Productos

GaN HEMT epitaxial

GaN oblea

PAM-XIAMEN ofrece sustrato de oblea de nitruro de galio para UHB-LED, oblea de nitruro de galio, LD y otros dispositivos semiconductores.

Sustrato de oblea de SiC (carburo de silicio)

SiC oblea

Obleas de carburo de silicio (CˆSiC) PAM-XIAMEN® ofrece obleas crónicas de carburo de silicio y epitaxia, que se utiliza para dispositivos optoelectrónicos, dispositivos de alta potencia, dispositivos de alta temperatura, dispositivos de potencia de alta frecuencia

GaAs oblea

GaAs oblea

PAM-XIAMEN ofrece sustrato de oblea de arseniuro de galio y epitaxia para aplicaciones de LED, LD y microelectrónica

GaSb oblea

Semiconductor Compuesto

PAM-XIAMEN ofrece obleas de semiconductores de indio: InSb, InP, InAs, GaSb, GaP

GE (germanio) Cristales individuales y Obleas

germanio oblea

PWAM ofrece materiales semiconductores, (Ge) Germanium Single Crystals y Wafers cultivados por VGF / LEC

productos

CdZnTe oblea

El telururo de cadmio y zinc (CdZnTe o CZT) es un nuevo semiconductor

producto de oblea

Oblea de silicio

PAM-XIAMEN, a silicon wafer manufacturing company, offers silicon wafer: FZ Silicon wafer, Test Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer, Test Wafer,CZ wafer, epitaxial wafer, polished wafer, etching wafer.

The silicon wafer manufacturing process is crystal pulling, silicon wafer dicing, silicon wafer grinding, chamfering, etching, polishing, cleaning and inspection, among which crystal pulling, silicon wafer polishing and inspection are the core links of silicon wafer manufacturing. As the basic semiconductor substrate, silicon wafers must have high standards of purity, surface flatness, cleanliness, and impurity contamination to maintain the original designed functions of the chip. The high-specification requirements of semiconductor silicon wafers make its manufacturing process complicated. The four core steps include polysilicon purification and polysilicon ingot casting, single crystal silicon wafer growth, and silicon wafer cutting and shaping. As a raw material for wafer fab, the quality of silicon wafers directly determines the stability of the silicon wafer application process. Large-size silicon wafers have become the future development trend of silicon wafers. In order to improve production efficiency and reduce costs, more and more large-size silicon wafers are used.

producto de oblea

FABRICACIÓN DE WAFER

PAM-XIAMEN ofrece una placa fotorresistente con fotorresistencia y fotomáscara, y proporciona nanolitografía (fotolitografía): preparación de superficie, aplicación de fotorresistencia, horneado suave, alineación, exposición, desarrollo, horneado duro, inspección de desarrollo, grabado, extracción de fotorresistencia (tira), inspección final.

  • 12 "Primer Grado oblea de silicio

    PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers.

  • 12 "Silicon Wafers 300mm TOX (Si térmica oxidación Wafer)

    PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

  • 12 "prueba de la categoría oblea de silicio

    PAM-XIAMEN offers 300mm bare silicon wafers (12 inch) dummy, test grade, n type or p type. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer offers professional service with competitive prices.

  • Epi oblea por un diodo láser

    La oblea de epitaxia LD basada en GaAs, que puede generar emisiones estimulantes, se usa ampliamente para fabricar diodos láser ya que las propiedades superiores de la oblea epitaxial de GaAs hacen que el dispositivo tenga un bajo consumo de energía, alta eficiencia, larga vida útil, etc. Además de la oblea LD epi de arseniuro de galio , los materiales semiconductores comúnmente utilizados son sulfuro de cadmio (CdS), fosfuro de indio (InP) y sulfuro de zinc (ZnS).

  • Flotador-Zone Mono-silicio cristalino

    PAM-XIAMEN puede ofrecer obleas de silicio de zona flotante, que se obtiene mediante el método de zona flotante. Las varillas de silicio monocristalino se obtienen a través del crecimiento de la zona de flotación y luego procesan las varillas de silicio monocristalino en obleas de silicio, llamadas obleas de silicio de zona de flotación. Dado que la oblea de silicio de zona fundida no está en contacto con el crisol de cuarzo durante el proceso de silicio de zona flotante, el material de silicio está en estado suspendido. Por lo tanto, está menos contaminado durante el proceso de fusión del silicio en la zona flotante. El contenido de carbono y el contenido de oxígeno son menores, las impurezas son menores y la resistividad es mayor. Es adecuado para la fabricación de dispositivos de potencia y ciertos dispositivos electrónicos de alto voltaje.

  • Servicios de fundición de obleas

    PAM-XIAMEN provides wafer foundry services with advanced semiconductor process technology and benefit from our upstream experiences of substrate and wafer expaxy, 

    PAM-XIAMEN is to be the most advanced wafer technology and foundry services for fabless companies,IDMs and researchers.

     

  • Prueba de la oblea Monitor de la oblea simulada de la oblea

    Como fabricante de obleas simuladas, PAM-XIAMEN ofrece obleas simuladas / obleas de prueba / obleas de control de silicona, que se utilizan en un dispositivo de producción para mejorar la seguridad al comienzo del proceso de producción y se utilizan para la verificación de la entrega y la evaluación de la forma del proceso. Como las obleas de silicio ficticias se utilizan a menudo para experimentos y pruebas, el tamaño y el grosor de las mismas son factores importantes en la mayoría de las ocasiones. Hay disponibles obleas falsas de 100 mm, 150 mm, 200 mm o 300 mm.

  • Cz Mono-silicio cristalino

    PAM-XIAMEN, a monocrystalline bulk silicon producer, can offer <100>, <110> and <111> monocrystalline silicon wafers with N&P dopant in 76.2~200 mm, which are grown by CZ method. The Czochralski method is a crystal growth method, referred to as the CZ method. It is integrated in a straight-tube heat system, heated by graphite resistance, melts the polysilicon contained in a high-purity quartz crucible, and then inserts the seed crystal into the surface of the melt for welding. After that, the rotating seed crystal is lowered and melted. The body is infiltrated and touched, gradually raised, and finished or pulled through the steps of necking, necking, shouldering, equal diameter control, and finishing.

  • Oblea de silicio epitaxial

    Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer) is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

  • oblea pulida

    PAM-XIAMEN can offer polished wafer, n type or p type with orientation at <100>, <110> or <111>. FZ polished wafers, mainly for the production of silicon rectifier (SR), silicon controlled rectifier (SCR), Giant Transistor (GTR), thyristor (GRO)

  • Aguafuerte oblea

    The etching silicon wafers offered by PAM-XIAMEN are N type or P type etching wafers, which have low roughness, low reflectivity and high reflectivity. The etching wafer has the characteristics of low roughness, good glossiness and relatively low cost, and directly substitutes the polished wafer or epitaxial wafer which has relatively high cost to produce the electronic elements in some fields, reducing the costs.

  • Fotorresistente de nanofabricación

    PAM-XIAMEN Ofertas placa de resina fotosensible con fotorresistencia