Dummy grade enkristallindiumfosfidskiva finns med doping S odlad av VGF. Elektronkoncentrationen av indiumfosfidskivan av N-typ når 10¹⁸centimeter^-3, och indiumfosfidresistiviteten är mycket låg, i allmänhet 10^-2~10^-3Ω·cm. It is mostly used in high-speed optoelectronic devices, such as LD, LED, PIN- PD, PIN-APD and etc. EPD map of InP can be offered if necessary, please contact us at victorchan@powerwaywafer.com. The specifications of the test grade InP wafers listas enligt följande:

1. Specifikationer för indiumfosfidskiva vid Dummy Grade

Punkt 1:

Punkt 2:

Punkt 3:

2. Indiumfosfidapplikationer av dummy

Dummy grade InP wafer används för test av epi -tillväxtprocesser och kompositionskarakterisering på epitaxialskiktet. Det är inte lämpligt för etsningskonstruktioner, t.ex. vågledare och optiskt galler på grund av tvillingkristaller och möjliga hål i skivorienteringen på tvillingens sida.

Mikrotwin eller släktlinje av skivans yta <20% är acceptabelt.

3. Indiumfosfidegenskaper

Indium phosphide is a group III-V compound semiconductor material compounded by the combination of group III element indium (In) and group V element phosphorus (P). It has a zinc blende structure with a indium phosphide lattice constant of 0.586 9 nm. InP single crystal is soft and brittle, silver-gray with metallic luster. The indium phosphide band gap at room temperature is 1.344 eV, which is a direct transition band structure. The emission wavelength is 0.92 um, the intrinsic carrier concentration of InP at room temperature is 2×10⁷centimeter^-3, och elektron- och hålrörligheten är 4500 cm²/Vs respektive 150 cm2/V · s.

Indiumfosfidkristallstruktur

4. InP Wafer Manufacturing Process

Indiumfosfid har nästan samma ansiktscentrerade kubiska kristallstruktur som galliumarsenid GaA och de flesta III-V halvledare. Indiumfosfidskivor måste förberedas före tillverkning av enheter och måste överlappas för att eliminera ytskador vid skivning. Dummy-skivan i InP är sedan kemisk mekanisk polering (CMP) för det sista materialborttagningssteget, vilket gör att man kan få en speglad yta med ultralätt grovhet i atomskala.

However, the growth process of indium phosphide from raw materials to ingots to wafers is very difficult. During the growth process, a high temperature of 1070℃ and extreme pressure are required. In addition, the atomic structure may change. What comes out may not meet expectations. From raw materials to ingots to a 2-inch or 4-inch indium phosphide single crystal wafer, the yield is generally about 28%, and the technical threshold is very high. Therefore, PAM-XIAMEN is one of the indium phosphide wafer suppliers that can successfully control the growth technology of indium phosphide. Relying on VGF, VB method crystal growth technology, high surface quality wire cutting technology, ultra-flat mechanical chemical polishing technology, ultra-clean surface cleaning technology and other related core technologies, the commercialization of indium phosphide wafers tends to be stable, and the products provided by PAM-XIAMEN are mainly used in optical fiber communications, optical detectors, infrared optics, high-frequency millimeter wave communications and other fields. In addition to the current application areas, the monocrystalline indium phosphide wafer substrate will expand in the terahertz field used in 6G communications.

5. InP Material framtida utveckling

In fact, InP substrate material is the most critical core material in the optical communication industry chain, ultra-high frequency millimeter wave radar, infrared detection and other fields. It is  inseparable from indium phosphide since the demand for higher bandwidth continues to grow, especially in the Human-driven cars, 5G communications, even the implementation and application of 6G, 7G, and 8G in the future. The indium phosphide wafer market at dummy or prime grade will usher in rapid growth, thereby, the indium phosphide wafer cost will go down.

För mer information, kontakta oss via e-post på victorchan@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com.