La epi-oblea LED roja AlGaInP basada en GaAs es un material LED de luz visible común que se ha desarrollado ampliamente en los últimos años. El LED rojo cuaternario AlGaInP tiene muchas ventajas, como una fuerte capacidad de carga de corriente, alta eficiencia luminosa y resistencia a altas temperaturas. Tiene una posición insustituible en la aplicación de iluminación, pantallas e indicadores luminosos, y es ampliamente utilizado en varios campos de la iluminación.PAM-XIAMENsuministra una oblea LED AlGaInP / GaInP de polaridad positiva a una longitud de onda de 620 nm. Los parámetros específicos de la oblea LED positiva para la venta se enumeran en la siguiente tabla:
1. Especificaciones de oblea LED positivas.
PAMP19226-620LED
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Estructura de LED rojo de polaridad positiva (WD=620nm) |
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| Capas | Espesor (nm) | Densidad del portador (cm-3) | |
| P Contacto | p+GaAs | 20 | – |
| p-AlGaInP | – | 1.00E+18 | |
| p-AlInP | – | – | |
| Grupo de trabajo | u-AlGaInP | – | |
| MQW | AlGaInP/InGaP | – | – |
| Grupo de trabajo | u-AlGaInP | 100 | |
| n-AlInP | – | ||
| n-AlGaInP | – | – | |
| ESL | n-InGaP | – | 3.00E+18 |
| N contacto | n+GaAs | 30 | – |
| u-AlGaInP | – | – | |
| Pobre de mí | – | ||
| Sustrato de GaAs | |||
2. ¿Cuál es la polaridad positiva de la oblea LED?
La polaridad de la oblea LED se divide en tipo N/P y P/N (P: positivo; N: negativo) según la polaridad de los chips LED. Allí, P/N representa la polaridad positiva de la oblea LED, lo que significa que el electrodo positivo está en la película epitaxial y el electrodo negativo está debajo del sustrato.
Para nuestro material epitaxial de diodo emisor de luz AlGaInP, se cultiva directamente en el sustrato de GaAs, y luego el electrodo N se prepara directamente en la parte posterior del sustrato de GaAs, y el electrodo P se prepara en la superficie superior del epi película delgada, que se muestra en la figura 1. Esta es la tecnología de oblea LED positiva. El proceso de producción de la fabricación de obleas de led positivo es relativamente maduro y la eficiencia de producción es alta.
Fig.1 Diagrama esquemático de la estructura tipo P/N de la oblea LED de polaridad positiva
En contraste con la oblea de LED invertida, hay una película conductora transparente colocada sobre la epi de oblea de LED positiva. Esto se debe a que la conductividad de la capa de material tipo P es más baja que la de la capa de material tipo N, y es necesario depositar una película conductora para difundir los electrones y mejorar la eficiencia de luminiscencia del chip oblea LED positivo.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
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