GaAs Epiwafer
PAM-XIAMEN fabrica varios tipos de materiales semiconductores tipo n dopados con silicio epi wafer III-V basados en Ga, Al, In, As y P cultivados por MBE o MOCVD. Suministramos estructuras de epiwafer de GaAs personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente; contáctenos para obtener más información.
- Descripción
Descripción del Producto
Oblea GaAs Epi
Como fundición líder de obleas epi de GaAs, PAM-XIAMEN fabrica varios tipos de materiales semiconductores tipo n dopados con silicio epiwafer III-V basados en Ga, Al, In, As y P cultivados por MBE o MOCVD, que producen un bajo contenido de arseniuro de galio. defecto de la oblea epi. Suministramos estructuras de epiwafer de GaAs personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente; contáctenos para obtener más información.
Tenemos números de la línea de producción de equipos epitaxiales de producción a gran escala GEN2000, GEN200 de Veeco de los Estados Unidos, conjunto completo de XRD; Mapeo PL; Surfacescan y otros equipos de análisis y pruebas de clase mundial. La empresa cuenta con más de 12.000 metros cuadrados de planta de apoyo, que incluye semiconductores súper limpios de clase mundial y una investigación y desarrollo relacionados de la generación más joven de instalaciones de laboratorio limpio.
Especificación para todos los productos nuevos y destacados de la oblea epitaxial semiconductora compuesta MBE III-V:
| Material de sustrato | Capacidad de materiales | Solicitud |
| GaAs | GaAs de baja temperatura | THz |
| GaAs | GaAs/GaAlAs/GaAs/GaAs | Diodo Schottky |
| En p | InGaAs | detector de PIN |
| En p | InP/InP/InGaAsP/InP/InGaAs | Láser |
| GaAs | GaAs/AlAs/GaAs | |
| En p | InP/InAsP/InGaAs/InAsP | |
| GaAs | GaAs/InGaAsN/AlGaAs | |
| /GaAs/AlGaAs | ||
| En p | InP/InGaAs/InP | fotodetectores |
| En p | InP/InGaAs/InP | |
| En p | InP/InGaAs | |
| GaAs | GaAs/InGaP/GaAs/AlInP | Célula solar |
| /InGaP/AlInP/InGaP/AlInP | ||
| GaAs | GaAs/GaInP/GaInAs/GaAs/AlGaAs/GalnP/GalnAs | Célula solar |
| /GalnP/GaAs/AlGaAs/AllnP/GalnP/AllnP/GalnAs | ||
| En p | Entrada/Ganancia | |
| GaAs | GaAs/AlInP | |
| GaAs | GaAs/AlGaAs/GalnP/AlGaAs/GaAs | Láser de 703 nm |
| GaAs | GaAs/AlGaAs/GaAs | |
| GaAs | GaAs/AlGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs | HEMT |
| GaAs | GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaAs | mHEMT |
| GaAs | GaAs/DBR/AlGaInP/MQW/AlGaInP/GaP | Oblea LED, iluminación de estado sólido |
| GaAs | GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 635 nm, 660 nm, 808 nm, 780 nm, 785 nm, |
| /GaAsP/GaAs/Sustrato GaAs | Láser de 950 nm, 1300 nm, 1550 nm | |
| Gasb | AlSb/GaInSb/InAs | Detector de infrarrojos, PIN, detección, cámara de infrarrojos |
| silicio | InP o GaAs sobre silicio | IC/microprocesadores de alta velocidad |
| InSb | InSb dopado con berilio | |
| / InSb sin dopar/InSb dopado con Te/ |
El arseniuro de galio es actualmente uno de los materiales semiconductores compuestos más importantes con la tecnología de obleas epi más madura. El material GaAs tiene las características de gran ancho de banda prohibido, alta movilidad de electrones, banda prohibida directa y alta eficiencia luminosa. Debido a todas estas ventajas de las obleas epi, la epitaxia de GaAs es actualmente el material más importante utilizado en el campo de la optoelectrónica. Mientras tanto, también es un material microelectrónico importante. Según la diferencia en la conductividad eléctrica, los materiales de oblea epi de GaAs se pueden dividir en GaAs semiaislante (SI) y GaAs semiconductor (SC).
En el campo de las obleas epitaxiales, la cuota de mercado de las obleas epi en aplicaciones de láser y RF es muy grande.
