Los nitruros III se componen principalmente de InN-GaN-AlN y sus aleaciones, de las cuales InGaN es la más importante y la más utilizada. InGaN es inestable y fácil de descomponer a altas temperaturas. La fase separada InN puede formar pequeños grupos con confinamiento cuántico tridimensional, lo que fortalece el confinamiento del portador y mejora la eficiencia de recombinación, lo que es muy beneficioso para la luminiscencia. Los pozos cuánticos de heterounión InGaN/GaN son la estructura central de las fuentes de luz de alto rendimiento y los nuevos dispositivos de transistores de alta frecuencia, que desempeñan un papel clave en la limitación cuántica y la transmisión de alta velocidad de los portadores.PAM-XIAMEN puede ofrecer obleas con pozo cuántico múltiple InGaN/GaN, para obtener más información, visitehttps://www.powerwaywafer.com/gan-wafer. Además, podemos proporcionar servicios heteroepitaxiales de InGaN/GaN basados ​​en zafiro para sus estudios de investigación académica, como la caracterización de heteroestructuras de nitruro.Simplemente tome la siguiente estructura epitaxial de la heterounión InGaN / GaN como ejemplo:

1. Heteroestructura InGaN/GaN de 2 pulgadas en zafiro

PAMP20013 – INGANE

Por favor, tenga en cuenta:

• El componente In de InGaN es 30% +/- 5%, porque el grosor es solo 2nm, demasiado delgado, muy difícil de controlar;
• Si necesita usar espectroscopias ópticas en sus estudios, se sugiere GaN grueso para evitar la interferencia de Fabri-Perot de la luz.
• La capa de InGaN no está dopada intencionalmente. Debido a que hay una capa delgada de alto componente InGaN debajo de IGaN, para evitar la evaporación durante el proceso de alta temperatura, la temperatura de crecimiento de la capa de I-GaN es más baja (igual que la temperatura de crecimiento de InGaN). Por lo tanto, pensamos que el crecimiento a baja temperatura introduce más C, lo que resulta en una alta resistencia de I-GaN. Por lo tanto, es inevitable que no se pueda realizar el contacto.
• Si necesita un proceso de estructura de contacto para la estructura de InGaN/GaN en el futuro, adoptaremos otra capa de tratamiento intermedio especial para cumplir con los requisitos de estructura epitaxial y tecnología de contacto al mismo tiempo. Si tiene alguna consulta, comuníquese con nuestro equipo de ventas alvictorchan@powerwaywafer.com.

2. Influencing Factors for Luminous Characteristics of Devices on InGaN / GaN Structure

La región activa de la estructura InGaN/GaN es un componente clave de los dispositivos emisores de luz. Las características de emisión de luz de los dispositivos se ven afectadas principalmente por dos mecanismos:

• Debido a la fluctuación del componente In (cantidad de concentración de la materia), se forman grupos ricos en In o puntos cuánticos, lo que da como resultado la localización de los portadores. El efecto de llenado del nivel de energía del estado local afectará la eficiencia luminosa y el pico luminoso del dispositivo.
• Para dispositivos emisores de luz de GaN con el plano c (0001) como superficie de crecimiento y su dirección normal (eje c) como dirección de crecimiento, debido a la diferencia en la constante de red de InGaN GaN, la capa activa de InGaN está sujeta a tensión , lo que provocará un gran campo de polarización piezoeléctrica dentro del material, lo que dará como resultado la inclinación de la banda de energía en QW y la reducción de la superposición de las funciones de onda del hueco de electrones.

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico avictorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.