4″ Monokristalliner Siliziumwafer mit thermischem Oxid 20nm

4″ Monokristalliner Siliziumwafer mit thermischem Oxid 20nm

PAM XIAMEN bietet monokristalline 4-Zoll-Siliziumwafer mit thermischem Oxid 20 nm an

Wafer mit 4 Zoll Durchmesser aus monokristallinem Silizium mit Isolationsoxid
Durchmesser 101,6 mm
Polieren: einseitig für Mikroelektronik
Art der Leitfähigkeit und Legierung: keine Angabe
Oberflächenorientierung: nicht angegeben
Primäre und sekundäre flache Ausrichtung: nicht angegeben
Dicke: 675 Mikron ± 20 Mikron
Keil (TTV): weniger als 15 Mikron
TTV < 15 μm
Verzerrung: weniger als 35 Mikron
Dicke des Isolationsoxids: mindestens 20 nm
Vorderseite: poliert.
Rückseite: geläppt-geätzt

Für weitere Informationen senden Sie uns eine E-Mail ansales@powerwaywafer.comundpowerwaymaterial@gmail.com

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