Freistehenden GaN-Substrat

Produktbeschreibung

Freistehenden GaN-Substrat

Als führender GaN-Substratlieferant hat PAM-XIAMEN die Fertigungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid) etabliert.GaN-SubstratwaferDabei handelt es sich um ein Bulk-GaN-Substrat für UHB-LED, LD und die Herstellung als MOS-basierte Geräte. Gezüchtet durch die Hydrid-Vapor-Phase-Epitaxie-Technologie (HVPE).GaN-Substratfür III-Nitrid-Geräte weist eine geringe Defektdichte und eine geringere oder freie Makrodefektdichte auf. Die Dicke des GaN-Substrats beträgt 330–530 μm.

Zusätzlich zu Leistungsgeräten werden Galliumnitrid-Halbleitersubstrate zunehmend bei der Herstellung von Weißlicht-LEDs verwendet, da die GaN-LED-Substrate verbesserte elektrische Eigenschaften bieten und ihre Leistung die Leistung aktueller Geräte übertrifft. Darüber hinaus hat die rasante Entwicklung der Galliumnitrid-Substrattechnologie zur Entwicklung hocheffizienter freistehender GaN-Substrate mit geringer Defektdichte und freier Makrodefektdichte geführt. Daher können solche GaN-Substrate zunehmend für weiße LEDs verwendet werden. Infolgedessen wächst der Markt für GaN-Substrate in großen Mengen rasant. Übrigens können Bulk-GaN-Wafer zum Testen vertikaler Leistungsgerätekonzepte verwendet werden.

1. Specification of Freestanding GaN substrate

 Hier zeigt Detailspezifikation:

1.1 4″ N type Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.2 4″ N Type Low Doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.3 4″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.4 2″ Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.5 2″ Low doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.6 2″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.7 15mm,10mm,5mm FreistehendGaN-Substrat

Hinweis:

Validierungswafer:Im Hinblick auf die Benutzerfreundlichkeit bietet PAM-XIAMEN 2-Zoll-Saphir-Validierungswafer für freistehende GaN-Substrate mit einer Größe von weniger als 2 Zoll an

2. Properties of Freestanding GaN Substrate

3. Application of GaN Substrate

Festkörperbeleuchtung: GaN-Geräte werden als Leuchtdioden (LEDs) mit ultrahoher Helligkeit, Fernseher, Automobile und Allgemeinbeleuchtung verwendet

DVD-Speicher: Blaue Laserdioden

Leistungsgerät: Auf GaN-Massensubstrat hergestellte Geräte werden als verschiedene Komponenten in der Hochleistungs- und Hochfrequenz-Leistungselektronik wie Mobilfunkbasisstationen, Satelliten, Leistungsverstärkern und Wechselrichtern/Konvertern für Elektrofahrzeuge (EV) und Hybrid-Elektrofahrzeuge (HEV) verwendet ). Die geringe Empfindlichkeit von GaN gegenüber ionisierender Strahlung (wie bei anderen Nitriden der Gruppe III) macht es zu einem geeigneten Material für weltraumgestützte Anwendungen wie Solarzellenarrays für Satelliten und leistungsstarke Hochfrequenzgeräte für Kommunikations-, Wetter- und Überwachungssatelliten

Reines Galliumnitrid-Substrat IDeal für das Wiederwachstum von III-Nitriden

Drahtlose Basisstationen: HF-Leistungstransistoren

Drahtloser Breitbandzugang: Hochfrequenz-MMICs, RF-Schaltungs-MMICs

Drucksensoren: MEMS

Wärmesensoren: Pyroelektrische Detektoren

PLeistungskonditionierung: Mixed-Signal-GaN / Si-Integration

Automobilelektronik: Hochtemperaturelektronik

Stromübertragungsleitungen: Hochspannungselektronik

Rahmensensoren: UV-Detektoren

Solarzellen: Die große Bandlücke von GaN deckt das Sonnenspektrum von 0,65 eV bis 3,4 eV ab (das ist praktisch das gesamte Sonnenspektrum) und ergibt Indiumgalliumnitrid

(InGaN) -Legierungen, die sich perfekt zur Herstellung von Solarzellenmaterial eignen. Aufgrund dieses Vorteils werden InGaN-Solarzellen, die auf GaN-Substraten gezüchtet werden, zu einer der wichtigsten neuen Anwendungen und Wachstumsmärkte für GaN-Substratwafer.

Ideal für HEMTs, FETs

GaN-Schottky-Diodenprojekt: Wir akzeptieren kundenspezifische Spezifikationen von Schottky-Dioden, die auf den HVPE-gewachsenen, freistehenden Galliumnitrid (GaN)-Schichten vom n- und p-Typ hergestellt werden.

Beide Kontakte (ohmsch und Schottky) wurden mit Al/Ti und Pd/Ti/Au auf der Oberseite abgeschieden.

Anmerkung:
Die chinesische Regierung hat neue Beschränkungen für den Export von Galliummaterialien (wie GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs und GaSb) und Germaniummaterialien zur Herstellung von Halbleiterchips angekündigt. Ab dem 1. August 2023 ist der Export dieser Materialien nur noch erlaubt, wenn wir eine Lizenz des chinesischen Handelsministeriums erhalten. Wir hoffen auf Ihr Verständnis und Ihre Mitarbeit!