Float-Zone Mono-Crystalline Silicon
PAM-XIAMEN puede ofrecer oblea de silicio de zona flotante, que se obtiene mediante el método de zona flotante. Las varillas de silicio monocristalino se obtienen a través del crecimiento de la zona de flotación y luego procesan las varillas de silicio monocristalino en obleas de silicio, llamadas obleas de silicio de zona de flotación. Dado que la oblea de silicio fundido en zona no está en contacto con el crisol de cuarzo durante el proceso de silicio de zona flotante, el material de silicio está en un estado suspendido. Por lo tanto, está menos contaminado durante el proceso de fusión del silicio en la zona flotante. El contenido de carbono y el contenido de oxígeno son menores, las impurezas son menores y la resistividad es mayor. Es adecuado para la fabricación de dispositivos de potencia y ciertos dispositivos electrónicos de alto voltaje.
- Descripción
Descripción del producto
PAM-XIAMEN puede ofrecer oblea de silicio de zona flotante, que se obtiene mediante el método de zona flotante. Las varillas de silicio monocristalino se obtienen a través del crecimiento de la zona de flotación y luego procesan las varillas de silicio monocristalino en obleas de silicio, llamadas obleas de silicio de zona de flotación. Dado que la oblea de silicio fundido en zona no está en contacto con el crisol de cuarzo durante el proceso de silicio de zona flotante, el material de silicio está en un estado suspendido. Por lo tanto, está menos contaminado durante el proceso de fusión del silicio en la zona flotante. El contenido de carbono y el contenido de oxígeno son menores, las impurezas son menores y la resistividad es mayor. Es adecuado para la fabricación de dispositivos de potencia y ciertos dispositivos electrónicos de alto voltaje.
1. Especificación de oblea de silicio de zona flotante
| sip | Tipo de conducción | Orientación | Diámetro (mm) | Conductividad (Ω•cm) |
| Alta resistencia | NOTARIO PÚBLICO | <100> y <111> | 76.2-200 | >1000 |
| NTD | N | <100> y <111> | 76.2-200 | 30-800 |
| ZLC | NOTARIO PÚBLICO | <100> y <111> | 76.2-200 | 1-50 |
| GD | NOTARIO PÚBLICO | <100> y <111> | 76.2-200 | 0.001-300 |
1.1 Especificación de oblea de silicio de zona flotante
| Parámetro de lingote | Artículo | Descripción |
| método de cultivo | FZ | |
| Orientación | <111> | |
| fuera de orientación | 4±0,5 grados al más cercano <110> | |
| Tipo/Dopante | P/boro | |
| Resistividad | 10-20 W cm | |
| VRR | ≤15% (Borde máximo-Cen)/Cen |
1.2 Especificación de oblea de silicio FZ
| metro | Artículo | Descripción |
| Diámetro | 150±0,5mm | |
| Espesor | 675±15 um | |
| Longitud plana primaria | 57,5±2,5mm | |
| Orientación plana primaria | <011>±1 grado | |
| Secundaria plana Longitud | Ninguna | |
| Orientación plana secundaria | Ninguna | |
| TTV | ≤5 um | |
| Arco | ≤40 um | |
| Deformación | ≤40 um | |
| Perfil de borde | Estándar SEMI | |
| Superficie frontal | Pulido Químico-Mecánico | |
| LPD | ≥0.3 um@≤15 pcs | |
| Superficie posterior | grabado al ácido | |
| Fichas de borde | Ninguna | |
| Paquete | Envasado al vacío; Plástico interior, aluminio exterior |
2. Silicio monocristalino de zona flotanteclasificaciones
2.1 FZ-silicio
El silicio monocristalino con las características de bajo contenido de materiales extraños, baja densidad de defectos y estructura cristalina perfecta se produce con el proceso de silicio de zona flotante; no se introduce ningún material extraño durante el crecimiento del cristal de silicio en la zona de flotación. ÉlFZ-siliciola conductividad suele ser superior a 1000 Ω-cm, y un silicio de zona flotante de alta resistividad de este tipo se utiliza principalmente para producir elementos de alto voltaje inverso y dispositivos fotoelectrónicos. También se puede utilizar para el proceso de grabado en seco.
