Si (Bare premier, de l'oxyde thermique, Pt revêtue et les cellules solaires Grade) -8

Si (Bare premier, de l'oxyde thermique, Pt revêtue et les cellules solaires Grade) -8

PAM XIAMEN offers Si (Bare Prime, Thermal oxide ,Pt coated &Solar Cell Grade ).

PAM XIAMEN supplies all kinds of Silicon wafer from 1″ ~ 8″ in diameter. Particularly specializing in fabrication of Si wafer with various special size and orientation.

6″ Diameter Wafers

Si wafer (100), 6 ” dia x 0.65 – 0.7 mm, 1SP N-Type ( P-doped) with resistivities: 1-20 ohm-cm

Si wafer (111), 6 ” dia x 0.65 – 0.7 mm, 1SP P type ( B doped) with resistivities: 5-10 ohm-cm

Si wafer (111), 6 ” dia x 0.65 – 0.7 mm, 1SP P type ( B doped) with resistivities: 5-10 ohm-cm

For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com,
send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in China. PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, manufacturing processes, engineered substrates and semiconductor devices. Les technologies de PAM-XIAMEN permettent des performances plus élevées et la fabrication à moindre coût de la plaquette de semi-conducteurs.

PAM-XIAMEN développe des technologies avancées de croissance cristalline et l'épitaxie, la gamme de la première génération plaquette Germanium, deuxième génération d'arséniure de gallium avec une croissance du substrat et épitaxie sur matériaux III-V semi-conducteurs de type n dopée au silicium à base de Ga, Al, In, As et P augmenté par MBE ou MOCVD, à la troisième génération: carbure de silicium et de nitrure de gallium de LED et l'application de l'appareil d'alimentation.

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