ゲルマニウム(ゲルマニウム)単結晶とウェーハ
- 説明
製品の説明
単結晶ゲルマニウムウェーハ
PAM-XIAMENは、2インチ、3インチ、4インチ、および6インチのゲルマニウムウェーハを提供します。これは、VGF/LECによって成長したGeウェーハの略です。 ホール効果実験には、低濃度にドープされたN型およびP型のゲルマニウムウェーハも使用できます。 室温では、結晶性ゲルマニウムはもろく、可塑性はほとんどありません。 ゲルマニウムには半導体特性があります。高純度ゲルマニウムP型ゲルマニウム半導体を得るために、3価の元素(インジウム、ガリウム、ホウ素など)をドープします。 五価元素(アンチモン、ヒ素、リンなど)をドープして、N型ゲルマニウム半導体を取得します。 ゲルマニウムは、高い電子移動度や高い正孔移動度など、優れた半導体特性を備えています。
1.ゲルマニウムウェーハの特性
1.1ゲルマニウムウェーハの一般的な特性
一般プロパティの構造 | キュービック、a =5.6754Å | ||
密度:5.765グラム/ cm 3で | |||
融点:937.4 oC | |||
熱伝導率:640 | |||
結晶成長技術 | チョクラルスキー | ||
利用可能ドーピング | アンドープ | Sbのドーピング | ドーピングやジョージア |
導電型 | / | N | P |
抵抗率は、ohm.cm | >35 | <0.05 | 0.05から0.1まで |
EPD | <5×103/cm2 | <5×103/cm2 | <5×103/cm2 |
<5×102/cm2 | <5×102/cm2 | <5×102/cm2 |
1.2ゲルマニウムウェーハのグレードと用途
電子グレード | ダイオードやトランジスタのために使用されます、 |
赤外線またはopiticalグレード | IR光窓またはディスク、opiticalコンポーネントの使用 |
セルのグレード | 太陽電池の基板に使用 |
1.3ゲルマニウム結晶とウェーハの標準仕様
結晶方位 | <111>、<100>および<110>±0.5oまたはカスタムオリエンテーション | |||
成長した結晶ブール | 1 "〜6"直径×200 mm長さ | |||
カットのような標準的な空白 | 1 "×0.5ミリメートル | 2 "x0.6mm | 4 "x0.7mm | 5 "&6」x0.8mm |
標準的な研磨されたウェハ(一/両面研磨) | 1 "×0.30ミリメートル | 2 "x0.5mm | 4 "x0.5mm | 5″&6″ x0.6mm |
- リクエストに応じて、特別なサイズと向きを利用できます
2.ゲルマニウムウェーハの仕様
2.1 2”、3”、4”および6”サイズのゲルマニウムウェーハの仕様
アイテム | 仕様書 | 備考 |
成長方法 | VGF | — |
伝導型 | n型、p型、アンドープ | |
ドーパント | ガリウムまたはアンチモン | — |
ウェハDiamter | 2、3,4&6 | インチ |
結晶方位 | (100)、(111)、(110) | — |
厚さ | 200〜550 | ええと |
の | EJまたは米国 | — |
キャリア濃度 | 顧客の要求に応じ | |
RTでの抵抗 | (〜80 0.001) | Ohm.cm |
エッチピット密度 | <5000 | / cm 2の |
レーザーマーキング | 要求に応じて | — |
表面仕上げ | P / EまたはP / P | — |
エピ準備 | はい | — |
パッケージ | シングルウエハ容器やカセット | — |
2.2太陽電池用ゲルマニウムウェーハ
4インチのGeウェハの仕様 | 太陽電池用 | - |
ドーピング | P | - |
ドーピング物質 | Ge-GA | - |
直径 | 100±0.25ミリメートル | - |
方向付け | <111>に向かってオフ(100)9°+/- 0.5 | |
オフ方位、傾斜角 | N / A | - |
プライマリオリエンテーションフラット | N / A | - |
プライマリフラット長 | 32±1 | ミリ |
二次オリエンテーションフラット | N / A | - |
セカンダリフラット長 | N / A | ミリメートル |
ccで | (0.26から2.24)E18 | / ccで |
抵抗率 | (0.74から2.81)E-2 | ohm.cm |
電子移動度 | 382-865 | 平方センチメートル/ VS |
EPD | <300 | / cm 2の |
レーザマーク | N / A | - |
厚さ | 175±10 | ミクロン |
TTV | <15 | ミクロン |
TIR | N / A | ミクロン |
弓 | <10 | ミクロン |
ワープ | <10 | ミクロン |
前面 | ポリッシュ | - |
バック顔 | 接地 | - |
2.3 Geウェーハ(ロングパスSWIRフィルターの光学フィルター基板として)
PAM180212-GE
アイテム | DSP Ge Wafer |
直径 | 4インチ |
厚さ | 1.50mm +/- 0.10mm |
方向付け | N / A |
導電率 | N / A |
抵抗率 | N / A |
表面処理 | Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture |
Other Parameters | 60-40 scratch-dig or better |
Less than 2 arc minutes parallelism | |
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture |
2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)
4″ Germanium wafer with low plasma frequency, undoped ,175µm+/-25um. (100), single side polished.
3. Germanium Wafer Process
With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1)高純度ゲルマニウムは、ゾーン精製の間に得られます。
2)ゲルマニウム結晶は、チョクラルスキー法により製造されます。
3)ゲルマニウムウェハは、複数の切削、研削、及びエッチング工程を経て製造されます。
4)ウェーハを洗浄および検査されます。 このプロセスの間に、ウェハは、カスタム要件に応じて研磨片面研磨または両面あり、エピレディウエハが来ます。
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
4. Application of Germanium:
ゲルマニウム空白またはウィンドウがナイトビジョンや商業セキュリティ、消防や産業用監視装置のためのサーモグラフィーイメージングソリューションで使用されています。 また、彼らは、分析・計測機器用フィルタ、リモート温度測定用窓、およびレーザー用ミラーとして使用されています。
薄いゲルマニウム基板は、III-Vトリプルジャンクション太陽電池、電力集中型PV(CPV)システム、およびロングパスSWIRフィルターアプリケーションの光学フィルター基板として使用されます。
5.ゲルマニウムウェーハのテスト:
結晶ゲルマニウムウェーハの抵抗率はFourProbeResistanceTesterで測定し、ゲルマニウムの表面粗さはプロフィロメーターで測定しました。
詳細については、メールでお問い合わせください。[email protected]と[email protected]。