |||
Resistividad (300K) | <0.05Ω · cm | |||
densidad de dislocaciones | <5x106cm-2 | |||
FWHM | <= 100arc.seg | |||
TTV | <= 15 uM | |||
ARCO | <= + / - 20um | |||
Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido | |||
Superficie trasera: 1. suelo fino | ||||
2.Pulido. | ||||
Área utilizable | ≥ 90% |
Sustrato independiente de 2 ″ GaN (de nitruro de galio sin doblar
Artículo | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
Tipo de conducción | Tipo N / sin dopar | ||||
Tamaño | 2 "(50.8) +/- 1mm | ||||
Espesor | 400 +/- 50 | ||||
Orientación | Eje C (0001) +/- 0.5o | ||||
Localización plana primaria | (10-10) +/- 0,5o | ||||
Longitud plana primaria | 16 +/- 1mm | ||||
Ubicación secundaria plana | (1-210) +/- 3o | ||||
Secundaria plana Longitud | 8 +/- 1mm | ||||
Resistividad (300K) | <0.5Ω · cm | ||||
densidad de dislocaciones | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <= 100arc.seg | ||||
TTV | <= 15 uM | ||||
ARCO | <= + / - 20um | ||||
Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido | ||||
Superficie trasera: 1. suelo fino | |||||
2.Pulido. | |||||
Área utilizable | ≥ 90% |
2 ″ Semi-Aislante GaN (Nitruro de Galio) Sustrato Independiente
Artículo | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
Tipo de conducción | Semi-aislante | ||||
Tamaño | 2 "(50.8) +/- 1mm | ||||
Espesor | 400 +/- 50 | ||||
Orientación | Eje C (0001) +/- 0.5o | ||||
Localización plana primaria | (10-10) +/- 0,5o | ||||
Longitud plana primaria | 16 +/- 1mm | ||||
Ubicación secundaria plana | (1-210) +/- 3o | ||||
Secundaria plana Longitud | 8 +/- 1mm | ||||
Resistividad (300K) | > 10 ^ 6Ω · cm | ||||
densidad de dislocaciones | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <= 100arc.seg | ||||
TTV | <= 15 uM | ||||
ARCO | <= + / - 20um | ||||
Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido | ||||
Superficie trasera: 1. suelo fino | |||||
2.Pulido. | |||||
Área utilizable | ≥ 90% |
15 mm, 10 mm, 5 mmDe pieSustrato de GaN
Artículo | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
Tipo de conducción | N-tipo | Semiaislante | |
Tamaño | 14,0 mm * 15 mm 10,0 mm * 10,5 mm 5,0 * 5,5 mm | ||
Espesor | 330-450um | ||
Orientación | Eje C (0001) +/- 0.5o | ||
Localización plana primaria | |||
Longitud plana primaria | |||
Ubicación secundaria plana | |||
Secundaria plana Longitud | |||
Resistividad (300K) | <0.5Ω · cm | > 106Ω · cm | |
densidad de dislocaciones | <5x106cm-2 | ||
Densidad Marco Defecto | 0cm-2 | ||
TTV | <= 15 uM | ||
ARCO | <= 20um | ||
Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra <0.2nm.Epi-ready pulido | ||
Superficie trasera: 1. suelo fino | |||
2.Molido áspero | |||
Superficie útil | ≥ 90% |
Nota:
Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate
Aplicación de sustrato de GaN
Iluminación de estado sólido: los dispositivos GaN se utilizan como diodos emisores de luz (LED) de brillo ultra alto, televisores, automóviles e iluminación general.
DVD Storage: Blue laser diodes
Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites
Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth
Estaciones base inalámbricas: transistores de potencia RF
Acceso inalámbrico de banda ancha: MMIC de alta frecuencia, MMIC de circuitos de RF
Sensores de presión: MEMS
Sensores de calor: detectores piroeléctricos
PAcondicionamiento de potencia: Integración GaN / Si de señal mixta
Electrónica automotriz: electrónica de alta temperatura
Líneas de transmisión de energía: electrónica de alto voltaje
Sensores de cuadro: detectores UV
Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride
(InGaN) aleaciones perfectas para crear material de células solares. Debido a esta ventaja, las células solares de InGaN cultivadas en sustratos de GaN están preparadas para convertirse en una de las nuevas aplicaciones más importantes y en el mercado de crecimiento para las obleas de sustrato de GaN.
Ideal para HEMT, FET