La linea di prodotti PAM-XIAMEN include un substrato di wafer per lucidatura su un lato (SSP) e su entrambi i lati (DSP) o chiamato wafer lucidato a specchio per applicazioni di semiconduttori, MEMS e altri chip che richiedono una planarità rigorosamente controllata spesso richiedono la doppia faccia trucioli di lucidatura. Sono anche necessari per un modello su due lati e un progetto di produzione di dispositivi. Normalmente gli utenti finali acquisteranno wafer lucidati su entrambi i lati grazie alla migliore planarità. La superficie di rugosità del wafer di lucidatura dovrebbe essere richiesta a Ra<0,5 nm o 0,2 nm.
Sebbene i dispositivi a semiconduttore continuino a ridursi, è sempre più importante che i chip abbiano un'elevata qualità della superficie sia sul lato anteriore che su quello posteriore. Attualmente, questi chip sono più comunemente utilizzati nei sistemi microelettromeccanici (MEMS) e nelle applicazioni con severi requisiti di planarità. PAM-XIAMEN offre un gran numero di wafer lucidati a doppia faccia, tutti con diametri che vanno da 50 mm a 150 mm. Se non abbiamo le vostre specifiche nel nostro inventario, abbiamo stabilito relazioni a lungo termine con un certo numero di fornitori che sono in grado di personalizzare i wafer per soddisfare qualsiasi specifica particolare.
1. Elenco dei wafer di lucidatura del carburo di silicio
| Carburo di silicio 4″ 4H | |||||||
| Oggetto numero. | Tipo | Orientamento | Spessore | Grado | Densità Micropipe | Superficie | Area utilizzabile |
| Tipo N | |||||||
| S4H-100-N-SIC-350-A | 4″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 350±25um | A | <10/cm2 | P / P | > 90% |
| S4H-100-N-SIC-350-B | 4″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 350±25um | B | < 30/cm2 | P / P | >85% |
| S4H-100-N-SIC-350-D | 4″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 350±25um | D | <100/cm2 | P / P | >75% |
| S4H-100-N-SIC-370-L | 4″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 370±25um | D | * | LL | >75% |
| S4H-100-N-SIC-440-AC | 4″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 440 ± 25 um | D | * | Come tagliato | >75% |
| S4H-100-N-SIC-C0510-AC-D | 4″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 5~10 mm | D | <100/cm2 | Come tagliato | * |
| S4H-100-N-SIC-C1015-AC-C | 4″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 5~10 mm | C | <50/cm2 | Come tagliato | * |
| Carburo di silicio 3″ 4H | |||||||
| Oggetto numero. | Tipo | Orientamento | Spessore | Grado | Densità Micropipe | Superficie | Area utilizzabile |
| Tipo N | |||||||
| S4H-76-N-SIC-350-A | 3″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 350±25um | A | <10/cm2 | P / P | > 90% |
| S4H-76-N-SIC-350-B | 3″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 350±25um | B | < 30/cm2 | P / P | >85% |
| S4H-76-N-SIC-350-D | 3″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 350±25um | D | <100/cm2 | P / P | >75% |
| S4H-76-N-SIC-370-L | 3″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 370±25um | D | * | LL | >75% |
| S4H-76-N-SIC-410-AC | 3″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 410±25um | D | * | Come tagliato | >75% |
| S4H-76-N-SIC-C0510-AC-D | 3″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 5~10 mm | D | <100/cm2 | Come tagliato | * |
