PAM XIAMEN bietet Mo-beschichtete Kalknatronglaswafer an. Hier ist eine Wafer-Liste für Ihre Referenz:
PAM210713-MO
| Artikel | Länge | Breite | Dicke | Oberfläche fertig |
| Mo-beschichteter Natron-Kalk-Glaswafer | 100 mm | 100 mm | 1000 Nanometer | Einseitig poliert |
| Mo-beschichtetes Kalknatronglassubstrat | 20 mm | 15 mm | 1000 Nanometer | Einseitig poliert |
| Mo-beschichtete Kalknatronglasscheibe | 25 mm | 25 mm | 1000 Nanometer | Einseitig poliert |
| Mo-beschichteter Natron-Kalk-Glaswafer | 100 mm | 100 mm | 1,1mm | Einseitig poliert |
| Mo-beschichtete Kalknatronglasfolie | 20 mm | 15 mm | 0,7mm | Einseitig poliert |
| Mo-beschichteter Kalknatronglas-Dünnfilm | 25 mm | 25 mm | 0,7mm | Einseitig poliert |
Darüber hinaus können wir Mo-beschichtetes Glas (PAMP21228-MO) mit größeren Größen wie folgt:
No.1Molybdän (Mo) beschichtete Objektträger aus Glas
Abmessungen: L 200 mm x B 200 mm x Dicke 2 mm
Widerstand – ca. 6-7 Ohm/sq.
Glasstärke – 2 mm
Beschichtung: – Einseitig
Beschichtungsdicke: 3000 nm
Glas – Natronkalkglas
No.2Molybdän (Mo) beschichtete Objektträger aus Glas
Abmessungen: L 200 mm x B 200 mm x Dicke 0,8 mm
Widerstand – ca. 6-7 Ohm/sq.
Glasstärke – 0,8 mm
Beschichtung: – Einseitig
Beschichtungsdicke: 3000 nm
Glas – Natronkalkglas
Bitte beachten Sie: Der Erweichungspunkt des Glassubstrats beträgt etwa 500 Grad.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) wurde 1990 gegründet und ist ein führender Hersteller von Halbleitermaterialien in China. PAM-XIAMEN entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. Die Technologien von PAM-XIAMEN ermöglichen eine leistungsfähigere und kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern.
PAM-XIAMEN entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, die von Germanium-Wafern der ersten Generation, Galliumarsenid der zweiten Generation mit Substratwachstum und Epitaxie auf III-V-Silizium-dotierten n-Typ-Halbleitermaterialien auf Basis von Ga, Al, In, As und P reichen gewachsen durch MBE oder MOCVD bis zur dritten Generation: Siliziumkarbid und Galliumnitrid für LED- und Leistungsgeräteanwendungen.