Es ist ein SiC-Wafer vom Typ 4H N mit Stickstoffdotierung in den Größen 2 bis 4 Zoll erhältlich. Es stehen Dummy-Wafer und Prime-Wafer zur Verfügung. Für die MBE-Wachstumsforschung sowie die Elektronik- und Optoelektronikindustrie stehen hochwertige einkristalline SiC-Wafer zur Verfügung. SiC-Wafer sind ein Halbleitermaterial der nächsten Generation mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und hervorragenden thermischen Eigenschaften. Im Vergleich zu Siliziumwafern und GaAs-Wafern, n-dotiertSiliziumkarbid-Waferist besser für Hochtemperatur- und Hochleistungsgeräte geeignet.

1. Spezifikationen des SiC-Wafers vom Typ 4H N

1.1 4H N-TYPE SIC, 2″WAFER-SPEZIFIKATION

1.24H-SICWafer, N-TYPE, 3″WAFER-SPEZIFIKATION

1.3 4H N TYPE SIC 4″ WAFER-SPEZIFIKATION

PAM-XIAMEN kann außerdem die folgenden Spezifikationen anbieten:

4H N Typ SiC-Substrat, 5 mm x 5 mm, 10 mm x 10 mm WAFER-SPEZIFIKATION: Dicke: 330 μm/430 μm

4H N-Typ SiC-Dünnfilm, 15 mm x 15 mm, 20 mm x 20 mm WAFER-SPEZIFIKATION: Dicke: 330 μm/430 μm

A-Plane-SiC-Wafer, Größe: 40 mm * 10 mm, 30 mm * 10 mm, 20 mm * 10 mm, 10 mm * 10 mm, Spezifikationen unten:

SiC-Wafer vom Typ 4H N, Dicke: 330 μm/430 μm oder kundenspezifisch

2. Über 4H-SiC-Eigenschaften

2.1 4H-SiC-Eigenschaften VS. 6H-SiC-Eigenschaften

2.2 Optische Eigenschaften von SiC-Wafern vom Typ 4H N

Der Brechungsindex von 4H SiC nimmt mit zunehmender Wellenlänge ab:

Die 4H-SiC-Bandlücke nimmt ab, wenn die Temperatur steigt:

2.3 4H-SiC-Substarte-Wärmeeigenschaften

Die Wärmeleitfähigkeit von 4H SiC ändert sich mit der Temperatur. Wenn die Temperatur niedrig ist (etwa 40℃), steigt die Wärmeleitfähigkeit des SiC-Wafers vom Typ 4H N; Wenn die Temperatur jedoch über 40℃ liegt, beginnt sie langsam zu sinken:

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