Etiqueta del producto - Substrato independiente de GaN

PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para autoportante oblea sustrato de GaN (nitruro de galio), que es para UHB-LED y LD. Grown por la tecnología de hidruro de epitaxia en fase vapor (HVPE), nuestro sustrato de GaN tiene una baja densidad de defectos.