Para obtener especificaciones más detalladas, revise lo siguiente:
Capa epi de LT-GaAs sobre sustrato de GaAs
Película fina LT GaAs para fotodetectores y fotomezcladores
InGaAs cultivados a baja temperatura
Obleas epitaxiales de diodo Schottky de GaAs
InGaAsP/InGaAs sobre sustratos InP
Obleas APD de InGaAs con alto rendimiento
InGaAsN epitaxialmente sobre obleas de GaAs o InP
Estructura para fotodetectores de InGaAs
Oblea AlGaP/GaAs Epi para células solares
Células solares de triple unión
Estructura de célula solar cultivada epitaxialmente en oblea InP
Crecimiento de la superred de GaAsSb / InGaAs tipo II
Estructura de capas del láser de 703 nm
Oblea epitaxial PIN de AlGaAs/GaAs
Estructura de fotodiodo PIN GaInAsP / InP de 1550 nm
Estructura del fotodiodo InGaAs
Ahora enumeramos algunas especificaciones:
| Oblea GaAs HEMT, tamaño: 2 ~ 6 pulgadas | ||
| Artículo | Especificaciones | Observación |
| Parámetro | Composición Al/En composición/Resistencia laminar | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| Movilidad Hall/Concentración 2DEG | ||
| Tecnología de medición | Difracción de rayos X/corriente de Foucault | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| Sala sin contacto | ||
| Válvula típica | Dependiente de la estructura | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| 5000~6500cm2/V·S/0,5~1,0x 1012cm-2 | ||
| Tolerancia estándar | ±0,01/±3%/ninguno | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| GaAs(arseniuro de galio) Epiwafer pHEMT, tamaño: 2 ~ 6 pulgadas | ||
| Artículo | Especificaciones | Observación |
| Parámetro | Composición Al/En composición/Resistencia laminar | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| Movilidad Hall/Concentración 2DEG | ||
| Tecnología de medición | Difracción de rayos X/corriente de Foucault | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| Sala sin contacto | ||
| Válvula típica | Dependiente de la estructura | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| 5000~6800cm2/V·S/2,0~3,4x 1012cm-2 | ||
| Tolerancia estándar | ±0,01/±3%/ninguno | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| Observación: GaAs pHEMT: en comparación con GaAs HEMT, GaAs PHEMT también incorpora InxGa1-xAs, donde InxAs está restringido a x < 0,3 para dispositivos basados en GaAs. Las estructuras cultivadas con la misma constante de red que los HEMT, pero con diferentes bandas prohibidas, se denominan simplemente HEMT de red coincidente. | ||
| Oblea GaAs mHEMT, tamaño: 2 ~ 6 pulgadas | ||
| Artículo | Especificaciones | Observación |
| Parámetro | En composición/Resistencia laminar | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| Movilidad Hall/Concentración 2DEG | ||
| Tecnología de medición | Difracción de rayos X/corriente de Foucault | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| Sala sin contacto | ||
| Válvula típica | Dependiente de la estructura | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| 8000~10000cm2/V·S/2,0~3,6x 1012cm-2 | ||
| Tolerancia estándar | ±3%/ninguno | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
| Oblea InP HEMT, tamaño: 2 ~ 4 pulgadas | ||
| Artículo | Especificaciones | Observación |
| Parámetro | En composición/Resistencia de lámina/Movilidad Hall | Por favor contacte con nuestro departamento técnico |
Observación: GaAs (arseniuro de galio) es un material semiconductor compuesto, una mezcla de dos elementos, galio (Ga) y arsénico (As). Los usos del arseniuro de galio son variados e incluyen su uso en LED/LD, transistores de efecto de campo (FET) y circuitos integrados (IC).
Aplicaciones de dispositivos
interruptor de radiofrecuencia,Amplificadores de potencia y de bajo ruido,Sensor de pasillo,Modulador óptico
Inalámbrico: teléfono celular o estaciones base
radar automotriz,MMIC, RFIC,Comunicaciones por fibra óptica
Oblea GaAs Epi para serie LED/IR:
1.Descripción general:
1.1 Método de crecimiento: MOCVD
1.2 Oblea epi de GaAs para redes inalámbricas
1.3Oblea epi de GaAs para LED/IR y LD/PD
2.Especificaciones de la oblea Epi:
2.1 Tamaño de la oblea: 2” de diámetro
2.2 Estructura de la oblea GaAs Epi (de arriba a abajo):
P+GaAs
p-brecha
p-AlGaInP
MQW-AlGaInP
n-AlGaInP
DBR n-ALGaAs / AlAs
Buffer
Sustrato de GaAs
3.Sepcificación del chip (Base en chips de 9mil*9mil)
3.1 Parámetro
Tamaño de la viruta 9mil*9mil
Espesor 190±10um
Diámetro del electrodo 90um±5um
3.2 Caracteres óptico-eléctricos (Ir=20mA,22℃)
Longitud de onda 620~625nm
Tensión directa 1,9 ~ 2,2 v
Voltaje inverso ≥10v
Corriente inversa 0-1uA
3.3 Caracteres de intensidad de luz (Ir=20mA,22℃)
IV (MCD) 80-140
3.4 Longitud media de la epiwafer
|
Artículo |
Unidad |
Rojo |
Amarillo |
Amarillo verde |
Descripción |
|
Longitud de onda (λD) |
Nuevo Méjico |
585.615.620 ~ 630 |
587 ~ 592 |
568 ~ 573 |
SI = 20 mA |
Métodos de crecimiento: MOCVD, MBE
epitaxia = crecimiento de la película con una relación cristalográfica entre la película y el sustrato homoepitaxia (autoepitaxia, isoepitaxia) = la película y el sustrato son del mismo material heteroepitaxia = la película y el sustrato son materiales diferentes. ParaPara obtener más información sobre los métodos de crecimiento, haga clic en lo siguiente:https://www.powerwaywafer.com/technology.html
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperamos su comprensión y cooperación!