| S4H-76-N-SIC-C1015-AC-D | 3″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 10~15 mm | D | <100/cm2 | Come tagliato | * |
| S4H-76-N-SIC-C0510-AC-C | 3″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 5~10 mm | C | <50/cm2 | Come tagliato | * |
| S4H-76-N-SIC-C1015-AC-C | 3″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 10~15 mm | C | <50/cm2 | Come tagliato | * |
| SEMI-ISOLANTE |
| S4H-76-SI-SIC-350-A | 3″ 4H-SI | 0°/4°±0,5° | 350±25um | A | <10/cm2 | P / P | > 90% |
| S4H-76-SI-SIC-350-B | 3″ 4H-SI | 0°/4°±0,5° | 350±25um | B | < 30/cm2 | P / P | >85% |
| S4H-76-SI-SIC-350-D | 3″ 4H-SI | 0°/4°±0,5° | 350±25um | D | <100/cm2 | P / P | >75% |
| Carburo di silicio 2″ 4H | |||||||
| Oggetto numero. | Tipo | Orientamento | Spessore | Grado | Densità Micropipe | Superficie | Area utilizzabile |
| Tipo N | |||||||
| S4H-51-N-SIC-330-A | 2″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 330±25um | A | <10/cm2 | C/P | > 90% |
| S4H-51-N-SIC-330-B | 2″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 330±25um | B | < 30/cm2 | C/P | >85% |
| S4H-51-N-SIC-330-D | 2″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 330±25um | D | <100/cm2 | C/P | >75% |
| S4H-51-N-SIC-370-L | 2″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 370±25um | D | * | LL | >75% |
| S4H-51-N-SIC-410-AC | 2″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 410±25um | D | * | Come tagliato | >75% |
| S4H-51-N-SIC-C0510-AC-D | 2″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 5~10 mm | D | <100/cm2 | Come tagliato | * |
| S4H-51-N-SIC-C1015-AC-D | 2″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 10~15 mm | D | <100/cm2 | Come tagliato | * |
| S4H-51-N-SIC-C0510-AC-C | 2″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 5~10 mm | C | <50/cm2 | Come tagliato | * |
| S4H-51-N-SIC-C1015-AC-C | 2″ 4H-N | 0°/4°±0,5° | 10~15 mm | C | <50/cm2 | Come tagliato | * |
| Carburo di silicio da 2″ 6H | |||||||
| Oggetto numero. | Tipo | Orientamento | Spessore | Grado | Densità Micropipe | Superficie | Area utilizzabile |
| Tipo N | |||||||
| S6H-51-N-SIC-330-A | 2″ 6H-N | 0°/4°±0,5° | 330±25um | A | <10/cm2 | C/P | > 90% |
| S6H-51-N-SIC-330-B | 2″ 6H-N | 0°/4°±0,5° | 330±25um | B | < 30/cm2 | C/P | >85% |
| S6H-51-N-SIC-330-D | 2″ 6H-N | 0°/4°±0,5° | 330±25um | D | <100/cm2 | C/P | >75% |
| S6H-51-N-SIC-370-L | 2″ 6H-N | 0°/4°±0,5° | 370±25um | D | * | LL | >75% |
| S6H-51-N-SIC-410-AC | 2″ 6H-N | 0°/4°±0,5° | 410±25um | D | * | Come tagliato | >75% |
| S6H-51-N-SIC-C0510-AC-D | 2″ 6H-N | 0°/4°±0,5° | 5~10 mm | D | <100/cm2 | Come tagliato | * |
| S6H-51-N-SIC-C1015-AC-D | 2″ 6H-N | 0°/4°±0,5° | 10~15 mm | D | <100/cm2 | Come tagliato | * |
| S6H-51-N-SIC-C0510-AC-C | 2″ 6H-N | 0°/4°±0,5° | 5~10 mm | C | <50/cm2 | Come tagliato | * |
| S6H-51-N-SIC-C1015-AC-C | 2″ 6H-N | 0°/4°±0,5° | 10~15 mm | C | <50/cm2 | Come tagliato | * |
2. Criteri per la produzione di wafer di carburo di silicio monocristallino lucidato
Questo standard si applica ai wafer per lucidatura a cristallo singolo di carburo di silicio 4H e 6H preparati dopo la lucidatura su un lato o su entrambi i lati. Il wafer di lucidatura viene utilizzato principalmente per realizzare substrati epitassiali per l'illuminazione di semiconduttori e dispositivi elettronici di potenza.
