Teknologi ikatan wafer silikon merujuk kepada kaedah menggabungkan rapat wafer silikon dengan wafer silikon, wafer silikon dengan kaca atau bahan lain melalui interaksi kimia dan fizikal. Ikatan wafer silikon sering digabungkan dengan pemprosesan silikon permukaan dan pemprosesan silikon pukal, dan digunakan dalam proses pemesinan MEMS.PAM-XIAMENboleh membekalkan wafer silikon untuk aplikasi ikatan wafer dengan spesifikasi berikut sebagai contoh:
1. Spesifikasi Wafer Silikon
PAM210721 – SI
Wafer silikon, setiap SEMI Perdana, P/E 6″ (150.0±0.2mm)Ø×625±15µm,
p-jenis Si:B[100]±0.5°, Ro=(1-100)Ohmcm,
Satu bahagian digilap, bahagian belakang terukir,
2 Flat SEMI:
Flat Utama: 57.5±2.5mm @ 111±1°,
Menengah: 37.5±2.5 mm@ 90±5° CW daripada PF,
Zarah <20@0.2µm,
Dimeterai dalam Empak atau kaset yang setara,
CtQ: Zarah <20@0.2µm,
TTV <10, Bow <30, Warp <30
2. Teknik Ikatan Wafer Silikon
Teknologi ikatan wafer silikon biasa termasuk ikatan eutektik silikon emas, ikatan elektrostatik silikon/kaca, ikatan terus silikon/silikon, pensinteran pateri kaca dan lain-lain. Di sini kami hanya memperkenalkan secara ringkas tiga teknik pertama seperti berikut:
2.1 Ikatan Eutektik Silikon Emas
Ikatan eutektik silikon emas sering digunakan dalam pembungkusan peranti mikroelektronik. Proses ikatan wafer Si-Si dalam eutektik silikon emas melibatkan pengoksidaan terma wafer silikon kristal jenis p (100), diikuti dengan penyejatan filem titanium setebal 30nm ke atas wafer menggunakan penyejatan rasuk elektron, diikuti oleh penyejatan emas 120nm filem. Ini kerana filem titanium mempunyai lekatan yang lebih tinggi pada lapisan SiO2. Akhir sekali, letakkan dua wafer silikon bersama-sama pada pemanas, tambah blok jisim untuk padat, dan sepuhlindap pada suhu 350-400 ℃. Eksperimen menunjukkan bahawa pada suhu penyepuhlindapan 365 ℃ dan masa 10 minit, permukaan ikatan melebihi 90%. Masa dan suhu ikatan wafer silikon adalah penting.
Selain emas, Al, Ti, PtSi, dan TiSi2 juga boleh berfungsi sebagai lapisan peralihan perantaraan untuk ikatan silikon – silikon.
2.2 Ikatan Elektrostatik
Ikatan elektrostatik, juga dikenali sebagai ikatan bantuan medan atau ikatan anodik. Teknologi ikatan elektrostatik boleh mengikat kaca dengan logam, aloi, atau semikonduktor tanpa sebarang pelekat. Jenis ikatan ini mempunyai suhu rendah, antara muka ikatan yang kukuh, dan kestabilan jangka panjang yang baik.
Terdapat banyak faktor yang mempengaruhi ikatan elektrostatik, terutamanya termasuk:
1) Pekali pengembangan terma dua bahan ikatan elektrostatik hendaklah lebih kurang sepadan, jika tidak, ia akan pecah disebabkan tekanan dalaman yang tinggi semasa proses penyejukan selepas ikatan;
2) Bentuk anod mempengaruhi kesan ikatan. Elektrod sentuhan dan elektrod plat selari biasanya digunakan. Elektrod sentuhan titik, antara muka ikatan tidak akan menghasilkan liang, manakala elektrod plat selari berganda, antara muka ikatan akan mempunyai beberapa liang, dan kadar ikatan akan lebih cepat;
3) Keadaan permukaan wafer juga mempengaruhi daya ikatan. Kerataan dan kebersihan permukaan ikatan yang lebih tinggi akan memperoleh kualiti ikatan yang lebih baik. Alur permukaan yang lebih besar akan menjadikan daya tarikan elektrostatik lebih kecil. Amplitud turun naik yang sama pada permukaan, lebih lancar turun naik, lebih besar daya tarikan elektrostatik.
2.3 Ikatan Wafer Silikon Terus
Dua wafer silikon boleh terus diikat bersama melalui rawatan suhu tinggi, tanpa memerlukan sebarang pelekat atau medan elektrik luaran, dan prosesnya mudah. Teknologi ikatan ini dipanggil ikatan langsung silikon (SDB).
Proses ikatan wafer langsung silikon adalah seperti berikut:
1) Rendam dua wafer silikon yang digilap (kedua-duanya teroksida dan tidak teroksida) dalam larutan terlebih dahulu;
2) Lekatkan dua wafer silikon pada bahagian yang digilap bersama-sama pada suhu bilik;
3) Wafer silikon terikat menjalani beberapa jam rawatan suhu tinggi dalam persekitaran oksigen atau nitrogen, membentuk ikatan silikon yang baik.
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami e-mel divictorchan@powerwaywafer.com dan powerwaymaterial@gmail.com.