PAM-XIAMEN ofrece material de oblea semiconductora compuesta que incluye oblea SiC y oblea del grupo III-V: oblea InSb, oblea InP, oblea InAs, oblea GaSb, oblea GaP, oblea GaN, oblea AlN y oblea GaAs.
El material de los compuestos III-V incluye BN, BP, BAs, BSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InAs, InN, InP e InSb. Entre ellas, BN, AlN, GaN e InN son estructuras de Wurtzita, y las otras 12 son estructuras de blenda de zinc. Debido a que los átomos pentavalentes tienen mayor electronegatividad que los átomos trivalentes, existen algunos componentes de enlaces iónicos. Debido a esto, cuando los materiales III-V se colocan en el campo eléctrico, la red se polariza fácilmente y el desplazamiento de iones es útil para aumentar el coeficiente dieléctrico, si la frecuencia del campo eléctrico está en el rango infrarrojo. Entre los semiconductores de tipo n de los materiales de GaAs, la movilidad de los electrones (mn-8500) es mucho mayor que la del Si (mn-1450), por lo que la velocidad de movimiento es rápida y su aplicación en circuitos integrados digitales de alta velocidad es superior. a la de los semiconductores de Si.
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oblea de InP
PAM-XIAMEN offers VGF InP(Indium Phosphide) wafer with prime or test grade including low dope, N type or semi-insulating. The mobility of InP wafer is different in different type, low doped one>=3000cm2/V.s, N type>1000 or 2000cm2V.s(depends on different doping concentration), P type: 60+/-10 or 80+/-10cm2/V.s(depends on different Zn doping concentration), and semi-insulting one>2000cm2/V.s, the EPD of Indium Phosphide is below 500/cm2 normally.
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oblea de InAs
PAM-XIAMEN ofrece obleas InAs de semiconductores compuestos: obleas de arseniuro de indio que se cultivan con LEC (Czochralski encapsulado líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semiaislante en diferentes orientaciones (111) o (100). Además, el monocristal de InAs tiene una alta movilidad de electrones y es un material ideal para fabricar dispositivos Hall.
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oblea de InSb
PAM-XIAMEN ofrece una oblea de InSb de semiconductor compuesto: una oblea de antimoniuro de indio que crece con LEC (Czochralski encapsulado líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semiaislante en diferentes orientaciones (111) o (100). El antimoniuro de indio dopado con isoelectrónico (como el dopado con N) puede reducir la densidad de defectos durante el proceso de fabricación de películas delgadas de antimoniuro de indio.
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GaSb oblea
PAM-XIAMEN ofrece oblea de GaSb de semiconductores compuestos: antimoniuro de galio que se cultiva mediante LEC (Czochralski encapsulado líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semiaislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
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GaP Wafer: no se puede ofrecer temporalmente
PAM-XIAMEN ofrece oblea GaP de semiconductor compuesto: oblea de fosfuro de galio cultivada por LEC (Czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semiaislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
