PAM XIAMEN bietet auf Saphir gezüchtetes Galliumnitrid (GaN) Template an. C-Ebene (0001) GaN auf flachem Saphir und GaN auf PSS sind verfügbar, und diese GaN-Templates umfassen N-Typ, P-Typ oder halbisolierend (SI):
1. Waffelliste:
2 Zoll N-Typ/Si-dotierte 5um Galliumnitrid GaN-Schablone auf Saphir, einseitig poliert oder doppelseitig poliert.
2 Zoll N-Typ undotiertes GaN 5 um Galliumnitrid-Schablone auf Saphir (0001), einseitig poliert oder doppelseitig poliert.
2 Zoll halbisolierendes Fe-dotiertes GaN 2 um Galliumnitrid-Template auf Saphir (0001), einseitig poliert oder doppelseitig poliert.
2 Zoll Mg-dotierte P-Typ-Galliumnitrid-GaN-Schablone auf Saphir, einseitig poliert.
4 Zoll N-Typ Si-dotierte 5 um Galliumnitrid-Schablone auf Saphir, einseitig poliert oder doppelseitig poliert.
4 Zoll N-Typ undotiertes GaN 5 um Galliumnitrid epitaktische Schablone auf Saphir (0001), einseitig poliert oder doppelseitig poliert.
4 Zoll halbisolierendes Fe-dotiertes GaN 2 um Galliumnitrid-Template auf Saphir (0001), einseitig poliert oder doppelseitig poliert.
4 Zoll N-Typ P-Typ GaN 5 um Galliumnitrid Epitaxie-Schablone auf Saphir (0001), einseitig poliert.
6 Zoll N-Typ Si-dotierte 5 um Galliumnitrid-Schablone auf Saphir
6 Zoll N-Typ undotiertes GaN 5 um Galliumnitrid epitaktische Schablone auf Saphir (0001).
2. Parameter für GaN-Template auf Saphir
| Parameter | nGaN | uGaN-Vorlage | PGaN | |
| Größe | 2″, 4″, 6″ | |||
| Orientierung | C-Achse (0001) +/- 1 ° | |||
| Si-Dotierungsniveau | 1E16/cm3 – 3E19/cm3 | – | – | |
| Elektronenmobilität | > 600 cm2/Vs @ 1E16/cm3 > 200 cm2/Vs @ 5E18/cm3 |
– | – | |
| Ungewollt dotiertes GaN | – | > 3 µm | – | |
| Der spezifische Widerstand | – | < 0,5 Ω•cm | – | |
| Hintergrundträgerdichte | – | < 1 × 1017/cm3 | – | |
| (002) XRC | – | < 300″ für planar und < 250″ für PSS | – | |
| (102) XRC | – | < 350″ für planar und < 250″ für PSS | – | |
| Versetzungsdichte | – | Planar: < 5 × 108/cm2 PSS: < 1 × 108/cm2 |
– | |
| Mg-Dopingspiegel | – | – | 1E18/cm3 – 1E20/cm3 | |
| Lochkonzentration | – | – | ~ 3E17/cm3 @ [Mg]-3E19/cm3 | |
| Lochbeweglichkeit | – | – | ~ 10 cm2/Vs | |
| Substrat | Saphir | |||
| Substratdicke | 2 " | 430 μm | ||
| 100 mm | 625 μm | |||
| 150 mm | 1 mm/1,3 mm | |||
3. Detailspezifikationsbeispiel für 2 Zoll p-Typ GaN auf Saphir, SSP:
2″ Durchmesser, p-Typ, Mg-dotiert, PAM190909-GAN-P
Gesamtdicke: 5 um +/- 0,5 um
Ausrichtung: C-Achse(0001)+/-1deg.
Substratstruktur:
p-GaN（>=2.0um）
u-GaN（2.0-2.5um）
GaN-Pufferschicht
Saphir（430um，SSP）
EPD<2E9/cm2
XRD(102)<xxxarc.sec
XRD(002)<xxxarc.sec
Oberflächenfinish: Einseitig poliert, epi-ready
Nutzfläche ≥ 90 %
4. FAQ of GaN Template
Q: I’d be pleased if you would provide us a price quote for the following wafers from PAM-XIAMEN:
2″ semi-insulating GaN template on C-plane sapphire – 25 units, singly packed.
2″ n-doped GaN template on C-plane sapphire – 25 units, singly packed.
All templates must be MOCVD-grown epi-ready, intended for epitaxy straight out of the box with no further cleaning necessary beyond thermal treatment.
I would be grateful if you would include the following information of GaN template:
Thickness of GaN (should be 3-5 um)
Versetzungsdichte
XRD rocking curve width of reflections 002, 102, 006 (if available)
Wafer bowing
Surface roughness (incl. the area over which the roughness value is taken)
Carrier concentration
Der spezifische Widerstand
A microscope picture of a typical surface
A: 2″ semi-insulating GaN template on C-plane sapphire – 25 units, singly packed.
2″ dia, Semi-insulating, Fe Doped
Thickness : 1.8um
Orientation: C-axis(0001)+/-1.0o
Resistivity(300K):>10^5ohm.cm
Substrate Structure:GaN on Sapphire(0001).
Single Side Polished, Epi-ready
XRD(102)<360arcsec
XRD(002)<300arcsec
AFM: please contact our sales team victorchan@powerwaywafer.com for the AFM diagram(190808).
2″ n-doped GaN template on C-plane sapphire – 25 units, singly packed.
1/GaN on sapphire, n type
2″ dia, N -type, Si doped or undoped.
Thickness : 4um+/-1um
Orientation: C-axis(0001)+/-1.0o
Resistivity(300K):<0.5 ohm.cm
Dislocation Density: <5×10^8 cm-2
Substrate Structure:GaN on Sapphire(0001). Single Side Polished, Epi-ready,with atomic steps
Carrier concentration:~E18
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.