Il wafer di fosfuro di indio monocristallo fittizio è disponibile con drogaggio S cresciuto da VGF. La concentrazione di elettroni del wafer di fosfuro di indio di tipo N raggiunge i 1018cm-3, e la resistività del fosfuro di indio è molto bassa, generalmente 10-2~10-3Ω·cm. It is mostly used in high-speed optoelectronic devices, such as LD, LED, PIN- PD, PIN-APD and etc. EPD map of InP can be offered if necessary, please contact us at victorchan@powerwaywafer.com. The specifications of the test grade InP wafers sono elencati come segue:
1. Specifiche del wafer di fosfuro di indio a grado fittizio
Articolo 1:
| Voce | Parametro | UOM |
| Materiale | Wafer di fosfuro di indio | |
| Grado | Grado fittizio | |
| Diametro | 50.0 ± 0.5 | mm |
| Spessore | Min: 300 Max: 400 | um |
| Orientamento | (100) ± 0,5° | |
| Tipo di conducibilità / drogante | SCN / S | |
| Primaria Lunghezza piatto | 16 ± 2 | mm |
| Orientamento piatto primaria | EJ(0-1-1) | |
| Secondaria Lunghezza piatto | 7 ± 1 | mm |
| Secondaria Orientamento piatto | EJ(0-11) | |
| Concentrazione Carrier | Minimo Massimo: / | cm-3 |
| resistività | Minimo Massimo: / | ohm-cm |
| Mobilità | Minimo Massimo: / | cm2/V*Sec |
| EPD | Media: / Max: <1000 cm-2 | cm-2 |
| TTV | 10 | um |
| TIR | 10 | um |
| ARCO | 10 | um |
| Ordito | 15 | um |
| Superficie | P/P, P/E | |
| Arrotondamento del bordo | 0.25 (Conforme agli standard SEMI) | mmR |
| Epi-pronto | Sì | |
| Mark laser | / | |
| Zona gemellare lamellare | area utile del singolo cristallo con (100) orientamento >80% | |
| Pacchetto | singolo contenitore riempito con N2 |
Articolo 2:
| Voce | Parametro | UOM |
| Materiale | Substrato di fosfuro di indio | |
| Grado | Grado fittizio | |
| Diametro | 76,2 ± 0,5 | mm |
| Spessore | Min: 600 Max: 650 | um |
| Orientamento | (100) ± 0,5° | |
| Tipo di conducibilità / drogante | SCN / S | |
| Primaria Lunghezza piatto | 22 ± 1 | mm |
| Orientamento piatto primaria | EJ | |
| Secondaria Lunghezza piatto | 12 ± 1 | mm |
| Secondaria Orientamento piatto | EJ | |
| Concentrazione Carrier | Minimo Massimo: / | cm-3 |
| resistività | Minimo Massimo: / | ohm-cm |
| Mobilità | Minimo Massimo: / | cm2/V*Sec |
| EPD | Media: / Max: <1000 cm-2 | cm-2 |
| TTV | 10 | um |
| TIR | 10 | um |
| ARCO | 10 | um |
| Ordito | 15 | um |
| Superficie | P/P, P/E | |
| Arrotondamento del bordo | 0.25 (Conforme agli standard SEMI) | mmR |
| Epi-pronto | Sì | |
| Mark laser | / | |
| Zona gemellare lamellare | area utile del singolo cristallo con (100) orientamento>80% | |
| Pacchetto | singolo contenitore riempito con N2 |
Articolo 3:
| Voce | Parametro | UOM |
| Materiale | Wafer di fosfuro di indio | |
| Grado | Grado fittizio | |
| Diametro | 100.0 ± 0.5 | mm |
| Spessore | Min: 600 Max: 650 | um |
| Orientamento | (100) ± 0,5° | |
| Tipo di conducibilità / drogante | SCN / S | |
| Primaria Lunghezza piatto | 32,5 ± 1 | mm |
| Orientamento piatto primaria | EJ | |
| Secondaria Lunghezza piatto | 18 ± 1 | mm |
| Secondaria Orientamento piatto | EJ | |
| Concentrazione Carrier | Minimo Massimo: / | cm-3 |
| resistività | Minimo Massimo: / | ohm-cm |
| Mobilità | Minimo Massimo: / | cm2/V*Sec |
| EPD | Media: / Max: <1000 cm-2 | cm-2 |
| TTV | 10 | um |
| TIR | 10 | um |
| ARCO | 10 | um |
| Ordito | 15 | um |
| Superficie | P/P, P/E | |
| Arrotondamento del bordo | 0.25 (Conforme agli standard SEMI) | mmR |
| Epi-pronto | Sì | |
| Mark laser | / | |
| Zona gemellare lamellare | area utile del singolo cristallo con (100) orientamento>80% | |
| Pacchetto | singolo contenitore riempito con N2 |
2. Applicazioni fittizie di fosfuro di indio
Il wafer InP di grado fittizio viene utilizzato per il test del processo di crescita epi e la caratterizzazione della composizione sullo strato epitassiale. Non è adatto per l'incisione di strutture di dispositivi, ad esempio guida d'onda e griglia ottica a causa di cristalli gemelli e possibili fori dell'orientamento del wafer sul lato gemello.