Sensor/detector de epitaxia InGaAs:
Sensor infrarrojo de onda corta InGaAs
Epistuctura InGaAs/InAlAs para detector de fotón único
Epiwafer para chip fotónico integrado:
Epitaxia de película fina de AlGaAs para chips fotónicos integrados
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Obleas y cristales individuales de Ge (germanio)
PAM-XIAMEN ofrece oblea de germanio de 2”, 3”, 4” y 6”, que es la abreviatura de oblea Ge cultivada por VGF/LEC. La oblea de germanio tipo P y N ligeramente dopada también se puede utilizar para el experimento del efecto Hall. A temperatura ambiente, el germanio cristalino es frágil y tiene poca plasticidad. El germanio tiene propiedades semiconductoras. El germanio de alta pureza se dopa con elementos trivalentes (como indio, galio, boro) para obtener semiconductores de germanio de tipo P; y se dopan elementos pentavalentes (como antimonio, arsénico y fósforo) para obtener semiconductores de germanio de tipo N. El germanio tiene buenas propiedades semiconductoras, como una alta movilidad de electrones y una alta movilidad de huecos. -
Oblea de CdZnTe (CZT)
El telururo de cadmio y zinc (CdZnTe o CZT) es un nuevo semiconductor que permite convertir la radiación en electrones de manera efectiva; se utiliza principalmente en sustratos de epitaxia de película delgada infrarroja, detectores de rayos X y detectores de CdZnTe de rayos gamma. -
Silicio monocristalino de zona flotante
PAM-XIAMEN puede ofrecer oblea de silicio de zona flotante, que se obtiene mediante el método de zona flotante. Las varillas de silicio monocristalino se obtienen mediante el crecimiento de la zona de flotación y luego se procesan las varillas de silicio monocristalino para convertirlas en obleas de silicio, llamadas obleas de silicio de zona de flotación. Dado que la oblea de silicio fundida en la zona no está en contacto con el crisol de cuarzo durante el proceso de silicio en la zona flotante, el material de silicio está en estado suspendido. De este modo, está menos contaminado durante el proceso de fusión del silicio en la zona flotante. El contenido de carbono y el contenido de oxígeno son menores, las impurezas son menores y la resistividad es mayor. Es adecuado para la fabricación de dispositivos de potencia y ciertos dispositivos electrónicos de alto voltaje.
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Obleas de GaAs (arseniuro de galio)
Como proveedor líder de sustratos de GaAs, PAM-XIAMEN fabrica sustratos de oblea de GaAs (arseniuro de galio) Epi-ready que incluyen semiconductores tipo n, semiconductores dopados C y tipo p con grado primario y grado ficticio. La resistividad del sustrato de GaAs depende de los dopantes, el dopado con Si o Zn es (0,001 ~ 0,009) ohm.cm, el dopado con C es >= 1E7 ohm.cm. La orientación del cristal de oblea de GaAs debe ser (100) y (111). Para orientación (100), puede tener un desvío de 2°/6°/15°. La EPD de la oblea de GaAs normalmente es <5000/cm2 para LED o <500/cm2 para LD o microelectrónica.
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Sustrato de oblea de SiC
La empresa cuenta con una línea completa de producción de sustratos de obleas de SiC (carburo de silicio) que integra crecimiento de cristales, procesamiento de cristales, procesamiento de obleas, pulido, limpieza y pruebas. Hoy en día suministramos obleas comerciales de SiC 4H y 6H con semi aislamiento y conductividad en eje o fuera de eje, tamaños disponibles: 5x5 mm2, 10x10 mm2, 2”, 3”, 4”, 6” y 8”, avanzando en tecnologías clave como como supresión de defectos, procesamiento de cristales semilla y crecimiento rápido, promoviendo la investigación y el desarrollo básicos relacionados con la epitaxia de carburo de silicio, dispositivos, etc.
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Oblea InP
PAM-XIAMEN ofrece oblea VGF InP (fosfuro de indio) con grado primario o de prueba que incluye baja densidad, tipo N o semiaislante. La movilidad de la oblea InP es diferente en diferentes tipos, uno con bajo dopado>=3000 cm2/Vs, tipo N>1000 o 2000 cm2V.s (depende de diferentes concentraciones de dopaje), tipo P: 60+/-10 o 80+/-10 cm2 /Vs (depende de diferentes concentraciones de dopaje con Zn) y semi-insultante> 2000 cm2 / Vs, la EPD del fosfuro de indio normalmente está por debajo de 500 / cm2.
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Fotorresistente de nanofabricación
PAM-XIAMEN Ofrece placa fotorresistente con fotorresistente
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Sustrato independiente de GaN
PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación de oblea de sustrato GaN independiente (nitruro de galio), que es para UHB-LED y LD. Cultivado mediante tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE), nuestro sustrato de GaN tiene una baja densidad de defectos.
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Oblea epitaxial LED basada en GaN
La oblea epitaxial LED basada en GaN (nitruro de galio) de PAM-XIAMEN es para aplicaciones de diodos emisores de luz (LED) y diodos láser (LD) azules y verdes de brillo ultra alto.
