sustrato de GaN independiente

Sustrato de GaN independiente

PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para autoportante oblea sustrato de GaN (nitruro de galio), que es para UHB-LED y LD. Grown por la tecnología de hidruro de epitaxia en fase vapor (HVPE), nuestro sustrato de GaN tiene una baja densidad de defectos.

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Descripción del Producto

sustrato de GaN independiente

As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)Oblea de sustrato de GaN  which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our Sustrato de GaN for III-nitride devices has  low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.

In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.

Especificación del sustrato de GaN independiente

 Aquí se muestra la especificación detallada:

4 ″ N tipo Si dopado con GaN (Nitruro de galio) Sustrato independiente

Artículo PAM-FS-GaN100-N +
Tipo de conducción Tipo N / Si dopado
Tamaño 4 ″ (100) +/- 1 mm
Espesor 480 +/- 50
Orientación Eje C (0001) +/- 0.5o
Localización plana primaria (10-10) +/- 0,5o
Longitud plana primaria 32 +/- 1 mm
Ubicación secundaria plana (1-210) +/- 3o
Secundaria plana Longitud 18+/-1mm
Resistividad (300K) <0.05Ω · cm
densidad de dislocaciones <5x106cm-2
FWHM <= 100arc.seg
TTV <= 30um
ARCO <= + / - 30um
Acabado de la superficie Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido
Superficie trasera: 1. suelo fino
2.Pulido.
Superficie útil ≥ 90%

 

Nitruro de galio de 4 ″ tipo N sin dopar GaN () Sustrato independiente

Artículo PAM-FS-GaN100-N-
Tipo de conducción Tipo N / sin dopar
Tamaño 4 ″ (100) +/- 1 mm
Espesor 480 +/- 50
Orientación Eje C (0001) +/- 0.5o
Localización plana primaria (10-10) +/- 0,5o
Longitud plana primaria 32 +/- 1 mm
Ubicación secundaria plana (1-210) +/- 3o
Secundaria plana Longitud 18+/-1mm
Resistividad (300K) <0.5Ω · cm
densidad de dislocaciones <5x106cm-2
FWHM <= 100arc.seg
TTV <= 30um
ARCO <= + / - 30um
Acabado de la superficie Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido
Superficie trasera: 1. suelo fino
2.Pulido.
Superficie útil ≥ 90%

 

Sustrato independiente de 4 ″ GaN (de nitruro de galio semi-aislante)

Artículo PAM-FS-GaN100-SI
Tipo de conducción Semi-aislante
Tamaño 4 ″ (100) +/- 1 mm
Espesor 480 +/- 50
Orientación Eje C (0001) +/- 0.5o
Localización plana primaria (10-10) +/- 0,5o
Longitud plana primaria 32 +/- 1 mm
Ubicación secundaria plana (1-210) +/- 3o
Secundaria plana Longitud 18+/-1mm
Resistividad (300K) > 10 ^ 6Ω · cm
densidad de dislocaciones <5x106cm-2
FWHM <= 100arc.seg
TTV <= 30um
ARCO <= + / - 30um
Acabado de la superficie Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido
Superficie trasera: 1. suelo fino
2.Pulido.
Superficie útil ≥ 90%

 

2 ″ Nitruro de galio dopado con GaN () Sustrato independiente

Artículo PAM-FS-GaN50-N +
Tipo de conducción Tipo N / Si dopado
Tamaño 2 "(50.8) +/- 1mm
Espesor 400 +/- 50
Orientación Eje C (0001) +/- 0.5o
Localización plana primaria (10-10) +/- 0,5o
Longitud plana primaria 16 +/- 1mm
Ubicación secundaria plana (1-210) +/- 3o
Secundaria plana Longitud 8 +/- 1mm
Resistividad (300K) <0.05Ω · cm
densidad de dislocaciones <5x106cm-2
FWHM <= 100arc.seg
TTV <= 15 uM
ARCO <= + / - 20um
Acabado de la superficie Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido
  Superficie trasera: 1. suelo fino
  2.Pulido.
Área utilizable ≥ 90%


 

