PAM-XIAMEN propose des lingots de silicium avec FZ Intrinsic non dopé, durée de vie MCC (Minority Charge Carrier Lifetime) supérieure à 1000Ωcm.
Lingot de silicium, FZ intrinsèque non dopé, durée de vie MCC
Un semi-conducteur intrinsèque (pur), également appelé semi-conducteur non dopé ou semi-conducteur de type i,
est un semi-conducteur pur sans aucune espèce dopante significative présente. Le nombre de porteurs de charge est donc déterminé par les propriétés du matériau lui-même plutôt que par la quantité d'impuretés.
Dans les semi-conducteurs intrinsèques, le nombre d'électrons excités et le nombre de trous sont égaux : n = p.
Cela peut même être le cas après dopage du semi-conducteur, mais seulement s'il est dopé à la fois avec les donneurs et les accepteurs. Dans ce cas, n = p est toujours valable et le semi-conducteur reste intrinsèque, bien que dopé.
1. Spécifications du lingot de silicium intrinsèque FZ
| Cristal# | Diamètre (Mm) |
Orientation | Longueur (Mm) |
Poids (kg) |
Résistivité centrale de la tête de lingot A | Mesure ponctuelle de la tête de lingot A1 | Mesure ponctuelle de la tête de lingot A2 | Résistivité centrale de bout de lingot B | Mesure du point final du lingot B1 | Mesure du point final du lingot B2 | Durée de vie du Centre multicompte UN (µs) |
Durée de vie du Centre multicompte B (µs) |
| 1806A-929-2-1 | 100 | <111> | 135 | 2.505 | 86000 | 72000 | 65800 | 25000 | 43000 | 30000 | 1020 | 1020 |
| FN100A1801A-621-3 | 100 | <111> | 293 | 5.505 | 32000 | 62000 | 43000 | 33000 | 65000 | 37000 | 1150 | 1150 |
| 1138-4 | 100 | <111> | 152 | 2.830 | 45000 | 96000 | 61000 | 38000 | 85000 | 40000 | 1150 | 1150 |
| 512-1-1-1 | 100 | <111> | 114 | 2.145 | 180000 | 180000 | 180000 | 32000 | 170000 | 145000 | 1020 | 1020 |
2. FAQ sur la mesure de la durée de vie du MCC
Q:Veuillez m'en dire plus sur la mesure de la durée de vie de votre MCC. Comment mesurez-vous et garantissez-vous la durée de vie du MCC ?
A:Normalement, la décroissance de la photoconductivité μPCD-micro-ondes est utilisée pour mesurer la durée de vie des porteurs de charge minoritaires (durée de vie MCC) de la plaquette rapidement, sans contact et sans dommage. Plus précisément, en utilisant un laser d'une longueur d'onde de 904 nm pour exciter la plaquette de silicium (pour le silicium, la profondeur d'implantation est d'environ 30 μm), des paires de trous d'électrons sont générées, entraînant une augmentation de la conductivité de l'échantillon. Lorsque la lumière externe est supprimée, la conductivité décroît de façon exponentielle avec le temps.
Cette tendance est indirecte. Reflétant la tendance à l'atténuation du nombre de porteurs minoritaires, la durée de vie des porteurs minoritaires (durée de vie MCC) peut être obtenue par détection micro-onde (fréquence 10,225 GHz) de la conductivité de la plaquette de silicium avec le temps.
Schéma de principe ci-joint de mesure de la durée de vie des matériaux minoritaires par méthode d'atténuation photoconductrice micro-onde :
3. FAQ sur la mesure de résistivité
Q1 :fournir des résultats de mesure de résistivité à 9 points pour le lingot de Si après croissance, mais après un certain temps, lorsque la résistivité se stabilise ?
A:Après la croissance du cristal de silicium, les résistivités de plusieurs points seraient testées à une température de 23°C, elles sont stables.
A:Après la croissance du cristal de silicium, les résistivités de plusieurs points seraient testées à une température de 23°C, elles sont stables.
Q2 :fournir des résultats de mesure de résistivité à 5 points pour le lingot après croissance, mais après un certain temps, lorsque la résistivité se stabilise ?
A:Après la croissance des cristaux de Si, les résistivités de plusieurs points seraient testées lorsque la température est de 23°C, elles sont stables.
A:Après la croissance des cristaux de Si, les résistivités de plusieurs points seraient testées lorsque la température est de 23°C, elles sont stables.
Q3 :fournir un dia-scan pour les résultats de mesure de résistivité dans, par exemple, un pas de 3 mm, un pas de 6 mm, etc. à travers le centre depuis le bord du lingot de Si (mesuré après un certain temps lorsque la résistivité se stabilise) ?
A:Après croissance cristalline, les résistivités de plusieurs points seraient testées lorsque la température est de 23°C, elles sont stables.
A:Après croissance cristalline, les résistivités de plusieurs points seraient testées lorsque la température est de 23°C, elles sont stables.
Q4expliquez en combien de points vous mesurez la résistivité pour garantir le Ro=(10 000-20 000) Ohmcm du lingot de silicium ?
A:Testez normalement la résistivité de 5 points du lingot de silicium.
A:Testez normalement la résistivité de 5 points du lingot de silicium.
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