Freistehenden GaN-Substrat

Freistehendes GaN-Substrat

PAM-XIAMEN hat die Herstellungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) GaN-Substratwafer für UHB-LED und LD etabliert. Unser GaN-Substrat wurde mit der HVPE-Technologie (Hydrid Steam Phase Epitaxy) gezüchtet und weist eine geringe Defektdichte auf.

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

Freistehenden GaN-Substrat

As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN-Substratwafer  which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN-Substrat for III-nitride devices has  low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.

In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.

Spezifikation des freistehenden GaN-Substrats

 Hier zeigt Detailspezifikation:

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Artikel PAM-FS-GaN100-N+
Conduction Typ N type/Si doped
Größe 4″(100)+/-1mm
Dicke 480+/-50
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort (10-10)+/-0.5o
Primäre Wohnung Länge 32+/-1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210)+/-3o
Secondary Wohnung Länge 18+/-1mm
Spezifischer Widerstand (300K) <0.05Ω·cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOGEN <=+/-30um
Oberflächenfinish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Rückseite: 1. Feiner Boden
2.Polished.
Nutzfläche ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Artikel PAM-FS-GaN100-N-
Conduction Typ N type/undoped
Größe 4″(100)+/-1mm
Dicke 480+/-50
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort (10-10)+/-0.5o
Primäre Wohnung Länge 32+/-1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210)+/-3o
Secondary Wohnung Länge 18+/-1mm
Spezifischer Widerstand (300K) <0.5Ω · cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOGEN <=+/-30um
Oberflächenfinish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Rückseite: 1. Feiner Boden
2.Polished.
Nutzfläche ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Artikel PAM-FS-GaN100-SI
Conduction Typ Semi-Insulating
Größe 4″(100)+/-1mm
Dicke 480+/-50
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort (10-10)+/-0.5o
Primäre Wohnung Länge 32+/-1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210)+/-3o
Secondary Wohnung Länge 18+/-1mm
Spezifischer Widerstand (300K) >10^6Ω·cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOGEN <=+/-30um
Oberflächenfinish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Rückseite: 1. Feiner Boden
2.Polished.
Nutzfläche ≥ 90 %

 

2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Artikel PAM-FS-GaN50-N+
Conduction Typ N type/Si doped
Größe 2 "(50,8) +/- 1mm
Dicke 400+/-50
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort (10-10)+/-0.5o
Primäre Wohnung Länge 16 +/- 1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210)+/-3o
Secondary Wohnung Länge 8 +/- 1mm
Spezifischer Widerstand (300K) <0.05Ω·cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
BOGEN <=+/-20um
Oberflächenfinish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                    2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Artikel PAM-FS-GaN50-N-
Conduction Typ N type/undoped
Größe 2 "(50,8) +/- 1mm
Dicke 400+/-50
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort (10-10)+/-0.5o
Primäre Wohnung Länge 16 +/- 1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210)+/-3o
Secondary Wohnung Länge 8 +/- 1mm
Spezifischer Widerstand (300K) <0.5Ω · cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
BOGEN <=+/-20um
Oberflächenfinish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Artikel PAM-FS-GaN50-SI
Conduction Typ Semi-Insulating
Größe 2 "(50,8) +/- 1mm
Dicke 400+/-50
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort (10-10)+/-0.5o
Primäre Wohnung Länge 16 +/- 1mm
Secondary Wohnung Standort (1-210)+/-3o
Secondary Wohnung Länge 8 +/- 1mm
Spezifischer Widerstand (300K) >10^6Ω·cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
BOGEN <=+/-20um
Oberflächenfinish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 

15 mm, 10 mm, 5 mmFreistehendGaN-Substrat

Artikel PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
Conduction Typ N-Typ Halbisolierendem
Größe 14,0 mm * 15 mm 10,0 mm * 10,5 mm 5,0 * 5,5 mm
Dicke 330-450um
Orientierung C-Achse (0001) +/- 0,5o
Primäre Wohnung Standort  
Primäre Wohnung Länge  
Secondary Wohnung Standort  
Secondary Wohnung Länge  
Spezifischer Widerstand (300K) <0.5Ω · cm > 106 Ω · cm
Versetzungsdichte <5 x 106 cm & supmin; ²
Marco Defektdichte 0 cm & supmin; ²
TTV <= 15um
BOGEN <= 20 um
Oberflächenfinish Vorderseite: Ra <0,2 nm. EPI-fähig poliert
  Rückseite: 1. Feiner Boden
    2. Grob gemahlen
Nutzfläche ≥ 90%


            

Hinweis:

Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate

Anwendung von GaN-Substrat

Festkörperbeleuchtung: GaN-Geräte werden als Leuchtdioden (LEDs) mit ultrahoher Helligkeit, Fernseher, Automobile und Allgemeinbeleuchtung verwendet

DVD Storage: Blue laser diodes

Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites


Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth

Drahtlose Basisstationen: HF-Leistungstransistoren

Drahtloser Breitbandzugang: Hochfrequenz-MMICs, RF-Schaltungs-MMICs

Drucksensoren: MEMS

Wärmesensoren: Pyroelektrische Detektoren

PLeistungskonditionierung: Mixed-Signal-GaN / Si-Integration

Automobilelektronik: Hochtemperaturelektronik

Stromübertragungsleitungen: Hochspannungselektronik

Rahmensensoren: UV-Detektoren

Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride

(InGaN) -Legierungen, die sich perfekt zur Herstellung von Solarzellenmaterial eignen. Aufgrund dieses Vorteils werden InGaN-Solarzellen, die auf GaN-Substraten gezüchtet werden, zu einer der wichtigsten neuen Anwendungen und Wachstumsmärkte für GaN-Substratwafer.

Ideal für HEMTs, FETs

GaN-Schottky-Diodenprojekt: Wir akzeptieren kundenspezifische Spezifikationen von Schottky-Dioden, die auf HVPE-gewachsenen, freistehenden Galliumnitrid (GaN) -Schichten vom n- und p-Typ hergestellt wurden.
Beide Kontakte (ohmsch und Schottky) wurden mit Al / Ti und Pd / Ti / Au auf der Oberseite abgeschieden.
Wir bieten Testberichte an, siehe unten ein Beispiel:

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