El magnetorresistor de película delgada de antimonuro de indio (InSb), que es el elemento sensible del núcleo del sensor de magnetorresistencia (MR), es proporcionado por PAM-XIAMEN con características de medición sin contacto, tamaño pequeño, alta confiabilidad, alta relación señal / ruido y amplia respuesta de frecuencia (0-100 kHz). La magnetorresistencia InSb es un nuevo tipo de elemento sensible fabricado mediante el efecto de magnetorresistencia de Película InSb. Puede utilizar un campo magnético como medio para convertir varias cantidades no eléctricas (como varios desplazamientos y velocidades) en cambios en los valores de resistencia, a fin de medir o controlar cantidades no eléctricas. Dado que esta conversión se realiza en una situación sin contacto, el sensor de magnetorresistencia tiene las características de alta confiabilidad, tamaño pequeño y peso ligero para hacer varios sensores con él. Este tipo de dispositivo magnético sensible tiene una amplia gama de usos en la industria y en muchos campos científicos y tecnológicos. La magnetorresistencia existente de PAM-XIAMEN son como sigue:
1. Especificaciones del magnetorresistor InSb
| Tipo | Tamaño | Resistencia | Sensibilidad | Max. corriente de trabajo | Asimetría | Temperatura de la operación |
| PAM-L-1 | 3,8 × 1,8 milímetro | 1 × (100 ~ 2000) ohmios | >2.0 | <15 mA | – | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2A | 4,5 × 3,5 mm | 2 × (300 ~ 3000) ohmios | >2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2B | 3,0 × 2,5 mm | 2 × (300 ~ 3000) ohmios | >2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2C | 7,6 × 1,8 milímetro | 2 × (300 ~ 3000) ohmios | > 2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-R-2 | 5,0 × 4,0 milímetro | 2 × (800 ~ 3000) ohmios | >2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-4 | 4,6 × 4,0 milímetro | 4 × (300 ~ 3000) ohmios | >2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
Estructura magnetorresistiva:
Marcos: La producción del magnetorresistor de película delgada InSb adopta la tecnología avanzada de producción de película delgada y fotograbado plano, y su patrón, tamaño y resistencia se pueden diseñar de manera flexible según las necesidades.
Hay tres parámetros principales del sensor magnetorresistivo:
- Relación de magnetorresistencia: se refiere a la relación entre el valor de resistencia del magnetorresistor y el valor de resistencia bajo inducción magnética cero bajo una intensidad de inducción magnética especificada.
- Coeficiente magnetorresistivo: se refiere a la relación entre el valor de resistencia de un sensor magnético y su valor de resistencia nominal bajo cierta intensidad de inducción magnética.
- Sensibilidad magnetorresistiva: se refiere a la tasa de variación relativa del valor de resistencia de un sensor de campo de magnetorresistividad con la densidad de flujo magnético bajo una densidad de flujo magnético especificada.
2. Principio de funcionamiento del sensor de magnetorresistencia
La sensor magnetorresistivo fabricado en película delgada InSb es a menudo una solución ideal para medición de alta velocidad, control de ángulo, control de posición, seguimiento de señal, etc. Su resistencia R cambia con el cambio de la densidad de flujo magnético B que la atraviesa perpendicularmente: cuando B <0.1T , R∝; cuando B> 0,1T, R $ $ B; cuando B = 0.3T> 2.0, como se muestra en la siguiente figura.
Con esta función, es conveniente utilizar el campo magnético como medio para convertir elementos no eléctricos (como desplazamiento, posición, velocidad, desplazamiento angular, presión, aceleración, etc.) en energía eléctrica sin contacto, para medir y controlar la no electricidad.
3. Efecto de magnetorresistencia en película delgada InSb
El material InSb es un material semiconductor compuesto típico. En comparación con el arseniuro de silicio, germanio y galio, tiene un efecto de magnetorresistencia significativo. Por lo tanto, los sensores de magnetorresistencia utilizan materiales InSb para realizar el efecto de magnetorresistencia de los materiales semiconductores, incluido el efecto de magnetorresistencia física y el efecto de magnetorresistencia geométrica. El efecto de magnetorresistencia física también se denomina efecto de magnetorresistencia. En un chip semiconductor rectangular, cuando una corriente fluye a lo largo de la dirección de la longitud, si se aplica un campo magnético en la dirección del espesor perpendicular a la corriente, la resistividad aumenta en la dirección de la longitud del chip SMR. Este fenómeno se denomina efecto magnetorresistivo físico o efecto magnetorresistivo.
4. Aplicaciones del sensor de magnetorresistencia
Como sensor de RM, los principios de funcionamiento de varios sensores de elementos de resistencia magnética que utilizan magnetorresistor como elemento central son los mismos, pero los tipos son diferentes según el propósito y la estructura. Por lo tanto, se puede utilizar en sensor magnético, que es para el instrumento para medir el magnetismo residual de campo magnético constante y campo magnético alterno o maquinaria eléctrica, y equipos de navegación de navegación y aviación. Además, el sensor de magnetorresistencia puede ser para sensor de velocidad, sensor de desplazamiento angular y sensor ferromagnético. La combinación de magnetorresistor y componentes electrónicos puede formar convertidor AC-DC, multiplicador de frecuencia, modulador y oscilador.
Más sobre el sensor de magnetorresistencia, lea:https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistive-sensor.html
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