GaAs (arseniuro de galio) Obleas

GaAs (arseniuro de galio) Obleas

As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor undoped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, undoped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.

  • Descripción

Descripción del Producto

(Arseniuro de galio) GaAs Wafer

PAM-XIAMEN develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer. We has used advanced crystal growth technology, vertical gradient freeze(VGF) and GaAs wafer manufacturing process, established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for GaAs wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafers include 2~6 inch ingot/wafers for LED, LD and Microelectronics applications. We are always dedicated to improve the quality of currently GaAs wafer substrates and develop large size substrates. The GaAs wafer size offered is in 2”, 3”, 4” and 6”, and the thickness should be 220-700um. Moreover, the GaAs wafer price from us is competitive.

1. GaAs Wafer Specifications

1.1 (GaAs)Arseniuro de galioObleas para aplicaciones LED

Artículo Especificaciones Observaciones
Tipo de conducción SC / de tipo n SC / p de tipo con Zn droga Disponible
Método de crecimiento VGF  
dopante Silicio Zn disponible
oblea Diamter 2, 3 y 4 pulgadas Lingote o como de corte availalbe
cristal Orientación (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° fuera (110) Otro desorientación disponibles
DE EJ o US  
concentración de portadores (0,4 ~ 2,5) E18 / cm3  
Resistividad a temperatura ambiente (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
Movilidad 1500 ~ 3000cm2 / V.seg  
Densidad de grabado Pit <5,000 / cm2  
Marcado láser a pedido  
Acabado de la superficie P / E o P / P  
Espesor 220 ~ 450um  
Listo epitaxia  
Paquete recipiente de rebanada única o casete

 

1.2 (GaAs)Arseniuro de galioObleas para aplicaciones LD

Artículo Especificaciones Observaciones
Tipo de conducción SC / de tipo n  
Método de crecimiento VGF  
dopante Silicio  
oblea Diamter 2, 3 y 4 pulgadas Lingote o como corte disponibles
cristal Orientación (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° fuera (110) Otro desorientación disponibles
DE EJ o US  
concentración de portadores (0,4 ~ 2,5) E18 / cm3  
Resistividad a temperatura ambiente (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
Movilidad 1500 ~ 3000 cm2 / V.seg  
Densidad de grabado Pit <500 / cm2  
Marcado láser a pedido  
Acabado de la superficie P / E o P / P  
Espesor 220 ~ 350um  
Listo epitaxia  
Paquete recipiente de rebanada única o casete

 

1.3 (GaAs)Arseniuro de galioObleas, semi-aislante para aplicaciones de microelectrónica

Artículo Especificaciones Observaciones
Tipo de conducción Aislante  
Método de crecimiento VGF  
dopante sin dopar  
oblea Diamter 2, 3 y 4 pulgadas  Ingot available
cristal Orientación (100)+/- 0.5°  
DE EJ, de Estados Unidos o muesca  
concentración de portadores n / a  
Resistividad a temperatura ambiente > 1E7 Ohm.cm  
Movilidad > 5000 cm2 / V.seg  
Densidad de grabado Pit <8,000 / cm2  
Marcado láser a pedido  
Acabado de la superficie PÁGINAS  
Espesor 350 ~ 675um  
Listo epitaxia  
Paquete recipiente de rebanada única o casete

 

1.4 6″ (150mm)(GaAs)Arseniuro de galioObleas, semi-aislante para aplicaciones de microelectrónica

Artículo Especificaciones Observaciones
Tipo de conducción Semiaislante  –
Método crecer VGF  –
dopante sin dopar  –
Tipo N  –
Diamater (mm) 150 ± 0.25  –
Orientación (100)0°±3.0°  –
muesca de orientación 〔010〕±2°  –
NOTCH Deepth (mm) (1-1.25)mm   89°-95°  –
concentración de portadores please consult our sales team  –
Resistividad (ohm.cm) >1.0×107  –
Movilidad (cm2 / vs) please consult our sales team  –
Dislocación please consult our sales team  –
Espesor (m) 675 ± 25  –
Exclusión de última generación para el arco y la deformación (mm) please consult our sales team  –
Bow (m) please consult our sales team  –
Warp (m) ≤20.0  –
TTV (m) ≤10.0  –
TIR (m) ≤10.0  –
LFPD (m) please consult our sales team  –
Pulido P / P Epi-Ready  –

 

1.5 2″(50.8mm) LT-GaAs (Baja Temperatura arseniuro de galio-Grown) Especificaciones de la oblea

Artículo Especificaciones
Tipo de conducción Semiaislante
Método crecer VGF
dopante sin dopar
Tipo N
Diamater (mm) 150 ± 0.25
Orientación (100)0°±3.0°
muesca de orientación 〔010〕±2°
NOTCH Deepth (mm) (1-1.25)mm   89°-95°
concentración de portadores please consult our sales team
Resistividad (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3
Movilidad (cm2 / vs) please consult our sales team
Dislocación please consult our sales team
Espesor (m) 675 ± 25
Exclusión de última generación para el arco y la deformación (mm) please consult our sales team
Bow (m) please consult our sales team
Warp (m) ≤20.0
TTV (m) ≤10.0
TIR (m) ≤10.0
LFPD (m) please consult our sales team
Pulido P / P Epi-Ready
 
* También podemos proporcionar poli bar GaAs de cristal, 99,9999% (6 N).

 

2. GaAs Wafer Market & Application

Gallium arsenide is an important semiconductor material. It belongs to group III-V compound semiconductors and the zinc blende crystal lattice structure, with a lattice constant of 5.65×10-10m, a melting point of 1237°C, and a band gap of 1.4 electron volts. Gallium arsenide can be made into semi-insulating high-resistance materials, which can be used to make integrated circuit substrates, infrared detectors, gamma photon detectors, etc. Because its electron mobility is 5 to 6 times greater than silicon, SI GaAs substrate has been importantly used in the fabrication of microwave devices and high-speed digital circuits. Semiconductor devices fabricated on gallium arsenide have the advantages of high frequency, high temperature, low temperature performance, low noise, and strong radiation resistance, which make the GaAs substrate market enlarge.

 

3. Test certificate of GaAs wafer can include below analysis if necessary:

1/Surface roughness of Gallium Arsenide including front side and backside(nanometers).

2/Doping concentration of Gallium Arsenide(cm-3)

3/EPD of Gallium Arsenide(cm-2)

4/Mobility of Gallium Arsendie(V.sec)

5/X-ray diffraction analysis (rocking curves) of Gallium Arsenide: Diffraction reflection curve half-width

6/Low-temperature photoluminescence (emission spectra in the range 0.7-1.0 μm) of Gallium Arsenide: The fraction of exciton photoluminescence in the emission spectrum of the near-IR range at a temperature of 4K or 5 K and an optical excitation density of 1 W / cm2

7/Transmission rate or Absorption coefficient: for instant, we can measure absorption coefficient of single crystal undoped GaAs at 1064nm: <0.6423 cm-1, and this corresponds to a transmission minimum of 33.2% for an exactly 6.5mm thick blank at 1064nm.

 

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