2.1 Parametri tecnici
I parametri tecnici del wafer di lucidatura a cristallo singolo di carburo di silicio si riferiscono ai requisiti nell'area fissa di alta qualità e l'area di rimozione del bordo deve soddisfare i requisiti della tabella 1.
Tabella 1 Area di rimozione del bordo
| Diametro | Area di rimozione del bordo |
| 50,8 mm | 1 millimetro |
| 76,2 mm | 2 millimetri |
| 100 millimetri | 3 millimetri |
2.2 Classificazione del wafer SiC lucidato
I wafer per lucidatura a cristallo singolo di carburo di silicio sono suddivisi in 4H e 6H a seconda dei tipi di cristallo.
I substrati lucidanti a cristallo singolo in carburo di silicio sono suddivisi in tipo conduttivo e tipo semiisolante in base alla loro conduttività.
2.3 Specifiche del wafer di carburo di silicio lucidato
Diametro: i wafer per lucidatura in carburo di silicio sono divisi in 50,8 mm, 76,2 mm e 100 mm di diametro.
Qualità del prodotto: i wafer lucidati a cristallo singolo in carburo di silicio sono suddivisi in grado industriale (denominato grado P), grado di ricerca (denominato grado R) e grado di prova (denominato grado D).
2.4 Parametri geometrici del wafer di lucidatura SiC
I parametri geometrici del wafer di carburo di silicio lucidato dovrebbero soddisfare i requisiti della tabella 2.
Tabella 2 Parametri di geometria del wafer di lucidatura
| No. | Voce | Requisiti | ||
| 50,8 mm | 76,2 mm | 100,0 mm | ||
| 1 | Diametro e deviazione ammissibile/ mm | 50,8±0,2 | 76,2±0,2 | 100.0 ± 0.5 |
| 2 | Lunghezza del bordo di posizionamento principale e deviazione ammissibile/mm | 16,0±1,7 | 22,0±2,0 | 32,5±2,0 |
| 3 | Lunghezza del bordo di posizionamento secondario e deviazione ammissibile/mm | 8,0±1,7 | 11,0±1,5 | 18,0±2,0 |
| 4 | Orientamento bordo di posizionamento principale | Parallelo a {10 10} ± 5° | Parallelo a {10 10} ± 5° | Parallelo a {10 10} ± 5° |
| 5 | Orientamento del bordo di posizionamento secondario | Superficie in silicone: ruotare di 90°±5° in senso orario lungo il bordo di posizionamento principale;
Superficie in carbonio: ruotare di 90°±5° in senso antiorario lungo il bordo di posizionamento principale |
Superficie in silicone: ruotare di 90°±5° in senso orario lungo il bordo di posizionamento principale;
Superficie in carbonio: ruotare di 90°±5° in senso antiorario lungo il bordo di posizionamento principale |
Superficie in silicone: ruotare di 90°±5° in senso orario lungo il bordo di posizionamento principale;
Superficie in carbonio: ruotare di 90°±5° in senso antiorario lungo il bordo di posizionamento principale |
| 6 | Spessore e deviazione ammissibile/um | 330±25 | 350 ± 25 | 350 ± 25 |
| 7 | Variazione di spessore totale/um | ≤15 | ≤15 | ≤25 |
| 8 | Warpage/um | ≤25 | ≤35 | ≤45 |
| 9 | Curvatura (valore assoluto)/um | ≤15 | ≤25 | ≤35 |
| 10 | Rugosità (10 um× 10 um)/nm | <0.5 | <0.5 | <0.5 |
| Nota: quando il cliente ha requisiti speciali per lo spessore, deve essere negoziato e determinato da entrambe le parti. | ||||
2.5 Orientamento della superficie del wafer di lucidatura
L'orientamento del cristallo del wafer di carburo di silicio lucidato monocristallino è {0001}.
