ゲルマニウム(ゲルマニウム)単結晶とウェーハ

ゲルマニウム(ゲルマニウム)単結晶とウェーハ

PAM-XIAMENは、2インチ、3インチ、4インチ、および6インチのゲルマニウムウェーハを提供します。これは、VGF/LECによって成長したGeウェーハの略です。 ホール効果実験には、低濃度にドープされたP型およびN型ゲルマニウムウェーハも使用できます。 室温では、結晶性ゲルマニウムはもろく、可塑性はほとんどありません。 ゲルマニウムには半導体特性があります。 高純度のゲルマニウムに3価の元素(インジウム、ガリウム、ホウ素など)をドープして、P型ゲルマニウム半導体を取得します。 五価元素(アンチモン、ヒ素、リンなど)をドープして、N型ゲルマニウム半導体を取得します。 ゲルマニウムは、高い電子移動度や高い正孔移動度など、優れた半導体特性を備えています。
  • 説明

製品の説明

Single Crystal Germanium Wafer

PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.

1. Properties of Germanium Wafer

1.1 General Properties of Germanium Wafer

一般プロパティの構造 Cubic, a = 5.6754 Å
密度:5.765グラム/ cm 3で
Melting   Point: 937.4 oC
熱伝導率:640
結晶成長技術 チョクラルスキー
利用可能ドーピング アンドープ Sbのドーピング ドーピングやジョージア
導電型 / N P
抵抗率は、ohm.cm >35 <0.05 0.05から0.1まで
EPD < 5×103/cm2 < 5×103/cm2 < 5×103/cm2
< 5×102/cm2 < 5×102/cm2 < 5×102/cm2

 

1.2 Grades and Application of Germanium wafer

電子グレード ダイオードやトランジスタのために使用されます、
赤外線またはopiticalグレード IR光窓またはディスク、opiticalコンポーネントの使用
セルのグレード Used for substrates of solar cell

 

1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

結晶方位 <111>,<100> and <110> ± 0.5o or custom orientation
成長した結晶ブール 1 "〜6"直径×200 mm長さ
カットのような標準的な空白 1 "×0.5ミリメートル 2 "x0.6mm 4 "x0.7mm 5 "&6」x0.8mm
標準的な研磨されたウェハ(一/両面研磨) 1 "×0.30ミリメートル 2 "x0.5mm 4 "x0.5mm  5″&6″x0.6mm
  • Special size and orientation are available upon requested Wafers

2. Specification of Germanium Wafer

2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size

アイテム 仕様書 備考
成長方法 VGF
伝導型 n型、p型、アンドープ  
ドーパント ガリウムまたはアンチモン
ウェハDiamter 2、3,4&6 インチ
結晶方位 (100)、(111)、(110)
厚さ 200〜550 ええと
EJまたは米国
キャリア濃度 顧客の要求に応じ  
RTでの抵抗 (〜80 0.001) Ohm.cm
エッチピット密度 <5000 / cm 2の
レーザーマーキング 要求に応じて
表面仕上げ P / EまたはP / P
エピ準備 はい
パッケージ シングルウエハ容器やカセット

 

2.2 Germanium Wafer for Solar Cell

4インチのGeウェハの仕様 太陽電池用  —
ドーピング P  —
ドーピング物質 Ge-GA  —
直径 100±0.25ミリメートル  —
方向付け <111>に向かってオフ(100)9°+/- 0.5
オフ方位、傾斜角 N / A  —
プライマリオリエンテーションフラット N / A  —
プライマリフラット長 32±1 ミリ
二次オリエンテーションフラット N / A  —
セカンダリフラット長 N / A ミリメートル
ccで (0.26から2.24)E18 / ccで
抵抗率 (0.74から2.81)E-2 ohm.cm
電子移動度 382-865 平方センチメートル/ VS
EPD <300 / cm 2の
レーザマーク N / A  —
厚さ 175±10 ミクロン
TTV <15 ミクロン
TIR N / A ミクロン
<10 ミクロン
ワープ <10 ミクロン
前面 ポリッシュ  —
バック顔 接地  —

 

2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)

PAM180212-GE

アイテム DSP Ge Wafer
Dia 4”
厚さ 1.50mm +/- 0.10mm
方向付け N / A
Conductivity N / A
抵抗率 N / A
Surface Process Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture
Other Parameters 60-40 scratch-dig or better
Less than 2 arc minutes parallelism
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture

 

2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)

4″ Germanium wafer with low plasma frequency, undoped ,175µm+/-25um. (100), single side polished.

3. Germanium Wafer Process

With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
1)高純度ゲルマニウムは、ゾーン精製の間に得られます。
2)ゲルマニウム結晶は、チョクラルスキー法により製造されます。
3)ゲルマニウムウェハは、複数の切削、研削、及びエッチング工程を経て製造されます。
4)ウェーハを洗浄および検査されます。 このプロセスの間に、ウェハは、カスタム要件に応じて研磨片面研磨または両面あり、エピレディウエハが来ます。
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

4. Application of Germanium:

ゲルマニウム空白またはウィンドウがナイトビジョンや商業セキュリティ、消防や産業用監視装置のためのサーモグラフィーイメージングソリューションで使用されています。 また、彼らは、分析・計測機器用フィルタ、リモート温度測定用窓、およびレーザー用ミラーとして使用されています。

Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.

5. Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

 

 

 

詳細については、電子メールでお問い合わせください。[email protected][email protected]

 

Ge Wafer Supplier

P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell

Germanium Substrate for Optics and Epi-growth

As-cut Germanium (Ge) Window

Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth

Germanium (Ge) Ingot

Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward<111>

Test Method for Dislocation Density of Monocrystal Germanium

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