Lapisan heteroepitaxial InAs yang ditanam pada substrat GaAs (100) sangat bermakna dalam bidang optoelektronik, terutamanya dalam bidang pengesan inframerah dan laser. InAs mempunyai beberapa ciri berpotensi, seperti mobiliti elektron yang tinggi dan jurang tenaga yang sempit, dan banyak logam boleh digunakan sebagai sesentuh ohmik InAs, menjadikannya bahan yang sangat menarik.PAM-XIAMENmenyediakan pertumbuhan heteroepitaksi filem InAs berasaskan GaAs, mengambil struktur berikut sebagai contoh. Lebih banyak struktur nano heteroepitaxial GaA daripada kami sila lawati:https://www.powerwaywafer.com/gaas-wafers. Di samping itu, kami boleh menyediakan pertumbuhan epitaxial untuk struktur yang anda perlukan.

1. Filem Heteroepitaxial InAs

PAMP19169 – INASE

Catatan:

Jika anda perlu merangsang filem nipis GaAs, InP dan InAs dari sisi substrat dengan menggunakan cahaya laser 523 nm, anda harus mempertimbangkan pekali penyerapan dan ketebalan substrat. Substrat setiap filem nipis harus mempunyai pekali penyerapan yang rendah untuk tidak kehilangan banyak foton yang sampai ke filem nipis atau ketebalan substrat tidak boleh tebal.

2. Proses Pertumbuhan Heteroepitaxy InAs pada GaAs

Disebabkan oleh heteroepitaksi substrat InAs pada GaAs (100) dengan ketidakpadanan kekisi besar (kira-kira 7%), pertumbuhan harus mengikut mod SK.

Iaitu, apabila ketebalan lapisan pertumbuhan meningkat secara beransur-ansur, tenaga herotan elastik di dalam kristal terkumpul secara berterusan. Apabila nilai tenaga melebihi ambang tertentu, kristal berlapis dua dimensi akan runtuh sepenuhnya dalam sekelip mata, meninggalkan hanya lapisan nipis lapisan pertumbuhan (lapisan pembasahan) pada permukaan substrat GaAs. Di bawah tindakan gabungan tenaga permukaan, tenaga antara muka dan tenaga herotan keseluruhan sistem, bahan kristal InAs yang selebihnya akan secara automatik mengagregatkan semula pada permukaan lapisan pembasahan untuk membentuk badan kristal bebas kehelan tiga dimensi “pulau. ” pada skala nanometer.

Untuk mengembangkan lapisan epitaxial InAs berkualiti tinggi, anda harus memberi perhatian kepada perkara berikut:

• Control the growth temperature. Too high temperature will cause the decomposition of InAs, which is difficult to grow, while too low temperature will make the surface of the epitaxial layer very rough. Generally, the growth temperature of InAs epitaxial layer is 480℃;
• V/III has great influence on the growth of InAs materials. InAs epitaxial layer with bright surface and high electron mobility can be grown while keeping In-rich and small V/III. Similarly, high quality InAs epitaxial layers can be grown while keeping As-rich and large V/III.

3. FAQ about Heteroepitaxy of InAs Thin Films

Q1: what is your opinion about the appropriate substrate to deposit thin films of InAs and GaAs on? I am using 1045 and 523 nm laser to excite thin films from the side of the substrate.

A: The appropriate substrate for depositing InAs and GaAs thin films is GaAs or InAs substrate.

Q2: Do I have to put a protective layer on InAs thin film during the dicing process?

A: Cut according to the cleavage surface of InAs/GaAs epitaxial wafer, not need protection.

Q3: In order to clean up the wafer after dicing process, what is the suitable procedure I should follow to avoid removing out the InAs film?

A: Clean the InAs hetero epitaxy wafer according to the sequence of acetone, ethanol and deionized water after cutting.

Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Bermula dari 1 Ogos 2023, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman dan kerjasama anda!

Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.