Los materiales semiconductores de GaAs se utilizan principalmente en dispositivos activos de comunicación óptica, diodos emisores de luz (LED) semiconductores, células solares de alta eficiencia y dispositivos Hall. Además, los dispositivos optoelectrónicos de GaAs tienen aplicaciones importantes en electrodomésticos, instrumentos industriales, pantallas grandes, equipos de automatización de oficinas, gestión de tráfico, etc. Para cultivar monocristales de GaAs, se necesitan policristales de GaAs.PAM-XIAMENpuede suministrar arseniuro de galio policristalino. Consulte la siguiente tabla para conocer los parámetros específicos de la oblea policristalina de GaAs:
1. Especificación de oblea policristalina de GaAs
| Parámetros principales de la oblea policristalina de GaAs | |
| Método de crecimiento | Método horizontal |
| Pureza | 7N (99.99999%) |
| Tamaño | 2” y 4” |
| Espesor | 400um~25mm |
| Resistividad | >1E7 Ohm.cm |
| Movilidad | >6700cm2/vs |
| superficie acabada | Como corte o DSP |
La oblea policristalina de GaAs se puede utilizar para cultivar monocristales de GaAs.
Además, la oblea policristalina se puede utilizar como material de ventana infrarroja. Y los estudios encontraron que el revestimiento de ventana infrarroja de GaAs policristalino con antirreflejo (AR) tendrá una mejor transmitancia.
2. Challenges and Solutions for Polycrystalline GaAs Synthetized by Horizontal Method
Debido a que el arseniuro de galio es un compuesto binario, la presión de vapor del arsénico es alta y el galio y el arsénico son fáciles de oxidar, el policristal sintético de GaAs es propenso a defectos como la deformación del cuarzo, la oxidación del policristal y la cola rica en galio. Para superar estos defectos, podemos optimizar la fórmula de la materia prima, el control de la presión de vapor de arsénico y el diseño del campo de temperatura de enfriamiento del horno. Específico de la siguiente manera:
1) En términos de materia prima, además de asegurar estrictamente que la relación molar de galio a arsénico sea de 1:1, se agrega una relación molar adicional de 0,5% de arsénico.
2) El control de presión de vapor de arsénico se usa principalmente para observar el estado del vapor de arsénico en el tubo de cuarzo y la forma de la pared del tubo de cuarzo a través de la ventana del cuerpo del horno, para ajustar la tasa de sublimación de arsénico. Si el vapor de arsénico en el tubo de cuarzo aparece como una niebla densa y el tubo de cuarzo muestra signos de expansión, esto indica que la presión del vapor de arsénico es demasiado alta, en este momento, la temperatura en el extremo del arsénico puede reducirse adecuadamente en 5 ~ 8 ℃ para ralentizar la tasa de sublimación de arsénico. Por el contrario, si el vapor de arsénico en el tubo de cuarzo es delgado y el tubo de cuarzo se encoge, la temperatura en el extremo del arsénico se puede aumentar adecuadamente en 5~8 ℃, acelerando la sublimación del arsénico y restaurando la forma completa original del tubo de cuarzo. .
3) Para el problema del agrietamiento del tubo de cuarzo y la oxidación policristalina causada por el enfriamiento del horno, se adopta principalmente el diseño de optimización del programa de enfriamiento de temperatura al final de la temperatura alta. Después de la síntesis de galio y arsénico, el cable calefactor en el extremo de alta temperatura no se puede enfriar al mismo tiempo, sino que comienza desde el primer cable calefactor cerca de la zona de temperatura media. El proceso de enfriamiento lento libera gradualmente la tensión interna del tubo de cuarzo, evitando así que se produzcan grietas e incluso estallidos durante el proceso de enfriamiento del tubo de cuarzo.
El arseniuro de poligalio obtenido después del proceso optimizado tiene un brillo metálico evidente, no se oxida en la superficie y no existe galio rico en el extremo cortado. Los parámetros de movilidad y concentración de portador obtenidos se ajustan a los requisitos de la preparación de monocristales de GaAs.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
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