Sustrato independiente de 2 ″ GaN (de nitruro de galio sin doblar

Artículo PAM-FS-GaN50-N-
Tipo de conducción Tipo N / sin dopar
Tamaño 2 "(50.8) +/- 1mm
Espesor 400 +/- 50
Orientación Eje C (0001) +/- 0.5o
Localización plana primaria (10-10) +/- 0,5o
Longitud plana primaria 16 +/- 1mm
Ubicación secundaria plana (1-210) +/- 3o
Secundaria plana Longitud 8 +/- 1mm
Resistividad (300K) <0.5Ω · cm
densidad de dislocaciones <5x106cm-2
FWHM <= 100arc.seg
TTV <= 15 uM
ARCO <= + / - 20um
Acabado de la superficie Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido
  Superficie trasera: 1. suelo fino
    2.Pulido.
Área utilizable ≥ 90%


 

2 ″ Semi-Aislante GaN (Nitruro de Galio) Sustrato Independiente

Artículo PAM-FS-GaN50-SI
Tipo de conducción Semi-aislante
Tamaño 2 "(50.8) +/- 1mm
Espesor 400 +/- 50
Orientación Eje C (0001) +/- 0.5o
Localización plana primaria (10-10) +/- 0,5o
Longitud plana primaria 16 +/- 1mm
Ubicación secundaria plana (1-210) +/- 3o
Secundaria plana Longitud 8 +/- 1mm
Resistividad (300K) > 10 ^ 6Ω · cm
densidad de dislocaciones <5x106cm-2
FWHM <= 100arc.seg
TTV <= 15 uM
ARCO <= + / - 20um
Acabado de la superficie Superficie frontal: Ra <= 0.3nm.Epi-ready pulido
  Superficie trasera: 1. suelo fino
    2.Pulido.
Área utilizable ≥ 90%

15 mm, 10 mm, 5 mmDe pieSustrato de GaN

Artículo PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
Tipo de conducción N-tipo Semiaislante
Tamaño 14,0 mm * 15 mm 10,0 mm * 10,5 mm 5,0 * 5,5 mm
Espesor 330-450um
Orientación Eje C (0001) +/- 0.5o
Localización plana primaria  
Longitud plana primaria  
Ubicación secundaria plana  
Secundaria plana Longitud  
Resistividad (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
densidad de dislocaciones <5x106cm-2
Densidad Marco Defecto 0cm-2
TTV <= 15 uM
ARCO <= 20um
Acabado de la superficie Superficie frontal: Ra <0.2nm.Epi-ready pulido
  Superficie trasera: 1. suelo fino
    2.Molido áspero
Superficie útil ≥ 90%


            

Nota:

Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate

Aplicación de sustrato de GaN

Iluminación de estado sólido: los dispositivos GaN se utilizan como diodos emisores de luz (LED) de brillo ultra alto, televisores, automóviles e iluminación general.

DVD Storage: Blue laser diodes

Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites


Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth

Estaciones base inalámbricas: transistores de potencia RF

Acceso inalámbrico de banda ancha: MMIC de alta frecuencia, MMIC de circuitos de RF

Sensores de presión: MEMS

Sensores de calor: detectores piroeléctricos

PAcondicionamiento de potencia: Integración GaN / Si de señal mixta

Electrónica automotriz: electrónica de alta temperatura

Líneas de transmisión de energía: electrónica de alto voltaje

Sensores de cuadro: detectores UV

Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride

(InGaN) aleaciones perfectas para crear material de células solares. Debido a esta ventaja, las células solares de InGaN cultivadas en sustratos de GaN están preparadas para convertirse en una de las nuevas aplicaciones más importantes y en el mercado de crecimiento para las obleas de sustrato de GaN.

Ideal para HEMT, FET

Proyecto de diodo GaN Schottky: Aceptamos especificaciones personalizadas de diodos Schottky fabricados en capas de nitruro de galio (GaN) independientes cultivadas con HVPE de tipos n y p.
Ambos contactos (óhmico y Schottky) se depositaron en la superficie superior usando Al / Ti y Pd / Ti / Au.
Ofreceremos informes de prueba, vea un ejemplo a continuación:

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