Microtwin o lignaggio della superficie del wafer < 20% è accettabile.
3. Proprietà del fosfuro di indio
Indium phosphide is a group III-V compound semiconductor material compounded by the combination of group III element indium (In) and group V element phosphorus (P). It has a zinc blende structure with a indium phosphide lattice constant of 0.586 9 nm. InP single crystal is soft and brittle, silver-gray with metallic luster. The indium phosphide band gap at room temperature is 1.344 eV, which is a direct transition band structure. The emission wavelength is 0.92 um, the intrinsic carrier concentration of InP at room temperature is 2×107centimetro-3, e la mobilità di elettroni e lacune è di 4 500 cm2/Vs e 150 cm2/V·s rispettivamente.
Struttura in cristallo di fosfuro di indio
4. Processo di produzione di wafer InP
Il fosfuro di indio ha quasi la stessa struttura cristallina cubica a facce centrate dell'arseniuro di gallio GaAs e della maggior parte dei semiconduttori III-V. I wafer di fosfuro di indio devono essere preparati prima della produzione del dispositivo e devono essere sovrapposti per eliminare i danni superficiali durante il taglio. Il finto wafer di InP viene quindi sottoposto a lucidatura chimico meccanica (CMP) per la fase finale di asportazione del materiale, che consente di ottenere una superficie specchiata con rugosità ultrapiatta su scala atomica.
However, the growth process of indium phosphide from raw materials to ingots to wafers is very difficult. During the growth process, a high temperature of 1070℃ and extreme pressure are required. In addition, the atomic structure may change. What comes out may not meet expectations. From raw materials to ingots to a 2-inch or 4-inch indium phosphide single crystal wafer, the yield is generally about 28%, and the technical threshold is very high. Therefore, PAM-XIAMEN is one of the indium phosphide wafer suppliers that can successfully control the growth technology of indium phosphide. Relying on VGF, VB method crystal growth technology, high surface quality wire cutting technology, ultra-flat mechanical chemical polishing technology, ultra-clean surface cleaning technology and other related core technologies, the commercialization of indium phosphide wafers tends to be stable, and the products provided by PAM-XIAMEN are mainly used in optical fiber communications, optical detectors, infrared optics, high-frequency millimeter wave communications and other fields. In addition to the current application areas, the monocrystalline indium phosphide wafer substrate will expand in the terahertz field used in 6G communications.
5. Sviluppo futuro del materiale InP
In fact, InP substrate material is the most critical core material in the optical communication industry chain, ultra-high frequency millimeter wave radar, infrared detection and other fields. It is inseparable from indium phosphide since the demand for higher bandwidth continues to grow, especially in the Human-driven cars, 5G communications, even the implementation and application of 6G, 7G, and 8G in the future. The indium phosphide wafer market at dummy or prime grade will usher in rapid growth, thereby, the indium phosphide wafer cost will go down.
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