La deviazione dell'orientamento del cristallo ortorombico dell'orientamento della superficie del wafer lucidato SiC è:
a) Orientamento normale del cristallo: 0°±0,25°;
b) Orientamento monocromatico: La deviazione dell'orientamento ortorombico della fetta lucidata di carburo di silicio è la deviazione della linea normale della superficie della fetta lungo la direzione del bordo di posizionamento principale (11 20) direzione 3,5°±0,5° o 4°±0,5 ° o 8°±0,5°.
2.6 Difetti superficiali dei wafer di carburo di silicio lucidati
I difetti superficiali dei wafer lucidati a cristallo singolo di carburo di silicio devono soddisfare i requisiti della tabella 3:
Tabella 3: Difetti della superficie del wafer di lucidatura a cristallo singolo SiC
| Voce | Industrial Grade | Grado di ricerca | Grado di prova | ||||||
| 50,8 mm | 76,2 mm | 100 millimetri | 50,8 mm | 76,2 mm | 100 millimetri | 50,8 mm | 76,2 mm | 100 millimetri | |
| Crepa | Situato sul bordo del chip e | Situato sul bordo del chip e | Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm e ciascuna lunghezza ≤ 2 mm | ||||||
| <1mm | <2mm | <3mm | <2mm | <3mm | <3mm | ||||
| Cavità esagonale | Taglia <100um e il numero | Taglia <300um e il numero | Nessun requisito separato, soddisfa l'area utilizzabile>70% | ||||||
| ≤2 | ≤4 | ≤6 | ≤5 | ≤8 | ≤12 | ||||
| graffi | Nessuno | Nessuno | Lunghezza cumulativa <1 diametro, e | ||||||
| ≤3 | ≤5 | ≤8 | |||||||
| Contaminazione superficiale | Nessuno | Nessuno | Nessuno | ||||||
| Fossa | ≤5 | ≤12 | ≤20 | ≤20 | ≤45 | ≤80 | Nessun requisito separato, soddisfa l'area utilizzabile>70% | ||
La densità del microtubo dei wafer lucidati in SiC a cristallo singolo deve soddisfare i requisiti di grado industriale <10 pz/cm2, grado di ricerca <30 pz/cm2e grado di prova <100 pz/cm2.
2.7 Qualità dei cristalli di wafer per lucidatura al carburo di silicio
La qualità cristallina dei wafer di lucidatura a cristallo singolo di carburo di silicio è espressa dall'intera larghezza a metà massimo (FWHM) della curva di oscillazione. Il FWHM di 4H-SiC (0004) o 6H-SiC (0006) dovrebbe soddisfare i requisiti di grado industriale inferiore a 30 d'arco, grado di ricerca inferiore a 50 d'arco e grado di prova non richiesto.
2.8 Resistività del substrato lucidato al carburo di silicio
La resistività della lastra lucidata a cristallo singolo di carburo di silicio deve soddisfare i requisiti della tabella 4:
Tabella 4 Resistività del substrato lucidato SiC
| Tipo di conducibilità | Forma di cristallo | Industrial Grade | Grado di ricerca | Grado di prova |
| Conduttivo | 4H | <0.025 | <0.1 | <0.1 |
| 6H | <0.1 | <0.2 | <0.2 | |
| Semi-isolante | 4H/6H | (90%) >1 *105 | (85%) >1*105 | (75%) >1*105 |
2.9 Metodo di prova per la pellicola lucidante SiC
Orientamento della superficie: l'orientamento della superficie del film sottile lucidato al carburo di silicio deve essere misurato secondo le normative e il piano di riferimento del cristallo è orientato con uno strumento di orientamento a raggi X;
Densità dei microtubuli: la densità dei microtubi del wafer di lucidatura deve essere osservata con un microscopio ottico in trasmissione di luce a polarizzazione incrociata secondo il metodo prescritto;
Qualità del cristallo: la qualità della giunzione del wafer di substrato SiC lucidato viene testata mediante radiazione di raggi X ad alta risoluzione secondo il metodo prescritto, solo dalla doppia curva di oscillazione del cristallo.
Per ulteriori informazioni, si prega di contattarci e-mail avictorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.