GaN Templates
- Description
Descripción del Producto
GaN Plantilla (nitruro de galio plantilla)
La plantilla GaN de PAM-XIAMEN consta de capas cristalinas de nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN), nitruro de galio y aluminio (AlGaN) y nitruro de galio indio (InGaN), que son epicapas sobre zafiro y grado electrónico para la fabricación basada en MOS. dispositivos. Los productos de plantilla de nitruro de galio de PAM-XIAMEN permiten tiempos de ciclo de epitaxia entre un 20 % y un 50 % más cortos y capas de dispositivos epitaxiales de mayor calidad, con mejor calidad estructural y mayor conductividad térmica, lo que puede mejorar el costo, el rendimiento y el rendimiento de los dispositivos.
2″(50,8 mm)Plantillas GaNEpitaxia sobre sustratos de zafiro
| Artículo | PAM-2 pulgadas-GaNT-N | PAM-2 pulgadas-GaNT-SI |
| Tipo de conducción | tipo N | semiaislante |
| dopante | Si dopado o poco dopado | Fe dopado |
| Tamaño | 2″(50 mm) de diámetro. | |
| Espesor | 4um,20um,30um,50um,100um | 30um, 90um |
| Orientación | Eje C(0001)+/-1° | |
| Resistividad (300K) | <0,05Ω·cm | >1×106Ω·cm |
| Densidad de dislocación | <1x108cm-2 | |
| Estructura del sustrato | GaN en zafiro (0001) | |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras, listo para epi | |
| Área utilizable | ≥ 90 % | |
Epitaxia de plantillas de GaN de 2 ″ (50,8 mm) sobre sustratos de zafiro
| Artículo | PAM-GaNT-P | |
| Tipo de conducción | tipo P | |
| dopante | dopado con mg | |
| Tamaño | 2″(50 mm) de diámetro. | |
| Espesor | 5um,20um,30um,50um,100um | |
| Orientación | Eje C(0001)+/-1° | |
| Resistividad (300K) | <1Ω·cm o personalizado | |
| Concentración de dopante | 1E17(cm-3) o personalizado | |
| Estructura del sustrato | GaN en zafiro (0001) | |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras, listo para epi | |
| Área utilizable | ≥ 90 % | |
Epitaxia de plantillas de GaN de 3 ″ (76,2 mm) sobre sustratos de zafiro
| Artículo | PAM-3 pulgadas-GaNT-N |
| Tipo de conducción | tipo N |
| dopante | si dopado |
| Zona de exclusión: | 5 mm desde el diámetro exterior |
| Espesor: | 20um, 30um |
| Densidad de dislocación | < 1x108cm-2 |
| Resistencia de la lámina (300K): | <0,05Ω·cm |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientación : | plano C |
| Grosor del zafiro: | 430um |
| Pulido: | Pulido de un solo lado, listo para epi, con pasos atómicos. |
| Revestimiento trasero: | (personalizado) Recubrimiento de titanio de alta calidad, espesor > 0,4 μm |
| Embalaje: | Empaquetado individualmente bajo argón |
| Atmósfera sellada al vacío en sala blanca clase 100. |
Epitaxia de plantillas de GaN de 3 ″ (76,2 mm) sobre sustratos de zafiro
| Artículo | PAM-3 pulgadas-GaNT-SI |
| Tipo de conducción | semiaislante |
| dopante | Fe dopado |
| Zona de exclusión: | 5 mm desde el diámetro exterior |
| Espesor: | 20um,30um,90um(20um es el mejor) |
| Densidad de dislocación | < 1x108cm-2 |
| Resistencia de la lámina (300K): | >106 ohmios.cm |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientación : | plano C |
| Grosor del zafiro: | 430um |
| Pulido: | Pulido de un solo lado, listo para epi, con pasos atómicos. |
| Revestimiento trasero: | (personalizado) Recubrimiento de titanio de alta calidad, espesor > 0,4 μm |
| Embalaje: | Envasado individualmente bajo atmósfera de argón sellado al vacío en sala limpia clase 100. |
Plantillas de GaN de 4 ″ (100 mm) epitaxiales sobre sustratos de zafiro
| Artículo | PAM-4 pulgadas-GaNT-N |
| Tipo de conducción | tipo N |
| dopante | bajo dopado |
| Espesor: | 4um |
| Densidad de dislocación | < 1x108cm-2 |
| Resistencia de la lámina (300K): | <0,05Ω·cm |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientación : | plano C |
| Grosor del zafiro: | – |
| Pulido: | Pulido de un solo lado, listo para epi, con pasos atómicos. |
| Embalaje: | Envasado individualmente bajo atmósfera de argón. |
| Sellado al vacío en sala limpia clase 100. |
Plantillas de epitaxia de AlGaN, InGaN y AlN de 2″ (50,8 mm): personalizadas
2”(50.8mm)AlN Epitaxy on Sapphire Templates
| Artículo | PAM-AlNT-SI |
| Tipo de conducción | semiaislante |
| Diámetro | Ф 50,8 mm ± 1 mm |
| Espesor: | 1000nm+/- 10% |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientación : | Eje C(0001)+/-1° |
| Orientación plana | Un avion |
| XRD FWHM de (0002) | <200 segundos de arco. |
| Área de superficie útil | ≥90% |
| Pulido: | Ninguno |
2”(50,8 mm)Epitaxia InGaN en plantillas de zafiro
| Artículo | PAM-INGAN |
| Tipo de conducción | – |
| Diámetro | Ф 50,8 mm ± 1 mm |
| Espesor: | 100-200 nm, personalizado |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientación : | Eje C(0001)+/-1O |
| dopante | En |
| Densidad de dislocación | ~ 108cm-2 |
| Área de superficie útil | ≥90% |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras, listo para epi |
Epitaxia de AlGaN de 2”(50,8 mm) sobre plantillas de zafiro
| Artículo | PAM-AlNT-SI |
| Tipo de conducción | semiaislante |
| Diámetro | Ф 50,8 mm ± 1 mm |
