InSb wafer
PAM-XIamenen bietet zusammengesetzte Halbleiter-Insb-Wafer-Indium-Antimonid-Wafer, der durch LEC (flüssige eingekapselte Czochralski) als EPI-fertig oder mechanischer Grad mit N-Typ, P-Typ oder Semi-Inselung in unterschiedlicher Ausrichtung (111) oder (100) gezüchtet wird. Indium -Antimonid mit isoelektronischem (z. B. N -Doping) kann die Defektdichte während des Herstellungsprozesses des Indium -Antimonid -Dünnfilme verringern.
- Description
Beschreibung
Pam-Xiamen bietet zusammengesetzte Halbleiter Insb Wafer-Indium -AntimonidWafer, der durch LEC (flüssig eingekapselte Zochralski) als EPI-fähiger oder mechanischer Grad mit N-Typ, p-Typ oder Semi-Insuierung in unterschiedlicher Ausrichtung (111) oder (100) gezüchtet wird. Indium -Antimonid mit isoelektronischem (z. B. N -Doping) kann die Defektdichte während des Herstellungsprozesses des Indium -Antimonid -Dünnfilme verringern.
Indiumantimonid (INSB) ist eine kristalline Verbindung aus den Elementen Indium (IN) und Antimon (SB). Es handelt sich um ein Halbleitermaterial aus schmaler Lücke aus der III-V-Gruppe, die in Infrarotdetektoren verwendet wird, einschließlich thermischer Bildgebungskameras, FLIR-Systeme, Infrarot-Homing-Raketen-Leitsysteme und in der Infrarot-Astronomie. Die Indium -Antimonid -Detektoren sind zwischen 1 und 5 µm Wellenlängen empfindlich. Indium-Antimonid war ein sehr häufiger Detektor im alten, mechanisch gescannten thermischen Bildgebungssystemen mit Einzelketektors. Eine andere Anwendung ist eine Terahertz-Strahlungsquelle, da es sich um ein starker Emitter von Photo-Dember handelt.
| Waferspezifikation | |
| Artikel | Spezifikationen |
| Waferdurchmesser | 2 ″ 50,5 ± 0,5 mm |
| 3 "76,2 ± 0,4 mm | |
| 4 "1000,0 ± 0,5 mm | |
| Kristallorientierung | 2 "(111) AORB ± 0,1 ° |
| 3 "(111) AORB ± 0,1 ° | |
| 4 "(111) AORB ± 0,1 ° | |
| Dicke | 2 "625 ± 25 um |
| 3 ″ 800OR900 ± 25um | |
| 4 ″ 1000 ± 25 um | |
| Primäre flache Länge | 2 "16 ± 2mm |
| 3″22±2mm | |
| 4 ″ 32,5 ± 2,5 mm | |
| Sekundäre flache Länge | 2 "8 ± 1mm |
| 3″11±1mm | |
| 4″18±1mm | |
| Oberflächenfinish | P / E, P / P |
| Paket | EPI-fertige, Einzelwaferbehälter oder CF-Kassette |
| Elektrische und Dopingspezifikation | |||||
| Leitungstyp | n-Typ | n-Typ | n-Typ | n-Typ | p-Typ |
| Dotierstoff | niedrig dotiert | Tellur | Niedriger Tellur | Hoch Tellur | Genmanium |
| EPD cm-2 | 2″3″4″≤50 | 2″≤100 | |||
| Mobilität CM² V-1S-1 | ≥4*105 | ≥2,5*104 | ≥2,5*105 | Nicht angegeben | 8000-4000 |
| Trägerkonzentration CM-3 | 5*1013-3*1014 | （1-7）*1017 | 4*1014-2*1015 | ≥1*1018 | 5*1014-3*1015 |
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1) 2 "(50,8 mm) Insb -Wafer
Orientierung: (100)
Typ/Dotierstoff: N/niedrig dotiert
