Foto Mask

PAM-XIAMEN AngebotePhotomasks

Eine Fotomaske ist eine dünne Beschichtung aus einem Material mit einem dickeren Substrat getragen Maskierung und das Maskierungsmaterial absorbiert Licht in unterschiedlichem Ausmaß und kann mit einem kundenspezifischen Design strukturiert werden. Das Muster wird verwendet, um Licht zu modulieren und das Muster durch den Prozess der Photolithographie zu übertragen, die das grundlegende Verfahren ist, das fast alle der heutigen digitalen Geräte zu bauen.

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

Foto Mask

PAM-XIAMEN AngebotePhotomasks

Photomask Large Size

Photomask Middium und Small Size

Fotografische Platte

Fotografie-Film Briefbeschwerer

Fotografischen Film

Chrome Fotomaske

Chrom-Fotomasken-Rohling

Photolithographie-Maske

EINPhotomaskeMaterial ist eine dünne Beschichtung aus Maskierung durch ein dickeres Substrat getragen wird, und das Maskierungsmaterial absorbiert Licht in unterschiedlichem Maße und kann mit einem kundenspezifischen Design strukturiert werden. Das Muster wird verwendet, um Licht zu modulieren und das Muster durch den Prozess der Photolithographie zu übertragen, die das grundlegende Verfahren ist, das fast alle der heutigen digitalen Geräte zu bauen.

Was ist ein Photomask

Eine Photomaske ist eine undurchsichtige Platte mit Löchern oder Folien, das Licht ermöglichen, in einem definierten Muster zu durchscheinen. Sie werden üblicherweise in der Photolithographie verwendet. lithographischFotomaskenist in der Regel transparent Quarzglasrohlingen mit einem Muster mit einem Chrom-Metall-absorbierenden Film definiert bedeckt.Photomasks are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

Maskenmaterialien -Unterschied zwischen Quarz und Kalknatronglas:

Die häufigsten Arten von Glas für die Herstellung von Masken sind Quarz und Soda Lime. Quarz ist teurer, aber hat den Vorteil eines wesentlich niedrigeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten (das heißt, es weniger dehnt, wenn die Maske während der Verwendung warm wird) und ist auch transparent bei tieferen Ultraviolett (DUV) Wellenlängen, wo Natronkalkglas opak ist. Quarz verwendet werden muss, wo die Wellenlänge die Maske zu belichten verwendet wird, ist weniger als oder gleich 365 nm (i-Linie) .A photolithographische Maske ist eine opaque Platte oder einen Film mit transparenten Bereichen, das Licht ermöglichen, in einem definierten Muster zu durchscheinen. Sie werden üblicherweise in fotolithografische Prozesse verwendet, sind aber auch in vielen anderen Anwendungen, die von einem breiten Spektrum von Branchen und Technologien eingesetzt. Es gibt verschiedene Arten von Masken für verschiedene Anwendungs ​​nämlich auf der Grundlage der Auflösung benötigt.

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1X Master-Maske

1X Master-Maske Abmessungen und Substratmaterialien

Produkt Größe Substratmaterialien
1X Meister 4” x4” X0.060” oder 0.090” Quarz und Soda Lime
5” X5” X0.090” Quarz und Soda Lime
6” x6” X0.120” oder 0,250” Quarz und Soda Lime
7” x7” X0.120” oder 0,150” Quarz und Soda Lime
7.25” Round X 0,150” Quarz
9” X9” X0.120” oder 0.190” Quarz und Soda Lime

 

Gemeinsame Spezifikationen für 1X Master-Masken (Quarz-Material)

CD-Größe CD Mittlere-to-Nenn CD Uniformity Anmeldung Defektgröße
2,0 & mgr; m ≤0.25 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≥2.0 um
4.0 um ≤0.30 um ≤0.30 um ≤0.30 um ≥3.5 um

 

Gemeinsame Spezifikation für 1X Master-Masken (Soda Lime-Material)

CD-Größe CD Mittlere-to-Nenn CD Uniformity Anmeldung Defektgröße
≤4 um ≤0.25 um ---- ≤0.25 um ≥3.0 um
> 4 um ≤0.30 um ---- ≤0.45 um ≥5.0 um

 

UT1X Mask

UT1X Mask Abmessungen und Substratmaterialien

Produkt Größe Substratmaterial
UT1X 3 "x5" X0.090 " Quarz
5 "X5" X0.090 " Quarz
6 "x6" X0.120 "oder 0,250" Quarz

 

Gemeinsame Spezifikationen für UT1X Masken

CD-Größe CD Mittlere-to-Nenn CD Uniformity Anmeldung Defektgröße
1,5 & mgr; m ≤0.15 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≥0.50 um
3,0 & mgr; m ≤0.20 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≥0.60 um
4.0 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≤0.20 um ≥0.75 um

 

Standard Binary Masken

Standard Binary Mask Abmessungen und Substratmaterialien

Produkt Größe Substratmaterialien
2X 6 "x 6" X0.250 " Quarz
2.5X
4X
5X 5 "X5" X0.090 " Quarz
6 "x6" X0.250 " Quarz

 

Allgemeine Spezifikationen für Standard-Binär-Masken

CD-Größe CD Mittlere-to-Nenn CD Uniformity Anmeldung Defektgröße
2,0 & mgr; m ≤0.10 um ≤0.15 um ≤0.10 um ≥0.50 um
3,0 & mgr; m ≤0.15 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≥0.75 um
4.0 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≥1.00 um

 

Medium Bereich Masken

Medium Bereich Mask Abmessungen und Materialien

Produkt Größe Substratmaterialien
1X 9 "X9" 0,120 " Quarz Soda Lime (beide Chrom und Eisenoxid-Absorbern verfügbar)
9 "X9" 0,190 " Quarz

 

Gemeinsame Spezifikationen für Medium Bereich Masken (Quarzmaterial)

CD-Größe CD Mittlere-to-Nenn CD Uniformity Anmeldung Defektgröße
0,50 & mgr; m ≤0.20 um ---- ≤0.15 um ≥1.50 um

 

Gemeinsame Spezifikationen für Medium Bereich Masken (Soda Lime-Material)

CD-Größe CD Mittlere-to-Nenn CD Uniformity Anmeldung Defektgröße
10 & mgr; m ≤4.0 um ---- ≤4.0 um ≥10 um
4 um ≤2.0 um ---- ≤1.0 um ≥5 um
2,5 & mgr; m ≤0.5 um ---- ≤0.75 um ≥3 um

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