| Espesor: | 1000nm+/- 10% |
| Sustrato: | zafiro |
| Orientación : | plano C |
| Orientación plana | Un avion |
| XRD FWHM de (0002) | <200 segundos de arco. |
| Área de superficie útil | ≥90% |
| Pulido: | Ninguno |
Plantilla GaN sobre zafiro y silicio
GaN de 2″(50,8 mm) sobre sustrato de SiC 4H o 6H
| 1) Hay disponibles tampones de GaN o AlN sin dopar; | ||||
| 2) capas epitaxiales de GaN tipo n (dopadas con Si o poco dopadas), tipo p o semiaislante disponibles; | ||||
| 3) estructuras conductoras verticales sobre SiC tipo n; | ||||
| 4)AlGaN – 20-60 nm de espesor, (20%-30%Al), tampón dopado con Si; | ||||
| 5) Capa de GaN tipo n en una oblea de 2” de espesor de 330 µm+/-25 um. | ||||
| 6) Pulido de una o dos caras, listo para epi, Ra<0,5um | ||||
| 7)Valor típico en XRD: | ||||
| ID de oblea | ID del sustrato | DRX(102) | DRX(002) | Espesor |
| #2153 | X-70105033 (con AlN) | 298 | 167 | 679um |
| Pulido de una o dos caras, listo para epi, Ra<0,5um | ||||
6″ (150 mm)n-GaN encendidopulido por ambos ladoszafiro plano
| Objetivo | observación | |
| Diámetro del sustrato | 150mm | +/- 0,15 mm |
| Espesor del sustrato | 1300um o 1000um | +/- 25um |
| Plano c (0001), ángulo de corte hacia el plano m | 0,2 grados | +/- 0,1 grados |
| Longitud plana primaria única | 47,5 milímetros | +/- 1 milímetro |
| Orientación plana | Un avion | +/- 0,2 grados |
| Espesor de n-GaN dopado con Si | 4 mi | +/- 5% |
| Concentración de Si en n-GaN | 5e18cm-3 | si |
| espesor u-GaN | 1 um | no esta capa |
| Curva de oscilación XRD (002) | < 250 segundos de arco | <300 segundos de arco |
| Curva de oscilación XRD (102) | < 250 segundos de arco | <350 segundos de arco |
| Densidad de dislocación | < 5e8 cm-2 | si |
| Superficie lateral frontal, AFM (5×5 um2) Ra | < 0,5 nm, preparado para Epi | si |
| Superficie trasera | 0,6 – 1,2 um, molido fino | si |
| Inclinación de oblea | < 100 micras | no estos datos |
| Resistividad n-GaN (300K) | < 0,01 ohmios-cm2 | si |
| Variación del espesor total | < 25 micras | <10um |
| Densidad de defectos | Macrodefectos (>100 um):< 1/oblea Microdefectos (1-100 um):< 1/cm2 | Macrodefectos (>100 um):< 10/oblea Microdefectos (1-100 um):< 10/cm2 |
| Marcado láser | en la parte trasera de la oblea plana | si |
| Paquete | envasado en un ambiente de sala limpia clase 100, en casetes de 25 unidades o contenedores de oblea individuales, bajo atmósfera de nitrógeno, doble sellado | si |
| Exclusión de bordes | < 3 milímetros | si |
| Superficie útil | > 90% | si |
Proceso de epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE)
La plantilla de GaN en zafiro es gfilamediante el proceso y la tecnología HVPE para la producción de semiconductores compuestos como GaN, AlN y AlGaN.Plantillas de GaN se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones: crecimiento de nanocables, iluminación de estado sólido, optoelectrónica de longitud de onda corta y dispositivos de potencia de RF.
En el proceso HVPE, los nitruros del grupo III (como GaN, AlN) se forman haciendo reaccionar cloruros metálicos gaseosos calientes (como GaCl o AlCl) con amoníaco gaseoso (NH3). Los cloruros metálicos se generan haciendo pasar gas HCl caliente sobre los metales calientes del Grupo III. Todas las reacciones se realizan en un horno de cuarzo con temperatura controlada.
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperamos su comprensión y cooperación!
Ofreceremos informes de prueba; consulte a continuación un ejemplo:
Informe de estructura de plantilla de AlGaN
Más productos:
Plantilla de película delgada de GaN sobre zafiro (Al2O3)
Sustrato y plantilla de cristal único de AlN sobre zafiro/silicio
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Sustrato de oblea de SiC
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Oblea InAs
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Obleas y cristales individuales de Ge (germanio)
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Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de nitruro de galio (GaN) son la próxima generación de tecnología de transistores de potencia de RF. Gracias a la tecnología GaN, PAM-XIAMEN ahora ofrece AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer en zafiro o silicio, y AlGaN/GaN en plantilla de zafiro.
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Oblea de GaAs
PAM-XIAMEN fabrica varios tipos de materiales semiconductores tipo n dopados con silicio epi wafer III-V basados en Ga, Al, In, As y P cultivados por MBE o MOCVD. Suministramos estructuras de epiwafer de GaAs personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente; contáctenos para obtener más información.
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Sustrato independiente de GaN
PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación de oblea de sustrato GaN independiente (nitruro de galio), que es para UHB-LED y LD. Cultivado mediante tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE), nuestro sustrato de GaN tiene una baja densidad de defectos.
