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Orientación del cristal de silicio

The Silicon crystal orientations that we often hear are <100>, <110> and <111>(shown as Fig. 1), respectively indicating a crystallographic family. The single crystal silicon structure belongs to cubic crystals, and the <100> crystal orientation family represents six crystal orientations: [100], [010], [001], [100], [0-10], and [00-1]. Therefore, we rarely hear [...]

Transistor de silicio de un solo electrón

El transistor de un solo electrón (SET) es un descubrimiento importante en la ciencia de la microelectrónica. Debido a la capacidad de controlar el proceso de tunelización de un solo electrón en un sistema de unión de microtúnel, se pueden diseñar múltiples dispositivos funcionales usándolo. En los dispositivos submicrónicos modernos, el factor limitante para la velocidad de operación del dispositivo es [...]

Análisis del rendimiento del almacenamiento del compuesto InSb

El semiconductor compuesto de antimonuro de indio (InSb), como material semiconductor de banda prohibida directa, tiene una masa efectiva de electrones baja, alta movilidad y un ancho de banda prohibida estrecho. A bajas temperaturas, el compuesto InSb tiene un alto coeficiente de absorción de luz infrarroja, con una eficiencia cuántica mayor o igual al 80%. En términos de infrarrojo medio [...]

Transistor de inducción estática (SIT) de SiC *S

El transistor de inducción estática (SIT) es un tipo de transistor de efecto de campo de unión. Es un dispositivo de control de voltaje unipolar desarrollado sobre la base de transistores de efecto de campo de unión ordinaria, con tres electrodos: activo, compuerta y drenaje. La corriente de drenaje de su fuente está controlada por un campo eléctrico vertical externo en la puerta. El transistor SIT es [...]

Filtro de silicona

Con el desarrollo de la miniaturización y los dispositivos de un solo chip, la tendencia es la integración de circuitos activos y pasivos. Los filtros convencionales se han convertido en el cuello de botella para la miniaturización y los dispositivos de un solo chip de microondas y ondas milimétricas debido a su gran tamaño (especialmente en la banda de frecuencia de ondas milimétricas), y sólo los filtros [...]

Oblea del fotodetector MUTC de InGaAs/InP (MUTC-PD)

La tecnología de generación de ondas de terahercios (THz) se utiliza ampliamente en campos como la detección de terahercios, imágenes de seguridad, pruebas de materiales no destructivas y comunicación inalámbrica de datos de terahercios de alta velocidad. El heterodino óptico es un método para lograr una emisión continua de ondas de terahercios sintonizables mezclando señales de frecuencia de batido de dos modos láser con diferentes longitudes de onda [...]

Oblea de SiC 3C

En comparación con el 4H-SiC, aunque la banda prohibida del carburo de silicio 3C (3C SiC) es menor, la movilidad de su portador, su conductividad térmica y sus propiedades mecánicas son mejores que las del 4H-SiC. Además, la densidad de defectos en la interfaz entre la puerta de óxido aislante y el 3C-SiC es menor, lo que favorece más la fabricación de componentes de alto voltaje, [...]

Obleas epitaxiales de fotónica

Con la evolución continua de las aplicaciones de dispositivos optoelectrónicos y de telecomunicaciones ópticas hacia la alta velocidad y el alto rendimiento, seguimos de cerca la demanda del mercado en obleas epitaxiales fotónicas para aplicaciones optoelectrónicas de alta velocidad y alta gama. PAM-XIAMEN puede proporcionar una serie de obleas epitaxiales fotónicas basadas en semiconductores compuestos, que pueden utilizarse como chips optoelectrónicos clave [...]

Oblea SiC BJT *S

La oblea de SiC se puede utilizar para fabricar dispositivos BJT (transistor de unión bipolar) con baja resistencia de conducción y alto voltaje de bloqueo de hasta decenas de kilovoltios. Para aplicaciones con un voltaje de bloqueo de 4,5 kV y superior, los dispositivos de potencia de SiC bipolares tendrán un valor de aplicación más práctico que los dispositivos de potencia de SiC unipolares. En comparación con la mayoría de los [...]

Oblea epitaxial SiC MESFET *S

MESFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de metal) es un transistor de efecto de campo compuesto por puertas de barrera Schottky. El MESFET de microondas de SiC se desarrolló entre 1995 y 2002 para reemplazar los transistores de efecto de campo de microondas (FET) de GaAs. Hay tres tipos de materiales de sustrato utilizados: sustrato conductor (n+- SiC), sustrato semiaislante de alta pureza (SI SiC) o sustrato aislante [...]