Single crystal germanium wafer with orientation (110) miscut toward <111> with 4 deg. or 12 deg. is provided without dopant. Due to the similar chemical properties with silicon, single crystal germanium has similar applications. While hall effect germanium wafer has higher sensitivity to gamma radiation, and is effective for detecting the applications of photo. Therefore, single crystal germanium wafer is the prime option for applications with high photodetction requirement, such as LEDs, fiber optics, solar cells and infrared optics. More about the Oblea ge(110) con un corte incorrecto hacia <111>, consulte a continuación:

1. Especificaciones de Ge monocristalino con corte incorrecto

Oblea Ge cristalina única n. ° 1 (PAMP21040)

Oblea de 4 pulgadas Ge (110) con 4 grados. hacia <111>

Deshacer

Espesor: 300 ± 25um

Solo lado pulido

Sustrato de Ge monocristalino n.o 2 (PAMP21256)

4 pulgadas Ge (110), mal cortado hacia <111> con 12 grados. oblea

Deshacer

Espesor: 300 ± 25um

Solo lado pulido

La orientación del cristal de '(110) oblea con un corte incorrecto hacia <111>' es la misma que la de la imagen de abajo:

Oblea de germanio monocristalino con orientación (110)

2. Criterio: criterio de difracción de rayos X para detectar la orientación de la oblea monocristalina de germanio

La orientación del cristal de la oblea monocristalina de germanio se puede determinar mediante el método de difracción de rayos X. Específicamente, cuando un haz de rayos X monocromáticos con una longitud de onda de λ incide sobre la superficie de un cristal de germanio, y el ángulo rasante θ entre el plano cristalino principal del cristal se ajusta a la ley de Bragg, se producirá difracción de rayos X. El contador se utiliza para detectar la línea de difracción, y la orientación del cristal principal del cristal se puede determinar de acuerdo con la posición de la línea de difracción. La orientación del cristal del monocristal de germanio se determina mediante un instrumento direccional de rayos X. Generalmente, se utiliza la radiación Ka del blanco de cobre. Después del filtro de níquel, se pueden obtener rayos X monocromáticos aproximados con una longitud de onda λ = 0.154178nm. Fórmula de Bragg:

adsin θ = nλ (1)

En fórmula:

“Θ” es el ángulo de Bragg (ángulo rasante), grados (minutos);

“Λ” significa longitud de onda de rayos X, λCuKa = 0.154178nm;

"N" es un nivel de interferencia, un número entero positivo;

"D" es la distancia entre planos de cristal difractado.

d = a / √h²+ k²+ l²(2)

En fórmula:

"A" es la constante de red, a = 5.6575 (Ge);

"H, k, l" representan el índice del plano cristalino (índice de Miller).

El haz X incidente, el haz X difractado y la normal de la superficie de difracción están en el mismo plano, y el ángulo entre el haz X difractado y el haz X transmitido es 2θ.

Cuando se utiliza radiación de CuKd como haz X incidente (pulg = 0,154178 nm), el ángulo de Bragg (ángulo rasante) que difracta en el plano cristalino de índice bajo del germanio, como se muestra en la siguiente tabla:

Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a victorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.