sustrato de GaN independiente

Descripción del Producto

sustrato de GaN independiente

As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)Oblea de sustrato de GaN  which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our Sustrato de GaN for III-nitride devices has  low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.

In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.

Especificación del sustrato de GaN independiente

 Aquí se muestra la especificación detallada:

4 ″ N tipo Si dopado con GaN （Nitruro de galio) Sustrato independiente

Nitruro de galio de 4 ″ tipo N sin dopar GaN （) Sustrato independiente

Sustrato independiente de 4 ″ GaN （de nitruro de galio semi-aislante)

2 ″ Nitruro de galio dopado con GaN （) Sustrato independiente

Sustrato independiente de 2 ″ GaN （de nitruro de galio sin doblar

2 ″ Semi-Aislante GaN （Nitruro de Galio) Sustrato Independiente

15 mm, 10 mm, 5 mmDe pieSustrato de GaN

Nota:

Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate

Aplicación de sustrato de GaN

Iluminación de estado sólido: los dispositivos GaN se utilizan como diodos emisores de luz (LED) de brillo ultra alto, televisores, automóviles e iluminación general.

DVD Storage: Blue laser diodes

Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites

Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth

Estaciones base inalámbricas: transistores de potencia RF

Acceso inalámbrico de banda ancha: MMIC de alta frecuencia, MMIC de circuitos de RF

Sensores de presión: MEMS

Sensores de calor: detectores piroeléctricos

PAcondicionamiento de potencia: Integración GaN / Si de señal mixta

Electrónica automotriz: electrónica de alta temperatura

Líneas de transmisión de energía: electrónica de alto voltaje

Sensores de cuadro: detectores UV

Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride

(InGaN) aleaciones perfectas para crear material de células solares. Debido a esta ventaja, las células solares de InGaN cultivadas en sustratos de GaN están preparadas para convertirse en una de las nuevas aplicaciones más importantes y en el mercado de crecimiento para las obleas de sustrato de GaN.

Ideal para HEMT, FET