Máscara de fotos

Ofertas PAM-XIAMENfotomáscaras

Una máscara de foto es un revestimiento delgado de material soportado por un sustrato más grueso de enmascaramiento, y el material de enmascaramiento absorbe la luz en diferentes grados y puede ser modelada con un diseño personalizado. El patrón se utiliza para modular la luz y transferir el patrón a través del proceso de fotolitografía, que es el proceso fundamental utilizado para construir casi todos los dispositivos digitales de hoy en día.

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Descripción del Producto

Máscara de fotos

Ofertas PAM-XIAMENfotomáscaras

Fotomáscara de gran tamaño

Fotomáscara Middium y pequeño tamaño

Placa fotográfica

La prensa de copiar de la película fotográfica

Film fotográfico

Fotomáscara de cromo

Chromium Photomask Blank

Photolithography Mask

UNmáscara fotográficaes una capa fina de material de enmascaramiento soportado por un sustrato más grueso, y el material de enmascaramiento absorbe la luz en diferentes grados y puede ser modelada con un diseño personalizado. El patrón se utiliza para modular la luz y transferir el patrón a través del proceso de fotolitografía, que es el proceso fundamental utilizado para construir casi todos los dispositivos digitales de hoy en día.

¿Qué es una fotomáscara

Una fotomáscara es una placa opaca con agujeros o transparencias que permiten que la luz brille a través de en un patrón definido. Se utilizan comúnmente en la fotolitografía. Litográficofotomáscarasson típicamente transparentes espacios en blanco de sílice fundida cubiertas con un patrón definido con una película absorbente de metal cromado.fotomáscaras are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

Máscara Materiales Diferencia entre Cuarzo y Soda Lime Glass:

Los tipos más comunes de vidrio para la fabricación de máscaras son de cuarzo y Soda Lime. Cuarzo es más caro, pero tiene la ventaja de un coeficiente mucho menor de expansión térmica (lo que significa que se expande menos si la máscara se calienta durante el uso) y también es transparente a longitudes de onda más profundas ultravioleta (DUV), donde el vidrio Soda Lime es opaco. Cuarzo necesita ser utilizado en donde la longitud de onda se utiliza para exponer la máscara es inferior o igual a 365 nm (i-line) máscara .A fotolitografía es una placa opaca o película con zonas transparentes que permiten que la luz brille a través de en un patrón definido. Ellos son comúnmente utilizados en los procesos de fotolitografía, pero también se utilizan en muchas otras aplicaciones de una amplia gama de industrias y tecnologías. Existe otro tipo de máscara para diferentes aplicaciones es decir, sobre la base de la resolución necesaria.

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Máscara Maestro 1X

1X Dimensiones Máscara Maestro y Materiales de sustrato

Producto Dimensiones Materiales de sustrato
1X Maestro 4” X4” X0.060” o 0,090” Cuarzo y Soda Lime
5” X5” X0.090” Cuarzo y Soda Lime
6” X6” X0.120” o 0,250” Cuarzo y Soda Lime
7” X7” X0.120” o 0,150” Cuarzo y Soda Lime
7.25” X Ronda de 0,150” Cuarzo
9” X9” X0.120” o 0,190” Cuarzo y Soda Lime

 

Las especificaciones comunes para 1X Maestro Máscaras (Cuarzo Material)

Tamaño de CD CD-Mean-a Nominal La uniformidad de CD Registro Tamaño defecto
2,0 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≥2.0 um
4.0 um ≤0.30 um ≤0.30 um ≤0.30 um ≥3.5 um

 

Especificación común para 1X Maestro Máscaras (Soda Lime material)

Tamaño de CD CD-Mean-a Nominal La uniformidad de CD Registro Tamaño defecto
≤4 um ≤0.25 um ---- ≤0.25 um ≥3.0 um
> 4 um ≤0.30 um ---- ≤0.45 um ≥5.0 um

 

Máscara UT1X

UT1X Dimensiones de la máscara y de Materiales de sustrato

Producto Dimensiones material del sustrato
UT1X 3 "X5" X0.090 " Cuarzo
5 "X5" X0.090 " Cuarzo
6 "X6" X0.120 "o 0,250" Cuarzo

 

Las especificaciones comunes para Máscaras UT1X

Tamaño de CD CD-Mean-a Nominal La uniformidad de CD Registro Tamaño defecto
1,5 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≥0.50 um
3.0 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≥0.60 um
4.0 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≤0.20 um ≥0.75 um

 

Máscaras binarias estándar

Dimensiones estándar máscara binaria y Materiales de sustrato

Producto Dimensiones Materiales de sustrato
2X 6 "x 6" X0.250 " Cuarzo
2,5X
4X
5X 5 "X5" X0.090 " Cuarzo
6 "X6" X0.250 " Cuarzo

 

Las especificaciones comunes para las máscaras binarias estándar

Tamaño de CD CD-Mean-a Nominal La uniformidad de CD Registro Tamaño defecto
2,0 um ≤0.10 um ≤0.15 um ≤0.10 um ≥0.50 um
3.0 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≥0.75 um
4.0 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≥1.00 um

 

Máscaras de la zona medianas

Area Medium Máscara dimensiones y materiales

Producto Dimensiones Materiales de sustrato
1X 9 "X9" 0,120 " Cuarzo de sosa y cal (absorbedores tanto de cromo y óxido de hierro disponibles)
9 "X9" 0,190 " Cuarzo

 

Las especificaciones comunes para Máscaras media de la zona (Cuarzo Material)

Tamaño de CD CD-Mean-a Nominal La uniformidad de CD Registro Tamaño defecto
0,50 um ≤0.20 um ---- ≤0.15 um ≥1.50 um

 

Las especificaciones comunes para Máscaras media de la zona (Soda Lime material)

Tamaño de CD CD-Mean-a Nominal La uniformidad de CD Registro Tamaño defecto
10 um ≤4.0 um ---- ≤4.0 um ≥10 um
4 um ≤2.0 um ---- ≤1.0 um ≥5 um
2,5 um ≤0.5 um ---- ≤0.75 um ≥3 um

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