Oblea de brecha, sustrato de brecha, oblea de fosfuro de galio

GaP Wafer – Can’t Offer Temporarily

PAM-Xiamen ofrece oblea de brecha de semiconductores compuestos: oblea de fosfuro de galio que se cultiva mediante LEC (czochralski encapsulado líquido) como grado de EPI o de grado mecánico con tipo N, tipo P o semi-aislado en diferente orientación (111) o (100).

Categoría:Semiconductor compuesto Etiquetas:Estructura cristalina de fosfuro de galio,Sustrato de fosfuro de galio,Utiliza el fosfuro de galio,Oblea de fosfuro de galio,Sustrato de gap,Oblea GaP

Description

Descripción

Pam-Xiamen ofrece oblea de brecha de semiconductores compuestos-fosfuro de galiooblea que se cultivan por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como grado listo para epi o de grado mecánico con tipo N, tipo P o semi-insulante en diferentes orientaciones (111) o (100).

El fosfuro de galio (GAP), un fosfuro de galio, es un material semiconductor compuesto con una brecha de banda indirecta de 2.26EV (300k). El material policristalino tiene la apariencia de piezas de color naranja pálido. Las obleas de cristal de fosfuro de galio sin dopar parecen naranjas claras, pero las obleas fuertemente dopadas parecen más oscuras debido a la absorción de portadores libres. Es inodoro e insoluble en el agua. Las obleas de fosfuro de galio por azufre dopante o telurio pueden producir semiconductores de tipo N. El zinc se usa como dopante para el semiconductor de tipo P. La oblea de fosfuro de galio tiene aplicaciones en sistemas ópticos. Su índice de refracción es de entre 4.30 a 262 nm (UV), 3.45 a 550 nm (verde) y 3.19 a 840 nm (IR). El cristal único de fosfuro de galio es el material de sustrato principal para la preparación de LED de luz rojo, verde, amarillo y naranja visible.

Especificaciones de oblea de brecha y sustrato
Tipo de conducción	tipo N
dopante	S dopado
Diámetro de la oblea	50.8 +/- 0.5 mm
Orientación del cristal	(111) +/- 0.5 °
Orientación plana	111
Longitud plana	17.5 +/- 2 mm
Concentración de portadores	(2-7) x10^7/cm3
Resistividad a temperatura ambiente	0.05-0.4ohm.cm
Movilidad	＞100 cm²/v.sec
Densidad de picaduras de grabado	＜3*10^5/cm²
Marcado láser	a pedido
Suface Fnish	EDUCACIÓN FÍSICA
Espesor	250 +/- 20um
Epi listo	Sí
Paquete	Contenedor o cassette de una sola oblea

Para reducir los defectos de la oblea de brecha, el método de difusión de síntesis de soluto se puede usar para el crecimiento de los cristales, pero la tasa de crecimiento es lenta y es difícil obtener grandes cristales. Actualmente, las películas cultivadas epitaxialmente se utilizan principalmente en la fabricación de dispositivos de fosfuro de galio.

Observación:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!