2.2 NTDFZ-silicio
El silicio monocristalino con alta resistividad y uniformidad se puede lograr mediante la irradiación de neutrones de silicio FZ, para garantizar el rendimiento y la uniformidad de los elementos producidos, y se utiliza principalmente para producir el rectificador de silicio (SR), control de silicio (SCR) , transistor gigante (GTR), tiristor de apagado de puerta (GTO), tiristor de inducción estática (SITH), transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), diodo HV adicional (PIN), potencia inteligente y IC de potencia, etc. es el principal material funcional para varios convertidores de frecuencia, rectificadores, elementos de control de gran potencia, nuevos dispositivos electrónicos de potencia, detectores, sensores, dispositivos fotoelectrónicos y dispositivos especiales de potencia.
Oblea de silicio FZ NTD con una concentración de dopaje uniforme
2.3 GDFZ-silicio
Utilizando el mecanismo de difusión de material extraño, agregue el material extraño en fase gaseosa durante el proceso de silicio monocristalino de zona flotante, para resolver el problema de dopaje del proceso de zona flotante desde la raíz y obtener el silicio GDFZ que es de tipo N o tipo P, tiene una resistividad de 0.001-300 Ω.cm, uniformidad de resistividad relativamente buena e irradiación de neutrones. Es aplicable para producir varios elementos semiconductores de potencia, transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y celdas solares de alta eficiencia, etc.
2.4 CFZ-silicio
El silicio monocristalino se produce con la combinación de Czochralski y procesos de zona flotante, y tiene una calidad entre el silicio monocristalino CZ y el silicio monocristalino FZ; los elementos especiales pueden ser dopados, como el Ga, Ge y otros. Las obleas solares de silicio CFZ de nueva generación son mejores que varias obleas de silicio en la industria fotovoltaica mundial en cada índice de rendimiento; la eficiencia de conversión del panel solar es de hasta 24-26%. Los productos se aplican principalmente en baterías solares de alta eficiencia con estructura especial, contacto posterior, HIT y otros procesos especiales, y se utilizan más ampliamente en LED, elementos de potencia, automóviles, satélites y otros productos y campos.
Nuestras ventajas de un vistazo
1.Equipo avanzado de crecimiento de epitaxia y equipo de prueba.
2. Ofrezca la más alta calidad con baja densidad de defectos y buena rugosidad de la superficie de silicona de la zona de flotación.
3. Fuerte apoyo del equipo de investigación y soporte tecnológico para nuestros clientes.
Oblea Si MEMS cultivada por FZ
Oblea de silicio FZ Prime de 4″
Oblea de silicio FZ Prime de 4″
Oblea de silicio FZ Prime de 4″-3
Oblea de silicio FZ Prime de 4″-4
Oblea de silicio FZ Prime de 4″-5
Oblea de silicio FZ Prime de 4″-6
Oblea de silicio FZ Prime de 4″-7
Oblea de silicio FZ Prime de 4″-8
Oblea de silicio FZ Prime de 2″
Oblea de silicio FZ Prime de 3″
Oblea de silicio FZ Prime de 6″
Oblea de silicio FZ Prime de 6″
Oblea de silicio FZ Prime de 8″
Grosor de la oblea de silicio FZ Prime de 3″: 350±15um
Grosor de la oblea de silicio FZ Prime de 4″: 400 µm +/-25 µm
Grosor de la oblea de silicio Prime FZ de 4″: 400 µm +/-25 µm-2
Lingote de silicio FZ de 4″ con un diámetro de 100,7 ± 0,3 mm
Grosor de la oblea de silicio FZ de 3″: 229-249 μm -1
Grosor de la oblea de silicio FZ de 3″: 229-249 μm -2
Obleas de silicio no dopadas intrínsecas FZ
Bloque de silicona tamaño 5x20mm
Lingote de silicio FZ de 1″ con un diámetro de 25 mm
Lingote de silicio FZ de 2″ con un diámetro de 50 mm
Oblea de silicio intrínseco FZ de 2″
DSP de oblea de silicio intrínseco FZ de 2″
Oblea de silicio intrínseco FZ de 4″ SSP
Oblea de silicio intrínseco FZ de 4″ DSP
Oblea de silicio intrínseco FZ de 4″
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