Oblea GaP: no se puede ofrecer temporalmente

GaP Wafer – Can’t Offer Temporarily

PAM-XIAMEN ofrece una oblea compuesta Semiconductor GaP - oblea de fosfuro de galio que se cultiva mediante LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
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Descripción del Producto

PAM-XIAMEN ofrece oblea GaP de semiconductores compuestos:fosfuro de galioobleas que son cultivadas por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o (100).

El fosfuro de galio (GaP), un fosfuro de galio, es un material semiconductor compuesto con una banda prohibida indirecta de 2,26 eV (300 K). El material policristalino tiene la apariencia de piezas de color naranja pálido. Las obleas de cristal de fosfuro de galio simple sin dopar aparecen de color naranja claro, pero las obleas fuertemente dopadas parecen más oscuras debido a la absorción del portador libre. Es inodoro e insoluble en agua. Las obleas de fosfuro de galio al dopar azufre o telurio pueden producir semiconductores de tipo n. El zinc se utiliza como dopante para el semiconductor de tipo p. La oblea de fosfuro de galio tiene aplicaciones en sistemas ópticos. Su índice de refracción está entre 4,30 a 262 nm (UV), 3,45 a 550 nm (verde) y 3,19 a 840 nm (IR). El monocristal de fosfuro de galio es el principal material de sustrato para la preparación de LED de luz visible roja, verde, amarilla y naranja.

Especificaciones de oblea y sustrato GaP
Tipo de conducción N-tipo
dopante s dopado
Diámetro de la oblea 50,8+/-0,5 mm
cristal Orientación (111)+/-0,5°
Orientación plana 111
Longitud plana 17,5+/-2 mm
concentración de portadores (2-7)x10^7/cm3
Resistividad a temperatura ambiente 0.05-0.4ohm.cm
Movilidad 100cm²/V.seg
Densidad de grabado Pit 3*10^5/cm²
Marcado láser a pedido
Acabado de la superficie EDUCACIÓN FÍSICA
Espesor 250+/-20um
Epi listo
Paquete Recipiente o casete de una oblea
 
Para reducir los defectos de la oblea GaP, el método de difusión de síntesis de soluto se puede utilizar para el crecimiento de cristales, pero la tasa de crecimiento es lenta y es difícil obtener cristales grandes. Actualmente, las películas crecidas epitaxialmente se utilizan principalmente en la fabricación de dispositivos de fosfuro de galio.
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo estará permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperamos su comprensión y cooperación!

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