Ge (Germanium) Einkristallen und Oblaten

Ge (Germanium) Einkristallen und Oblaten

PAM-XIAMEN bietet 2”, 3”, 4” und 6” Germanium-Wafer an, die Abkürzung für Ge-Wafer, gezüchtet von VGF / LEC. Leicht dotierte Germaniumwafer vom P- und N-Typ können auch für Hall-Effekt-Experimente verwendet werden. Bei Raumtemperatur ist kristallines Germanium spröde und weist eine geringe Plastizität auf. Germanium hat Halbleitereigenschaften. Hochreines Germanium wird mit dreiwertigen Elementen (wie Indium, Gallium, Bor) dotiert, um P-Typ-Germanium-Halbleiter zu erhalten; und fünfwertige Elemente (wie Antimon, Arsen und Phosphor) werden dotiert, um N-Typ-Germanium-Halbleiter zu erhalten. Germanium hat gute Halbleitereigenschaften, wie eine hohe Elektronenbeweglichkeit und eine hohe Lochbeweglichkeit.
  • Beschreibung

Produktbeschreibung

Single Crystal Germanium Wafer

PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.

1. Properties of Germanium Wafer

1.1 General Properties of Germanium Wafer

Allgemeine Eigenschaften Aufbau Cubic, a = 5.6754 Å
Dichte: 5,765 g / cm3
Melting   Point: 937.4 oC
Wärmeleitfähigkeit: 640
Crystal Growth Technologie Czochralski
Doping verfügbar undotierte Sb Doping Doping In oder Ga
leitfähige Typ / N P
Resistivität, ohm.cm >35 <0,05 0,05 bis 0,1
EPD < 5×103/cm2 < 5×103/cm2 < 5×103/cm2
< 5×102/cm2 < 5×102/cm2 < 5×102/cm2

 

1.2 Grades and Application of Germanium wafer

elektronische Grade Verwendet für Dioden und Transistoren,
Infrarot oder opitical Grad Wird für die IR optische Fenster oder Scheiben, opitical Komponenten
Zelle Grade Used for substrates of solar cell

 

1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

Kristallorientierung <111>,<100> and <110> ± 0.5o or custom orientation
Kristall boule als erwachsene 1 "~ 6" Durchmesser x 200 mm Länge
Standard leer als Schnitt 1 "x 0,5 mm 2 "x0.6mm 4 "x0.7mm 5 "und 6" x0.8mm
Standard Polierte Wafer (Ein / zwei Seiten poliert) 1 "x 0,30 mm 2 "x0.5mm 4 "x0.5mm  5″&6″x0.6mm
  • Special size and orientation are available upon requested Wafers

2. Specification of Germanium Wafer

2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size

Artikel Technische Daten Bemerkungen
Growth-Methode VGF
Conduction Typ n-Typ, p-Typ, undotierten  
Dotierstoff Gallium- oder Antimony
Wafer Diamter 2, 3,4 & 6 Zoll
Kristallorientierung (100), (111), (110)
Dicke 200 ~ 550 Äh
VON EJ oder US
Ladungsträgerkonzentration Anfrage bei Kunden  
Der spezifische Widerstand bei RT (0,001 ~ 80) Ohm.cm
Ätzgrübchendichte <5000 / cm2
Laserbeschriftung auf Anfrage
Oberflächenfinish P / E oder P / P
Epi bereit Ja
Paket Single-Wafer-Behälter oder Kassette

 

2.2 Germanium Wafer for Solar Cell

4-Zoll-Wafer-Ge-Spezifikation für Solarzellen  —
Doping P  —
Doping-Substanzen Ge-Ga  —
Durchmesser 100 ± 0,25 mm  —
Orientierung (100) 9 ° von der Richtung <111> +/- 0,5
Off-Orientierung Tiltwinkel N / A  —
Primäre Flach Orientierung N / A  —
Primäre Wohnung Länge 32 ± 1 Millimeter
Secondary Flach Orientierung N / A  —
Secondary Wohnung Länge N / A Millimeter
cc (0,26-2,24) E18 / cc
Der spezifische Widerstand (0,74 bis 2,81) E-2 ohm.cm
Electron Mobility 382-865 cm2 / vs
EPD <300 / cm2
Laser-Markierung N / A  —
Dicke 175 ± 10 um
TTV <15 um
TIR N / A um
BOGEN <10 um
Kette <10 um
Vorderseite Poliert  —
Rückfläche Boden  —

 

2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)

PAM180212-GE

Artikel DSP Ge Wafer
Dia 4 "
Dicke 1.50mm +/- 0.10mm
Orientierung N / A
Conductivity N / A
Der spezifische Widerstand N / A
Oberflächenprozess Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture
Other Parameters 60-40 scratch-dig or better
Less than 2 arc minutes parallelism
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture

 

2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM170213-GE)

4″ Germanium wafer with low plasma frequency, undoped ,175µm+/-25um. (100), single side polished.

3. Germanium Wafer Process

With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1) Hohe Reinheit Germanium wird während Zonenreinigung erhalten.
2) ein Germaniumkristall wird über das Czochralski-Verfahren hergestellt.
3) Der Germaniumwafer wird über mehrere Schneid hergestellt, Schleifen und Ätzschritte.
4) Die Wafer werden gereinigt und Inspektion. Während dieses Prozesses werden die Wafer einseitig poliert oder doppelseitig poliert nach kundenspezifischen Anforderung, Epi-Wafer bereit sind kommt.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

4. Application of Germanium:

Germanium leer oder Fenster werden in der Nachtsicht und Thermografie-Imaging-Lösungen für kommerzielle Sicherheit, Brandbekämpfung und industrielle Überwachungsgeräte eingesetzt. Außerdem werden sie als Filter für die Analyse- und Messmittel, Fenster für die Ferntemperaturmessung und Spiegel für Laser verwendet.

Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.

5. Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

 

 

 

For more information, please contact us email at [email protected]und[email protected]

 

Ge Wafer Supplier

P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell

Germanium Substrate for Optics and Epi-growth

As-cut Germanium (Ge) Window

Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth

Germanium (Ge) Barren

Einkristall-Germaniumwafer mit Orientierung (110) in Richtung <111>

Testverfahren für die Versetzungsdichte von monokristallinem Germanium

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