Durchmesser: 50,8 mm
Dicke: 300 ± 25 µm; 500um
NC: <2e14a/cm3
Politur: SSP
2) 2 "(50,8 mm) Insb -Wafer
Orientierung: (100)
Typ/Dopant: n/te
Durchmesser: 50,8 mm
Trägerkonzentration: 0,8-2,1 x 1015 cm-3
Dicke: 450 +/- 25 um; 525 ± 25 µm
EPD <200 cm-2
Politur: SSP
3) 2 "(50,8 mm) Insb -Substrat
Orientierung: (111) + 0,5 °
Dicke: 450 +/- 50 um
Typ/Dotierstoff: N/niedrig dotiert
Trägerkonzentration: <5 x 10^14 cm-3
EPD <5 x 103 cm-2
Oberflächenrauheit: <15 a
Bogen/Kette: <30 ähm
Politur: SSP
4) 2 "(50,8 mm) Insb -Substrat
Orientierung: (111) + 0,5 °
Typ/Dopant: P/Ge
Politur: SSP
5) 2 "(50,8 mm) Indium -Antimonid -Wafer
Dicke: 525 ± 25 µm,
Orientierung: [111a] ± 0,5 °
Typ/Dopant: n/te
RO = (0.020-0.028) ohmcm,
Nc = （4-8） e14cm-3/cc,,
u = (4.05e5-4.33e5) cm²/vs,,
EPD <100/cm²,
Mobilität:> 1e4cm2/vs
Eine Seitenkante;
In (a) Gesicht: Chemisch-mechanisch endgültig poliert auf 0,1 µm (endgültiger Politur),
SB (b) Gesicht: chemisch mechanisch endgültig poliert auf <5 µm (Lasermark),
Hinweis: NC und Mobilität liegen bei 77ºK.
Politur: SSP; DSP
6) 2 "(50,8 mm) Gasb
Dicke: 525 ± 25 µm,
Orientierung: [111b] ± 0,5 °,,
Typ/Dotiermittel: P/Niedrig dotiert; n/niedrig dotiert
Politur: SSP; DSP
Oberflächenzustand und andere Spezifikation
Indium-Antimonid-Wafer kann als Wafer mit AS-geschnittenen, geätzten oder polierten Oberflächen mit einem weiten Bereich an Dotierungskonzentration und Dicke angeboten werden. Der INSB-Wafer könnte eine hochwertige EPI-fertige Veredelung sein.
Orientierungsspezifikation
Indium-Antimonidoberflächenorientierungen werden unter Verwendung eines Drei-Achse-Röntgen-Diffraktometersystems einer Genauigkeit von +/- 0,5 Grad zugeführt. Indium -Antimonid -Substrate können auch mit sehr präzisen Fehlorientierungen in eine beliebige Richtung aus der Wachstumsebene geliefert werden. Die verfügbare INSB -Waferorientierung kann (100), (111), (110) oder eine andere Ausrichtung oder einen Fehlgrad sein.
Verpackungszustand
Polierter Wafer: einzeln in zwei äußeren Taschen in einer intrigen Atmosphäre versiegelt. Bei Bedarf sind Kassettenversand verfügbar.
AS-Cut Wafer: Kassettenversand. (Glasinbeutel auf Anfrage erhältlich).
Indium -Antimonideigenschaften und verwendet
Die Indium -Antimonidkristallstruktur ist Silber-, Spröd- und Zinkmischungsstruktur. Die Indium -Antimonidgitterkonstante beträgt 6,48 Å, und das Indium -Antimonid ist ein direktes Bandlückenmaterial mit einer schmalen Bandlücke von 0,18 eV. Die Elektronenmobilität von Indium -Antimonidleitungen beträgt bis zu 7800 cm2/V · S, mit der Infrarotdetektoren, photomagnetische Detektoren und Hall -Geräte hergestellt werden können.
*Erforderliche Exportlizenz: Einkristall -Insb mit EPD <50/cm-2
