sustrato de GaN independiente

Descripción del Producto

sustrato de GaN independiente

Como proveedor líder de sustratos de GaN, PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para autoestables (nitruro de galio)Oblea de sustrato de GaNque es sustrato de GaN a granel para UHB-LED, LD y fabricación como dispositivos basados ​​en MOS. Desarrollado por la tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE), nuestroSustrato de GaNpara los dispositivos de nitruro III tiene una densidad de defectos baja y una densidad de macrodefectos menor o libre. El grosor del sustrato de GaN es de 330~530 μm.

Además de los dispositivos de alimentación, los sustratos semiconductores de nitruro de galio se utilizan cada vez más en la fabricación de LED de luz blanca porque los sustratos LED de GaN proporcionan características eléctricas mejoradas y su rendimiento supera a los dispositivos actuales. Además, el rápido desarrollo de la tecnología de sustratos de nitruro de galio ha llevado al desarrollo de sustratos independientes de GaN de alta eficiencia con baja densidad de defectos y densidad de macrodefectos libres. Por lo tanto, dichos sustratos de GaN se pueden usar cada vez más para LED blancos. Como resultado, el mercado de sustratos de GaN a granel está creciendo rápidamente. Por cierto, la oblea de GaN a granel se puede utilizar para probar conceptos de dispositivos de potencia vertical.

1. Specification of Freestanding GaN substrate

 Aquí se muestra la especificación detallada:

1.1 4″ N type Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.2 4″ N Type Low Doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.3 4″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.4 2″ Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.5 2″ Low doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.6 2″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.7 15mm,10mm,5mm De pieSustrato de GaN

Nota:

Oblea de validación:Teniendo en cuenta la comodidad de uso, PAM-XIAMEN ofrece una oblea de validación de zafiro de 2″ para sustratos de GaN independientes de tamaño inferior a 2″

2. Properties of Freestanding GaN Substrate

3. Application of GaN Substrate

Iluminación de estado sólido: los dispositivos GaN se utilizan como diodos emisores de luz (LED) de brillo ultra alto, televisores, automóviles e iluminación general.

Almacenamiento de DVD: diodos láser azules

Dispositivo de potencia: Los dispositivos fabricados en sustrato a granel de GaN se utilizan como diversos componentes en electrónica de potencia de alta potencia y alta frecuencia, como estaciones base celulares, satélites, amplificadores de potencia e inversores/convertidores para vehículos eléctricos (EV) y vehículos eléctricos híbridos (HEV). ). La baja sensibilidad de GaN a la radiación ionizante (al igual que otros nitruros del grupo III) lo convierte en un material adecuado para aplicaciones espaciales, como conjuntos de células solares para satélites y dispositivos de alta potencia y alta frecuencia para satélites de comunicación, meteorológicos y de vigilancia.

Sustrato de nitruro de galio puro Iacuerdo para el recrecimiento de III-Nitrides

Estaciones base inalámbricas: transistores de potencia RF

Acceso inalámbrico de banda ancha: MMIC de alta frecuencia, MMIC de circuitos de RF

Sensores de presión: MEMS

Sensores de calor: detectores piroeléctricos

PAcondicionamiento de potencia: Integración GaN / Si de señal mixta

Electrónica automotriz: electrónica de alta temperatura

Líneas de transmisión de energía: electrónica de alto voltaje

Sensores de cuadro: detectores UV

Células solares: la brecha de banda ancha de GaN cubre el espectro solar de 0,65 eV a 3,4 eV (que es prácticamente todo el espectro solar), lo que produce nitruro de indio y galio

(InGaN) aleaciones perfectas para crear material de células solares. Debido a esta ventaja, las células solares de InGaN cultivadas en sustratos de GaN están preparadas para convertirse en una de las nuevas aplicaciones más importantes y en el mercado de crecimiento para las obleas de sustrato de GaN.

Ideal para HEMT, FET

Proyecto de diodo Schottky de GaN: Aceptamos especificaciones personalizadas de diodos Schottky fabricados en capas independientes de nitruro de galio (GaN) cultivadas con HVPE de tipos n y p.

Ambos contactos (óhmicos y Schottky) se depositaron en la superficie superior utilizando Al/Ti y Pd/Ti/Au.

Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperamos su comprensión y cooperación!